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통합 통합 (ICS) (7097)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전류 - 공급 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 비율 - 출력 : 입력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 요소 요소 기능 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) 전압- 오프셋 입력 (최대) 현재- 바이어스 입력 (최대) 현재- 유형 (출력) 현재 -Quiescent (최대) CMRR, PSRR (TYP) 전파 전파 (지연) 히스테리시스 현재 - 채널 / 출력 구성 전압- v (VCC/VDD) 인터페이스 시계 시계 출력 출력 메모리 메모리 메모리 메모리 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 현재 -공급 (max) 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 출력 출력 내부 내부 전압 - 고장 토폴로지 듀티 듀티 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 전압- 최대 (공급) 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 디스플레이 디스플레이 숫자 숫자 문자 RDS ON (TYP) 전압 - 하중 모터 모터 - 타입 모터 모터 -AC, DC 단계 단계 디밍 전압- 최소 (공급) 전압 - 출력 스위치 스위치 현재- 최대 (출력) 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
BM1Z101FJ-E2 Rohm Semiconductor BM1Z101FJ-E2 3.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비), 11 개의 리드 전압 전압 BM1Z101 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 11-SOP-J 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-bm1z101fj-e2tr 귀 99 8542.39.0001 2,500 - 1 - -
BM2P104E-Z Rohm Semiconductor BM2P104E-Z 3.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm), 7 개의 리드 BM2P104 26V 조절할 조절할있는 7-DIP-AK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BM2P104E-Z 귀 99 8542.39.0001 50 뿌리 뿌리 1 플라이백 100kHz 긍정적인 아니요 1MA 1.25V 26V 8.9V
BD6030GLS-E2 Rohm Semiconductor BD6030GLS-E2 -
RFQ
 ECAD 7202 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BD6030 - Rohs3 준수 846-BD6030GLS-E2TR 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
BD2041AFJ-DE2 Rohm Semiconductor BD2041AFJ-DE2 -
RFQ
 ECAD 8971 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BD2041 - Rohs3 준수 846-bd2041afj-de2tr 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
BD6058GU-E2 Rohm Semiconductor BD6058GU-E2 -
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BD6058 - Rohs3 준수 846-BD6058GU-E2TR 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
BD3917HFN-TR Rohm Semiconductor BD3917HFN-TR -
RFQ
 ECAD 7739 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 846-BD3917HFN-TR 쓸모없는 3,000
BD2041AFJ-BJE2 Rohm Semiconductor BD2041AFJ-BJE2 -
RFQ
 ECAD 1472 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BD2041 - Rohs3 준수 846-bd2041afj-bje2tr 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
BD4210EKN-E2 Rohm Semiconductor BD4210EKN-E2 -
RFQ
 ECAD 8603 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 846-bd4210ekn-e2tr 쓸모없는 2,500
BD9882FV-RE2 Rohm Semiconductor BD9882FV-RE2 -
RFQ
 ECAD 8662 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BD9882 - Rohs3 준수 846-BD9882FV-RE2TR 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
BM81810MUV-ME2 Rohm Semiconductor BM81810MUV-ME2 6.1300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 자동차, tft-lcd 패널 표면 표면 32-vfqfn 노출 패드 BM81810 2MA 2.6V ~ 5.5V VQFN032V5050 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500
BU91796BMUF-ME2 Rohm Semiconductor BU91796BMUF-ME2 2.9400
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면, 마운트 측면 32-vfqfn 노출 패드 BU91796 12.5 µA 2.5V ~ 6V VQFN32FBV050 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 80 세그먼트 2- 와이어 직렬 LCD -
BV1HL045EFJ-CE2 Rohm Semiconductor BV1HL045EFJ-CE2 2.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 슬리트 슬리트 제어되었습니다 BV1HL045 비 비 n 채널 1 : 1 8-HTSOP-J 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A001A2A 8542.39.0001 2,500 필요하지 필요하지 온/꺼짐 1 전류 전류 (제한), 오픈 하중 감지, 온도, 단락, uvlo 높은 높은 45mohm 6V ~ 28V 범용 2.5A
BD70GA3WNUX-TR Rohm Semiconductor bd70ga3wnux-tr 0.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 BD70GA3 14V 결정된 vson008x2030 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 4,000 900 µA 900 µA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 300ma 7V - 1 0.9V @ 300MA - 전류, 이상 온도, 단락
BM2SC124FP2-LBZE2 Rohm Semiconductor BM2SC124FP2-LBZE2 12.8200
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA BM2SC124FP2-LBZE2 TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 15V ~ 27.5V 외딴 예 1700V 플라이백 - 120kHz 전류 전류, 제한 하중, 온도 오버 전압 ko, 주파수 제어, 소프트 스타트
BD64547MUV-E2 Rohm Semiconductor BD64547MUV-E2 5.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 인쇄기 표면 표면 48-vfqfn 노출 패드 BD64547 MOSFET 9V ~ 45V VQFN048V7070 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,500 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 연속물 사전 사전 - 드라이버 브리지 (4) 2A 3.7V ~ 50V 양극성 DC (BLDC) 1
BM6249FS-E2 Rohm Semiconductor BM6249FS-E2 14.8900
RFQ
 ECAD 7298 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 팬 팬 드라이버 표면 표면 54-SOP (0.449 ", 11.40mm 너비), 36 리드 BM6249 NMOS 400V SSOP-A54_36 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 PWM 하프 하프 (3) 2.5A 600V 다상 DC (BLDC) -
BD18353MUF-ME2 Rohm Semiconductor BD18353MUF-ME2 3.7800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 자동차 표면 표면, 마운트 측면 20-vfqfn 노출 패드 DC DC 컨트롤러 BD18353 200kHz ~ 2.5MHz VQFN20QV3535 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - 1 아니요 스텝 스텝 (업) 65V PWM 5V 65V
BR24G1MFJ-5AE2 Rohm Semiconductor BR24G1MFJ-5AE2 2.0300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BR24G1 eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-SOP-J 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 2,500 1MHz 비 비 1mbit eeprom 128k x 8 i²c 3.5ms
BD61248NUX-E2 Rohm Semiconductor BD61248NUX-E2 1.9100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 팬 팬 드라이버 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 BD61248 DMOS 4.5V ~ 16V vson010x3030 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 4,000 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 - 하프 하프 (2) 1.2A 0.4V (최대) 양극성 DC (BLDC) -
BD50GC0MEFJ-LBH2 Rohm Semiconductor BD50GC0MEFJ-LBH2 3.0600
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 14V 결정된 8-HTSOP-J 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 1.2 MA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 1A 5V - 1 1.2v @ 1a - 전류, 이상 온도, 단락
BD90GA5MEFJ-LBH2 Rohm Semiconductor BD90GA5MEFJ-LBH2 2.6800
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 14V 결정된 8-HTSOP-J 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 1.2 MA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 500ma 9V - 1 1.2v @ 500ma - 전류, 이상 온도, 단락
LM2901FVJ-E2 Rohm Semiconductor LM2901FVJ-E2 1.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 범용 오픈-수집가 14-TSSOP-BJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 4 3V ~ 32V, ± 1.5V ~ 16V 4.5MV @ 5V 0.05µA @ 5V 16MA @ 5V 2MA - - -
BR93G76FJ-3GTE2 Rohm Semiconductor BR93G76FJ-3GTE2 0.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BR93G76 eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-SOP-J 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BR93G76FJ-3GTE2CT 귀 99 8542.32.0051 2,500 3MHz 비 비 8kbit eeprom 512 x 16 전자기 5ms
LM2901FJ-E2 Rohm Semiconductor LM2901FJ-E2 1.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 범용 오픈-수집가 14-SOPJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 4 3V ~ 32V, ± 1.5V ~ 16V 4.5MV @ 5V 0.05µA @ 5V 16MA @ 5V 2MA - - -
BD33GA5MEFJ-LBH2 Rohm Semiconductor BD33GA5MEFJ-LBH2 3.0100
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 14V 결정된 8-HTSOP-J 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 1.2 MA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 500ma 3.3v - 1 1.2v @ 500ma - 전류, 이상 온도, 단락
BR24G64NUX-5TR Rohm Semiconductor BR24G64NUX-5TR 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 BR24G64 eeprom 1.6V ~ 5.5V vson008x2030 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 4,000 1MHz 비 비 64kbit eeprom 8k x 8 i²c 5ms
BR93G66FVT-3BGE2 Rohm Semiconductor BR93G66FVT-3BGE2 0.6300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) BR93G66 eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-tssop-b 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 3,000 3MHz 비 비 4kbit eeprom 256 x 16 전자기 5ms
BA2903YF-LBH2 Rohm Semiconductor BA2903YF-LBH2 1.6400
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 범용 오픈-수집가 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 2 2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V 7MV @ 5V 0.05µA @ 5V 16MA @ 5V 1MA - - -
LM393FVM-TR Rohm Semiconductor LM393FVM-TR 0.7300
RFQ
 ECAD 2130 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) 범용 오픈-수집가 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 2 3V ~ 32V, ± 1.5V ~ 16V 4.5MV @ 1.4V 0.05µa @ 1.4v 16MA @ 5V 1MA - - -
BD33FC0WFP-E2 Rohm Semiconductor BD33FC0WFP-E2 1.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD 26.5V 결정된 TO-252-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 2.5 MA 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.3v - 1 0.7V @ 500MA - 현재, 이상 온도
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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