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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 특징 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전류 - 공급 | 전압- 최대 (입력) | 출력 출력 | sic 프로그램 가능 | pll | 주요 주요 | 입력 | 산출 | 회로 회로 | 비율 - 출력 : 입력 | 차동 - 출력 : 입력 | 주파수 - 최대 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 요소 요소 | 기능 | 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) | 전압- 오프셋 입력 (최대) | 현재- 바이어스 입력 (최대) | 현재- 유형 (출력) | 현재 -Quiescent (최대) | CMRR, PSRR (TYP) | 전파 전파 (지연) | 히스테리시스 | 슬림 슬림 | 현재 - 채널 / 출력 | 증폭기 증폭기 | 대역폭 대역폭 얻습니다 | 전류 - 바이어스 입력 | 전압 - 오프셋 입력 | 전압- 범위 공급 (최소) | 전압- 범위 공급 (최대) | 비트 비트 | 샘플링 샘플링 (속도) | 입력 입력 | 구성 | 비율 -S/H : ADC | a/d 수 변환기 | 건축학 | 참조 참조 | 전압 - 아날로그, 공급 | 전압 - 디지털, 공급 | i/o 수의 | 핵심 핵심 | 핵심 핵심 | 속도 | 연결성 | 주변 주변 | 프로그램 프로그램 크기 | 프로그램 프로그램 유형 | eeprom 크기 | 램 램 | 전압- v (VCC/VDD) | 데이터 데이터 | 발진기 발진기 | load | 시계 시계 | 필터 필터 | 주파수- 또는 컷오프 중앙 | 필터 필터 | 필터 필터 | 출력 출력 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 다시 다시 | 현재 -Quiescent (iq) | 현재 -공급 (max) | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | 내부 내부 | 토폴로지 | 주파수 - 스위칭 | 제어 제어 | 전압- 최대 (공급) | 출력 출력 | 동기 동기 | 현재 - 출력 | 디밍 | 전압- 최소 (공급) | 전압 - 출력 | 모니터링되는 모니터링되는 수 | 전압 - 값 임계 | 시간 시간 재설정합니다 | 전압- 최소 (출력/고정) | 전압- 최대 (출력) | 전압- 최소 (입력) | 규제 규제 수 | 전압 전압 아웃 (최대) | PSRR | 보호 보호 | sic 프로그램 가능 |
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![]() | BD49L51G-TL | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | BD49LXX | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 전압 전압 | BD49L51 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 3-ssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 5.1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | ML620Q153B-300TBZWNX | - | ![]() | 9181 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ML620Q100 | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TQFP | ML620Q153 | 48-TQFP (7x7) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML620Q153B-300TBZWNX | 1 | 31 | NX-U16/100 | 16 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | POR, PWM, WDT | 64KB (32k x 16) | 플래시 | 2k x 8 | 2k x 8 | 1.8V ~ 5.5V | A/D 12X10B SAR | 외부, 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | bu1ctd3wg-tr | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | bu1ctd3 | 6V | 결정된 | 5-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 60 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 200ma | 1.25V | - | 1 | 0.9V @ 200mA | 70dB (1kHz) | 현재, 이상 온도 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML610Q436A NNNTC03A7 | - | ![]() | 7145 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ML610400 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 144-LQFP | ML610Q436 | 144-LQFP (20x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | ML610Q436ANNNTC03A7 | 귀 99 | 8542.31.0001 | 600 | 14 | NX-U8/100 | 8 비트 | 4.2MHz | I²C, SSP, UART/USART | LCD, 멜로디,, por, pwm, wdt | 96KB (48k x 16) | 플래시 | - | 3k x 8 | 1.1V ~ 3.6V | A/D 2x12b, 2x24b | 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BD90620HFP-CTR | 4.5800 | ![]() | 139 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | HRP-7 (7 리드 + 탭) | BD90620 | 36v | 조절할 조절할있는 | HRP7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 50kHz ~ 500kHz | 긍정적인 | 아니요 | 2.5A | 0.8V | 36v | 5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LM393FVT-E2 | 0.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | 범용 | 오픈-수집가 | 8-tssop-b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 3,000 | 2 | 3V ~ 32V, ± 1.5V ~ 16V | 4.5MV @ 1.4V | 0.05µa @ 1.4v | 16MA @ 5V | 1MA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU7322HFV-TR | 1.0575 | ![]() | 7437 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -5 ° C ~ 75 ° C | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 노출 패드 패드 | BU7322 | 확인되지 확인되지 | 예 | 디지털 디지털 | 시계 | 시계 | 1 | 1 : 1 | 아니오/아니요 | 49.5MHz | 2.85V ~ 3.6V | 6-HVSOF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BU7322HFVTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD8381AEFV-ME2 | 5.9000 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 자동차 | 표면 표면 | 28-VSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 | DC DC 컨트롤러 | BD8381 | 300kHz | 28-HTSSOP-B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | 1 | 아니요 | 스텝 스텝 (다운), 스텝 업 (부스트) | 30V | PWM | 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bd9e301uefj-lbe2 | 1.5900 | ![]() | 9613 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | 36v | 조절할 조절할있는 | 8-HTSOP-J | - | 3 (168 시간) | 2,500 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 570kHz | 긍정적인 | 예 | 2.5A | 1V | 25.2v | 7V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD5426MUV-E2 | 4.3020 | ![]() | 5605 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-vfqfn 노출 패드 | d. d | 데포, 단락, 음소거 및 열 보호 | BD5426 | 2 채널 (스테레오) | 10V ~ 16.5V | VQFN048V7070 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1,500 | 10W x 2 @ 8ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD00IC0MEFJ-ME2 | 1.2900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | BD00IC0 | 5.5V | 조절할 조절할있는 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 0.25 MA | 700 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 1A | 0.8V | 4.5V | 1 | 0.9V @ 1a | - | 전류, 이상 온도, 소프트 스타트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA14741F-E2 | 1.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) | BA14741 | 3MA | - | 4 | 14-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 1V/µs | 20 MA | 범용 | 2 MHz | 60 NA | 1 MV | 4 v | 36 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD4949FVE-TR | 0.2267 | ![]() | 2700 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | BD49XXX | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | SOT-665 | 전압 전압 | BD4949 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 5-VSOF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 4.9V | - | 확인되지 확인되지 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML620Q151B NNNTBWABL | - | ![]() | 7909 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ML620Q100 | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TQFP | ML620Q151 | 48-TQFP (7x7) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML620Q151B-NNNTBWABL | 1 | 31 | NX-U16/100 | 16 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | POR, PWM, WDT | 32KB (16k x 16) | 플래시 | 2k x 8 | 2k x 8 | 1.8V ~ 5.5V | A/D 12X10B SAR | 외부, 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR93L46FV-WE2 | 0.6000 | ![]() | 2952 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | BR93L46 | eeprom | 1.8V ~ 5.5V | 8-SSOP-B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 2 MHz | 비 비 | 1kbit | eeprom | 64 x 16 | 전자기 | 5ms |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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