전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전류 - 공급 | sic 프로그램 가능 | pll | 입력 | 산출 | 회로 회로 | 비율 - 출력 : 입력 | 차동 - 출력 : 입력 | 주파수 - 최대 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | 분배기/승수 | 세다 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 표준 | 제어 제어 | i/o 수의 | 핵심 핵심 | 핵심 핵심 | 속도 | 연결성 | 주변 주변 | 프로그램 프로그램 크기 | 프로그램 프로그램 유형 | eeprom 크기 | 램 램 | 전압- v (VCC/VDD) | 데이터 데이터 | 발진기 발진기 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 채널 채널 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | 구동 구동 | 드라이버 드라이버 | 게이트 게이트 | 논리 논리 - vil, vih | 현재- 출력 피크 (소스, 싱크) | 상승 / 시간 낙하 (타이핑) | 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩) |
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![]() | 9FGV1005C111LTGI | - | ![]() | 4756 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Phiclock ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-tflga 노출 ga | 시계 시계 | 9FGV1005 | 확인되지 확인되지 | 예 | HCSL, LVCMOS, LVDS, Crystal | CML, HCSL, LP-HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | 1 | 1 : 3 | 아니오/예 | 200MHz, 325MHz | 1.71V ~ 1.89V, 2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V | 16-LGA (3x3) | - | 예/아니오 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 800-9FGV1005C111LTGI | 귀 99 | 8542.39.0001 | 490 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDT71V3559SA85BQI8 | - | ![]() | 5415 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | IDT71V3559 | SRAM- 동기, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 71V3559SA85BQI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 휘발성 휘발성 | 4.5mbit | 8.5 ns | SRAM | 256k x 18 | 평행한 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 8N3DV85EC-0095CDI8 | - | ![]() | 4361 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | FEMTOCLOCK® NG | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 6-Clcc | VCXO | 8n3dv85 | 100MHz, 125MHz | 130 MA | 3.135V ~ 3.465V | 6-CLCC (7x5) | 다운로드 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 9FGV1005A112LTGI8 | - | ![]() | 3658 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Phiclock ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-tflga 노출 ga | 시계 시계 | 확인되지 확인되지 | 예 | HCSL, LVCMOS, LVDS, Crystal | CML, HCSL, LP-HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | 1 | 1 : 3 | 아니오/예 | 200MHz, 325MHz | 1.71V ~ 1.89V, 2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V | 16-LGA (3x3) | - | 예/아니오 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 800-9FGV1005A112LTGI8TR | 쓸모없는 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 71321LA25PF | - | ![]() | 8788 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-LQFP | 71321LA | sram-이중-, 비동기 | 4.5V ~ 5.5V | 64-TQFP (14x14) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 45 | 휘발성 휘발성 | 16kbit | 25 ns | SRAM | 2k x 8 | 평행한 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5F572MDDDFB#10 | 12.8029 | ![]() | 3352 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | RX | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 144-LQFP | 144-LFQFP (20x20) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 559-R5F572MDDDFB#10 | 480 | 111 | RXV3 | 32 비트 | 240MHz | Canbus, EBI/EMI, 이더넷, I²C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG | DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT | 2MB (2m x 8) | 플래시 | 32k x 8 | 1m x 8 | 2.7V ~ 3.6V | A/D 29X12B; d/a 2x12b | 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 8N4DV85AC-0082CDI8 | - | ![]() | 8647 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | FEMTOCLOCK® NG | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 6-Clcc | VCXO | 8N4DV85 | 622.08MHz, 156.25MHz | 140 MA | 3.135V ~ 3.465V | 6-CLCC (7x5) | 다운로드 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 8N4Q001LG-1124CDI8 | - | ![]() | 1217 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | FEMTOCLOCK® NG | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 10-Clcc | 클럭 클럭 | 8N4Q001 | 75MHz | 155 MA | 2.375V ~ 2.625V | 10-CLCC (7x5) | 다운로드 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 709269S15pf8 | - | ![]() | 4575 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | 709269S | sram-듀얼-, 동기 | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 750 | 휘발성 휘발성 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 16k x 16 | 평행한 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 8T49N286-997NLGI8 | - | ![]() | 2361 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | FEMTOCLOCK® NG | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 72-vfqfn 노출 패드 | 주파수 주파수 | 확인되지 확인되지 | 예 예 패스로 | HCSL, LVCMOS, LVDS, LVHSTL, LVPECL, Crystal | HSCL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | 1 | 5 : 8 | 예/예 | 1GHz | 2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V | 72-VFQFPN (10x10) | - | 예/아니오 | 800-8T49N286-997NLGI8TR | 쓸모없는 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 8N3SV76LC-0091CDI8 | - | ![]() | 4211 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | FEMTOCLOCK® NG | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 6-Clcc | VCXO | 8N3SV76 | 70.656MHz | 120 MA | 2.375V ~ 2.625V | 6-CLCC (7x5) | 다운로드 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 8N4SV76KC-0044CDI8 | - | ![]() | 3871 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | FEMTOCLOCK® NG | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 6-Clcc | VCXO | 8N4SV76 | 125MHz | 140 MA | 3.135V ~ 3.465V | 6-CLCC (7x5) | 다운로드 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 8N4SV76EC-0128CDI8 | - | ![]() | 5668 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | FEMTOCLOCK® NG | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 6-Clcc | VCXO | 8N4SV76 | 25MHz | 140 MA | 3.135V ~ 3.465V | 6-CLCC (7x5) | 다운로드 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDT71V3557SA80BGI8 | - | ![]() | 6435 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 119-bga | IDT71V3557 | SRAM- 동기, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 71V3557SA80BGI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 4.5mbit | 8 ns | SRAM | 128k x 36 | 평행한 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 8N4Q001EG-0043CDI | - | ![]() | 1634 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | FEMTOCLOCK® NG | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 10-Clcc | 클럭 클럭 | 8N4Q001 | 496MHz | 160 MA | 3.135V ~ 3.465V | 10-CLCC (7x5) | 다운로드 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 364 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 8N4Q001EG-1036CDI | - | ![]() | 8218 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | FEMTOCLOCK® NG | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 10-Clcc | 클럭 클럭 | 8N4Q001 | 100MHz, 125MHz, 250MHz, 312.5MHz | 160 MA | 3.135V ~ 3.465V | 10-CLCC (7x5) | 다운로드 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 364 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL6613IRZ | - | ![]() | 9085 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-vfdfn 노출 패드 | ISL6613 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 10.8V ~ 13.2v | 10-DFN (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 동기 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | - | 1.25A, 2A | 26ns, 18ns | 36 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 9FGV1005A212LTGI8 | - | ![]() | 2374 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Phiclock ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-tflga 노출 ga | 시계 시계 | 확인되지 확인되지 | 예 | HCSL, LVCMOS, LVDS, Crystal | CML, HCSL, LP-HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | 1 | 1 : 3 | 아니오/예 | 200MHz, 325MHz | 1.71V ~ 1.89V, 2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V | 16-LGA (3x3) | - | 예/아니오 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 800-9FGV1005A212LTGI8TR | 쓸모없는 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 7152m-12LF | - | ![]() | 8844 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 스펙트럼 스펙트럼 생성기 클록 | 7152m | 예 | 시계 | CMOS | 1 | 1 : 1 | 아니오/아니요 | 134MHz | 3V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | 아니오/예 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 97 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 8N4DV85EC-0198CDI8 | - | ![]() | 9195 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | FEMTOCLOCK® NG | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 10-Clcc | VCXO | 8N4DV85 | 156.25MHz, 135MHz | 140 MA | 3.135V ~ 3.465V | 10-CLCC (7x5) | 다운로드 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ICS9173-01CS08LFT | - | ![]() | 3714 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ICS9173-01 | - | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
7025S45J8 | - | ![]() | 8039 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 84-LCC (J-Lead) | 7025S45 | sram-이중-, 비동기 | 4.5V ~ 5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 200 | 휘발성 휘발성 | 128kbit | 45 ns | SRAM | 8k x 16 | 평행한 | 45ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 9FGV1006C116LTGI | - | ![]() | 1861 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Phiclock ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-tflga 노출 ga | 시계 시계 | 9FGV1006 | 확인되지 확인되지 | 예 | HCSL, LVCMOS, LVDS, Crystal | CML, HCSL, LP-HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | 1 | 1 : 3 | 아니오/예 | 200MHz, 325MHz | 1.71V ~ 1.89V, 2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V | 16-LGA (3x3) | - | 예/아니오 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 800-9FGV1006C116LTGI | 귀 99 | 8542.39.0001 | 490 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | r5f104ljabg#u0 | - | ![]() | 3083 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | RL78/G14 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | R5F104 | - | 다운로드 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 58 | RL78 | 16 비트 | 32MHz | CSI, I²C, Linbus, UART/USART | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 256KB (256k x 8) | 플래시 | 8k x 8 | 24k x 8 | 1.6V ~ 5.5V | A/D 12x8/10B | 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 71V65903S85BGG8 | 26.1188 | ![]() | 8734 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 119-bga | 71V65903 | SRAM- 동기, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 9mbit | 8.5 ns | SRAM | 512k x 18 | 평행한 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5962-9161706MXA | - | ![]() | 4333 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 84-bpga | 5962-9161706 | sram-듀얼-, 동기 | 4.5V ~ 5.5V | 84-PGA (27.94x27.94) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-5962-9161706MXA | 쓸모없는 | 3 | 휘발성 휘발성 | 128kbit | 45 ns | SRAM | 8k x 16 | 평행한 | 45ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 8N3Q001LG-0064CDI | - | ![]() | 1216 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | FEMTOCLOCK® NG | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 10-Clcc | 클럭 클럭 | 8N3Q001 | 106.25MHz, 100MHz, 106.25MHz, 100MHz | 136 MA | 2.375V ~ 2.625V | 10-CLCC (7x5) | 다운로드 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 364 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M2060-11-669.3266T | - | ![]() | 6865 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 36-Clcc | M2060-11 | 예 | LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL | lvpecl | 1 | 2 : 2 | 예/예 | 669.3266MHz | 3.3v | 36-CLCC (9x9) | - | 예/아니오 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HN58C256AFP85E | - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5F572MNHGFC#V0 | 24.3500 | ![]() | 7289 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | rx72m | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 176-LQFP | R5F572 | 176-LFQFP (24x24) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 40 | 136 | RXV3 | 32 비트 | 240MHz | Canbus, EBI/EMI, 이더넷, I²C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG | DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT | 4MB (4m x 8) | 플래시 | 32k x 8 | 1m x 8 | 2.7V ~ 3.6V | A/D 29X12B; d/a 2x12b | 내부 |
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