전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압- 최대 (입력) | 출력 출력 | sic 프로그램 가능 | 산출 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 요소 요소 | 기능 | 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) | 전압- 오프셋 입력 (최대) | 현재- 바이어스 입력 (최대) | 현재- 유형 (출력) | 현재 -Quiescent (최대) | CMRR, PSRR (TYP) | 전파 전파 (지연) | 히스테리시스 | i/o 수의 | 핵심 핵심 | 핵심 핵심 | 속도 | 연결성 | 주변 주변 | 프로그램 프로그램 크기 | 프로그램 프로그램 유형 | eeprom 크기 | 램 램 | 전압- v (VCC/VDD) | 데이터 데이터 | 발진기 발진기 | 인터페이스 | 시계 시계 | 출력 출력 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 다시 다시 | 현재 -Quiescent (iq) | 현재 -공급 (max) | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | 토폴로지 | 주파수 - 스위칭 | 제어 제어 | 출력 출력 | 동기 동기 | 현재 - 출력 | 전압 - 하중 | 모터 모터 - 타입 | 모터 모터 -AC, DC | 단계 단계 | 모니터링되는 모니터링되는 수 | 전압 - 값 임계 | 시간 시간 재설정합니다 | 전압- 최소 (출력/고정) | 전압- 최대 (출력) | 전압- 최소 (입력) | 규제 규제 수 | 전압 전압 아웃 (최대) | PSRR | 보호 보호 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BD6964FVM-GTR | 0.8010 | ![]() | 2628 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 105 ° C | 팬 팬 드라이버 | 표면 표면 | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) | BD6964 | MOSFET | 3.3V ~ 14V | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | PWM | 하프 하프 (2) | 800ma | 15V | 양극성 | DC (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR24T64-WZ | 1.6900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | BR24T64 | eeprom | 1.6V ~ 5.5V | 8-DIPK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | 비 비 | 64kbit | eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM2P039-Z | 1.6400 | ![]() | 1004 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm), 7 개의 리드 | BM2P039 | 26V | 7-DIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1 | 플라이백 | 100kHz | 긍정적인 | 아니요 | 1MA | 8.9V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML620Q157B NNNGAWAAL | - | ![]() | 5320 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ML620Q100 | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-QFP | ML620Q157 | 64-QFP (14x14) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML620Q157B NNNGAWAAL | 1 | 46 | NX-U16/100 | 16 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | POR, PWM, WDT | 32KB (16k x 16) | 플래시 | 2k x 8 | 2k x 8 | 1.8V ~ 5.5V | A/D 12X10B SAR | 외부, 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD5330G-TR | 0.6200 | ![]() | 364 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | BD53XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | 간단한 간단한/재설정 재설정 | BD5330 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 5-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD5331G-TR | 0.2202 | ![]() | 7206 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | BD53XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | 간단한 간단한/재설정 재설정 | BD5331 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 5-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 3.1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD9104FVM-TR | 1.6170 | ![]() | 9960 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) | BD9104 | 5.5V | 결정된 | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 1MHz | 긍정적인 | 예 | 800ma | 3.3v | - | 4.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA2901KN-E2 | - | ![]() | 1858 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 16-VFQFN | 범용 | BA2901 | 오픈 오픈 | 16-VQFN (4x4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 4 | 2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V | 7MV @ 5V | 0.25µA @ 5V | 16MA @ 5V | 2MA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD750U2EFJ-CE2 | 1.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | 45V | 결정된 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 15 µA | - | 긍정적인 | 200ma | 5V | - | 1 | 0.7V @ 200mA | 60dB (120Hz) | 전류, 이상 온도, 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML620Q158B NNNTBZWMX | - | ![]() | 3546 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ML620Q100 | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-tqfp | ML620Q158 | 64-TQFP (10x10) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML620Q158B NNNTBZWMX | 1 | 46 | NX-U16/100 | 16 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | POR, PWM, WDT | 48KB (24K X 16) | 플래시 | 2k x 8 | 2k x 8 | 1.8V ~ 5.5V | A/D 12X10B SAR | 외부, 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML620Q152B NNNTBZWMX | - | ![]() | 3554 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ML620Q100 | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TQFP | ML620Q152 | 48-TQFP (7x7) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML620Q152B NNNTBZWMX | 1 | 31 | NX-U16/100 | 16 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | POR, PWM, WDT | 48KB (24K X 16) | 플래시 | 2k x 8 | 2k x 8 | 1.8V ~ 5.5V | A/D 12X10B SAR | 외부, 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML610Q174-433GAZWAAL | - | ![]() | 1013 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 80BQFP | ML610Q174 | 80-QFP (14x20) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML610Q174-433GAZWAAL | 1 | 49 | NX-U8/100 | 8 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | LCD, POR, PWM, WDT | 128KB (64K X 16) | 플래시 | 2k x 8 | 4K X 8 | 2.2V ~ 5.5V | A/D 12x10B | 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML620Q134B-N01TDW7FL | - | ![]() | 6957 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ML620Q100 | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | ML620Q134 | 20-tssop | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML620Q134B-N01TDW7FL | 1 | 14 | NX-U16/100 | 16 비트 | 32MHz | I²C, SSP, UART/USART | LVD, POR, PWM, WDT | 8KB (4K X 16) | 플래시 | 1K X 16 | 2k x 8 | 1.6V ~ 5.5V | A/D 8X10B SAR | 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML620Q151AT-Z99TBWBX | - | ![]() | 8201 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | ML620Q151 | 확인되지 확인되지 | - | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML620Q151AT-Z99TBWBX | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML610Q172-076GAZWAX | - | ![]() | 3847 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-QFP | ML610Q172 | 64-QFP (14x14) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML610Q172-076GAZWAX | 1 | 37 | NX-U8/100 | 8 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | LCD, POR, PWM, WDT | 128KB (64K X 16) | 플래시 | 2k x 8 | 4K X 8 | 2.2V ~ 5.5V | A/D 12X10B SAR | 외부, 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML610Q111-Z99TDZ07FL | - | ![]() | 1595 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | ML610Q111 | 20-tssop | - | 영향을받지 영향을받지 | 846-ml610q111-z99tdz07fl | 1 | 15 | NX-U8/100 | 8 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | POR, PWM, WDT | 24KB (12k x 16) | 플래시 | 2k x 16 | 2k x 8 | 2.7V ~ 5.5V | A/D 6X10B | 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML620Q131B-101MB0ARL | - | ![]() | 7775 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ML620Q100 | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | ML620Q131 | 16-SSOP | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML620Q131B-101MB0ARL | 1 | 10 | NX-U16/100 | 16 비트 | 32MHz | I²C, SSP, UART/USART | LVD, POR, PWM, WDT | 8KB (4K X 16) | 플래시 | 1K X 16 | 2k x 8 | 1.6V ~ 5.5V | A/D 6X10B SAR | 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML620Q151BT-106TBWNX | - | ![]() | 9936 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ML620Q100 | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TQFP | ML620Q151 | 48-TQFP (7x7) | - | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML620Q151BT-106TBWNX | 1 | 31 | NX-U16/100 | 16 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | POR, PWM, WDT | 32KB (16k x 16) | 플래시 | 2k x 8 | 2k x 8 | 1.8V ~ 5.5V | A/D 12X10B SAR | 외부, 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML610Q174-425GAZWAAL | - | ![]() | 8271 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 80BQFP | ML610Q174 | 80-QFP (14x20) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML610Q174-425GAZWAAL | 1 | 49 | NX-U8/100 | 8 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | LCD, POR, PWM, WDT | 128KB (64K X 16) | 플래시 | 2k x 8 | 4K X 8 | 2.2V ~ 5.5V | A/D 12x10B | 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML620Q151A-100TBWABL | - | ![]() | 6053 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ML620Q100 | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TQFP | ML620Q151 | 확인되지 확인되지 | 48-TQFP (7x7) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML620Q151A-100TBWABL | 1 | 31 | NX-U16/100 | 16 비트 | 8.4mhz | I²C, SPI, UART/USART | POR, PWM, WDT | 32KB (16k x 16) | 플래시 | 1K X 16 | 2k x 8 | 1.8V ~ 5.5V | A/D 12X10B SAR | 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BR24T16NUX-WTR | 0.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-ufdfn 노출 패드 | BR24T16 | eeprom | 1.6V ~ 5.5V | vson008x2030 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 400 kHz | 비 비 | 16kbit | eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR25H010F-2CE2 | 0.9500 | ![]() | 1538 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) | BR25H010 | eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 10MHz | 비 비 | 1kbit | eeprom | 128 x 8 | SPI | 4ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML610Q178-025GAZ0AAL | - | ![]() | 8268 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-bqfp | ML610Q178 | 100-QFP (20x14) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML610Q178-025GAZ0AAL | 1 | 59 | NX-U8/100 | 8 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | LCD, POR, PWM, WDT | 128KB (64K X 16) | 플래시 | - | 4K X 8 | 2.2V ~ 5.5V | A/D 16X10B SAR | 외부, 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU22UA3WNVX-TL | 0.1552 | ![]() | 5033 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 4-udfn n 패드 | BU22UA3 | 5.5V | 결정된 | SSON004X1010 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 90 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 300ma | 2.2V | - | 1 | 0.26v @ 300ma | 70dB (1kHz) | 현재, 이상 온도 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR24C01-RMN6TP | 0.3249 | ![]() | 8695 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BR24C01 | eeprom | 1.8V ~ 5.5V | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 100 kHz | 비 비 | 1kbit | eeprom | 128 x 8 | i²c | 10ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR24C02-RMN6TP | - | ![]() | 7814 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BR24C02 | eeprom | 1.8V ~ 5.5V | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 100 kHz | 비 비 | 2kbit | eeprom | 256 x 8 | i²c | 10ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML610Q178-023GAZ0AX | - | ![]() | 9409 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-bqfp | ML610Q178 | 100-QFP (20x14) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML610Q178-023GAZ0AX | 1 | 59 | NX-U8/100 | 8 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | LCD, POR, PWM, WDT | 128KB (64K X 16) | 플래시 | - | 4K X 8 | 2.2V ~ 5.5V | A/D 16X10B SAR | 외부, 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU4239F-TR | 0.2705 | ![]() | 7757 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-82 | 간단한 간단한/재설정 재설정 | BU4239 | 열린 열린 또는 배수 수집기 | 4-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 3.9V | 조정 조정/가능 가능 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD30GA3MEFJ-ME2 | 0.5550 | ![]() | 5366 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | BD30GA3 | 14V | 결정된 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 600 µA | 1.2 MA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 300ma | 3V | - | 1 | 1.2v @ 300ma | - | 전류, 이상 온도, 소프트 스타트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BH33M0AWHFV-TR | 0.6800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 노출 패드 패드 | BH33M0 | 5.5V | 결정된 | 6-HVSOF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 95 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 300ma | 3.3v | - | 1 | 0.09V @ 100MA | 60dB (1kHz) | 현재, 이상 온도 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고