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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 특징 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전류 - 공급 | 전압 - 입력 | 전압- 최대 (입력) | 출력 출력 | sic 프로그램 가능 | 산출 | 회로 회로 | 비율 - 출력 : 입력 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 슬림 슬림 | 현재 - 채널 / 출력 | 증폭기 증폭기 | 대역폭 대역폭 얻습니다 | 전류 - 바이어스 입력 | 전압 - 오프셋 입력 | 전압- 범위 공급 (최소) | 전압- 범위 공급 (최대) | 구성 | 전압- v (VCC/VDD) | load | 인터페이스 | 시계 시계 | 출력 출력 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 다시 다시 | 현재 -Quiescent (iq) | 현재 -공급 (max) | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | 토폴로지 | 주파수 - 스위칭 | 결함 결함 | 제어 제어 | 출력 출력 | 출력 출력 | 듀티 듀티 (사이클) | 동기 동기 | 클록 클록 | 직렬 직렬 | 현재 - 출력 | 디스플레이 디스플레이 | 숫자 숫자 문자 | RDS ON (TYP) | 전압 - 하중 | 모터 모터 - 타입 | 모터 모터 -AC, DC | 단계 단계 | 전압 - 출력 | 스위치 스위치 | 현재- 최대 (출력) | 모니터링되는 모니터링되는 수 | 전압 - 값 임계 | 시간 시간 재설정합니다 | 전압- 최소 (출력/고정) | 전압- 최대 (출력) | 전압- 최소 (입력) | 규제 규제 수 | 전압 전압 아웃 (최대) | PSRR | 보호 보호 |
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![]() | BD15IA5VEFJ-ME2 | 0.8700 | ![]() | 1567 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | 5.5V | 결정된 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2,500 | 700 µA | 활성화, 스타트 소프트 | 긍정적인 | 500ma | 1.5V | - | 1 | 0.9V @ 500MA | - | 전류, 이상 온도, 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA7808CP-E2 | - | ![]() | 2377 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 리드 | BA78 | 23V | 결정된 | TO-220CP-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 8 MA | 800 µA | - | 긍정적인 | 1A | 8V | - | 1 | 2v @ 1a (1) | 65dB (120Hz) | 현재, 이상 온도 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD2200GUL-E2 | 0.9200 | ![]() | 2157 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 6-UFBGA, CSPBGA | 로드로드 | BD2200 | 비 비 | n 채널 | 1 : 1 | 6-vcsp50L1 (1.5x1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 100mohm | 2.7V ~ 5.5V | 범용 | 500ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD60HC5MEFJ-LBH2 | 2.7000 | ![]() | 245 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | BD60HC5 | 8V | 결정된 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 1.2 MA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 1.5A | 6V | - | 1 | 1.2v @ 1.5a | - | 전류, 이상 온도, 소프트 스타트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD2243G-GTR | 0.9300 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | SOT-23-6 | 로드로드, 방전 플래그 | BD2243 | 반전 | n 채널 | 1 : 1 | 6-ssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 전류 전류 (제한 가능), 온도, 역전류, uvlo | 높은 높은 | 89mohm | 2.8V ~ 5.5V | USB 스위치 | 1.7a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD60GA3VEFJ-ME2 | 1.0200 | ![]() | 2509 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | 14V | 결정된 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2,500 | 1.2 MA | 활성화, 스타트 소프트 | 긍정적인 | 300ma | 6V | - | 1 | 1.2v @ 300ma | - | 전류, 이상 온도, 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU4248F-TR | 0.2705 | ![]() | 1570 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-82 | 간단한 간단한/재설정 재설정 | BU4248 | 열린 열린 또는 배수 수집기 | 4-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 4.8V | 조정 조정/가능 가능 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD89630EFJ-E2 | 0.4860 | ![]() | 7651 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | BD89630 | 5.5V | 조절할 조절할있는 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 1MHz | 긍정적인 | 예 | 2A | 1V | 2.5V | 2.7V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR93L56FV-WE2 | 0.4400 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | BR93L56 | eeprom | 1.8V ~ 5.5V | 8-SSOP-B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 2 MHz | 비 비 | 2kbit | eeprom | 128 x 16 | 전자기 | 5ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU90054GWZ-E2 | 1.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 6-XFBGA, CSPBGA | BU90054 | 5.5V | 결정된 | UCSP30L1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 4.8MHz ~ 6MHz | 긍정적인 | 예 | 1A | 1.8V | - | 2.3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM2P091 | 1.1760 | ![]() | 8561 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm), 7 개의 리드 | BM2P091 | 26V | 7-DIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-BM2P091 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 1 | 플라이백 | 65kHz | 긍정적인 | 아니요 | 500ma | 8.9V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD8355MWV-E2 | - | ![]() | 9572 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C | 컨버터, 카메라 디지털 | 표면 표면 | 56-vfqfn 노출 패드 | BD8355 | 4V ~ 10V | UQFN056V7070 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,500 | 7 | 다수의 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA78M18FP-E2 | 0.9700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | BA78M18 | 33V | 결정된 | TO-252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 6 MA | 800 µA | - | 긍정적인 | 500ma | 18V | - | 1 | 2V @ 500ma (유형) | 58dB (120Hz) | 현재, 이상 온도 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM6246FS-E2 | 14.5800 | ![]() | 988 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 팬 팬 드라이버 | 표면 표면 | 54-SOP (0.449 ", 11.40mm 너비), 36 리드 | BM6246 | NMOS | 400V | SSOP-A54_36 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | 논리 | 하프 하프 (3) | 2.5A | 600V | 다상 | DC (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD46485G-TR | 0.3258 | ![]() | 8230 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | BD46XXX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | 전압 전압 | BD46485 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 5-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 4.8V | 45ms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD00HA3MEFJ-ME2 | 0.4620 | ![]() | 1118 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | BD00HA3 | 8V | 조절할 조절할있는 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1.2 MA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 300ma | 1.5V | 7V | 1 | 1.2v @ 300ma | - | 전류, 이상 온도, 소프트 스타트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA3404FJ-GE2 | 0.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 2MA | 푸시 푸시 | 2 | 8-SOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 1.2V/µs | 30 MA | 범용 | 1.2 MHz | 70 NA | 2 MV | 4 v | 36 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD9850FVM-TR | - | ![]() | 2078 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) | BD9850 | 트랜지스터 트랜지스터 | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 4V ~ 9V | 1 | 책임 | 100kHz ~ 2MHz | 주파수 주파수, 제어 스타트 | 긍정적인 | 1 | - | 아니요 | 아니요 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD5233G-DTR | 0.1659 | ![]() | 1054 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | BD52XX | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | 전압 전압 | BD5233 | 확인되지 확인되지 | 열린 열린 또는 배수 수집기 | 5-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BD5233GDTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 3.3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD8255MUV-ME2 | 3.8220 | ![]() | 4436 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 90 ° C (TA) | 범용 | 표면 표면 | 48-vfqfn 노출 패드 | BD8255 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | VQFN48SV7070 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,500 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | Spi, 평행 | 하프 하프 (13) | - | 4.5V ~ 5.5V | - | 브러시 브러시 DC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD26502GUL-E2 | - | ![]() | 3074 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 62-UFBGA, CSPBGA | BD26502 | 2 MA | 2.7V ~ 5.5V | VCSP50L4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 7 x 17 (매트릭스) | i²c, spi | 주도의 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD99011EFV-ME2 | 6.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-VSSOP (0.220 ", 5.60mm 너비) 노출 패드 | BD99011 | 35V | 결정된 | 24-HTSSOP-B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 200kHz ~ 500kHz | 긍정적인 | 예 | 2A | 5V | - | 3.6v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD80GC0WEFJ-E2 | 0.9800 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | BD80GC0 | 14V | 결정된 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 0.6 MA | 900 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 1A | 8V | - | 1 | 0.92v @ 1a | - | 전류, 이상 온도, 소프트 스타트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD49E46G-MTR | 0.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100, BD49EXXX-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | 전압 전압 | BD49E46 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 5-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 4.6v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD48L45G-TL | 0.6400 | ![]() | 501 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | BD48LXX | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 전압 전압 | BD48L45 | 열린 열린 또는 배수 수집기 | 3-ssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 4.5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU4825FVE-TR | 0.2336 | ![]() | 2352 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | SOT-665 | 간단한 간단한/재설정 재설정 | BU4825 | 열린 열린 또는 배수 수집기 | 5-VSOF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성/높은 낮음 | 1 | 2.5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR24G512FVT-3AGE2 | 0.9400 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | BR24G512 | eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-tssop-b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1MHz | 비 비 | 512kbit | eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD88215GUL-E2 | 1.0950 | ![]() | 8898 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 14-UFBGA, CSPBGA | AB | 단락 단락 열 및 | BD88215 | 2 채널 (스테레오) | 2.4V ~ 5.5V | VCSP50L2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 3,000 | 80mw x 2 @ 16ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD52W03G-CTR | 1.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | SOT-23-6 | 전압 전압 | BD52W03 | 열린 열린 또는 배수 수집기 | 6-ssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성/높은 낮음 | 1 | 1.98V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM1Q041FJ-E2 | 1.4300 | ![]() | 7830 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 트랜지스터 트랜지스터 | 8-SOP-J | 다운로드 | 1 (무제한) | 2,500 | 스텝 스텝/업 다운 | 8.9V ~ 26V | 1 | 플라이백 | 20kHz ~ 132kHz | - | 긍정적인 | 1 | - | 아니요 | 아니요 | - |
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