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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전류 - 공급 sic 프로그램 가능 pll 입력 산출 회로 회로 비율 - 출력 : 입력 차동 - 출력 : 입력 주파수 - 최대 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 분배기/승수 세다 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 표준 제어 제어 i/o 수의 핵심 핵심 핵심 핵심 속도 연결성 주변 주변 프로그램 프로그램 크기 프로그램 프로그램 유형 eeprom 크기 램 램 전압- v (VCC/VDD) 데이터 데이터 발진기 발진기 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 채널 채널 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
9FGV1005C111LTGI Renesas Electronics America Inc 9FGV1005C111LTGI -
RFQ
ECAD 4756 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Phiclock ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-tflga 노출 ga 시계 시계 9FGV1005 확인되지 확인되지 HCSL, LVCMOS, LVDS, Crystal CML, HCSL, LP-HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL 1 1 : 3 아니오/예 200MHz, 325MHz 1.71V ~ 1.89V, 2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V 16-LGA (3x3) - 예/아니오 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 800-9FGV1005C111LTGI 귀 99 8542.39.0001 490
IDT71V3559SA85BQI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V3559SA85BQI8 -
RFQ
ECAD 5415 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IDT71V3559 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 71V3559SA85BQI8 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 4.5mbit 8.5 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
8N3DV85EC-0095CDI8 Renesas Electronics America Inc 8N3DV85EC-0095CDI8 -
RFQ
ECAD 4361 0.00000000 Renesas Electronics America Inc FEMTOCLOCK® NG 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-Clcc VCXO 8n3dv85 100MHz, 125MHz 130 MA 3.135V ~ 3.465V 6-CLCC (7x5) 다운로드 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
9FGV1005A112LTGI8 Renesas Electronics America Inc 9FGV1005A112LTGI8 -
RFQ
ECAD 3658 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Phiclock ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-tflga 노출 ga 시계 시계 확인되지 확인되지 HCSL, LVCMOS, LVDS, Crystal CML, HCSL, LP-HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL 1 1 : 3 아니오/예 200MHz, 325MHz 1.71V ~ 1.89V, 2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V 16-LGA (3x3) - 예/아니오 Rohs3 준수 3 (168 시간) 800-9FGV1005A112LTGI8TR 쓸모없는 3,000
71321LA25PF Renesas Electronics America Inc 71321LA25PF -
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ECAD 8788 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP 71321LA sram-이중-, 비동기 4.5V ~ 5.5V 64-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 45 휘발성 휘발성 16kbit 25 ns SRAM 2k x 8 평행한 25ns
R5F572MDDDFB#10 Renesas Electronics America Inc R5F572MDDDFB#10 12.8029
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ECAD 3352 0.00000000 Renesas Electronics America Inc RX 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-LQFP 144-LFQFP (20x20) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 559-R5F572MDDDFB#10 480 111 RXV3 32 비트 240MHz Canbus, EBI/EMI, 이더넷, I²C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT 2MB (2m x 8) 플래시 32k x 8 1m x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 29X12B; d/a 2x12b 내부
8N4DV85AC-0082CDI8 Renesas Electronics America Inc 8N4DV85AC-0082CDI8 -
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ECAD 8647 0.00000000 Renesas Electronics America Inc FEMTOCLOCK® NG 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-Clcc VCXO 8N4DV85 622.08MHz, 156.25MHz 140 MA 3.135V ~ 3.465V 6-CLCC (7x5) 다운로드 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
8N4Q001LG-1124CDI8 Renesas Electronics America Inc 8N4Q001LG-1124CDI8 -
RFQ
ECAD 1217 0.00000000 Renesas Electronics America Inc FEMTOCLOCK® NG 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 10-Clcc 클럭 클럭 8N4Q001 75MHz 155 MA 2.375V ~ 2.625V 10-CLCC (7x5) 다운로드 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
709269S15PF8 Renesas Electronics America Inc 709269S15pf8 -
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ECAD 4575 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 709269S sram-듀얼-, 동기 4.5V ~ 5.5V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 750 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 16k x 16 평행한 -
8T49N286-997NLGI8 Renesas Electronics America Inc 8T49N286-997NLGI8 -
RFQ
ECAD 2361 0.00000000 Renesas Electronics America Inc FEMTOCLOCK® NG 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 72-vfqfn 노출 패드 주파수 주파수 확인되지 확인되지 예 예 패스로 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVHSTL, LVPECL, Crystal HSCL, LVCMOS, LVDS, LVPECL 1 5 : 8 예/예 1GHz 2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V 72-VFQFPN (10x10) - 예/아니오 800-8T49N286-997NLGI8TR 쓸모없는 2,500
8N3SV76LC-0091CDI8 Renesas Electronics America Inc 8N3SV76LC-0091CDI8 -
RFQ
ECAD 4211 0.00000000 Renesas Electronics America Inc FEMTOCLOCK® NG 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-Clcc VCXO 8N3SV76 70.656MHz 120 MA 2.375V ~ 2.625V 6-CLCC (7x5) 다운로드 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
8N4SV76KC-0044CDI8 Renesas Electronics America Inc 8N4SV76KC-0044CDI8 -
RFQ
ECAD 3871 0.00000000 Renesas Electronics America Inc FEMTOCLOCK® NG 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-Clcc VCXO 8N4SV76 125MHz 140 MA 3.135V ~ 3.465V 6-CLCC (7x5) 다운로드 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
8N4SV76EC-0128CDI8 Renesas Electronics America Inc 8N4SV76EC-0128CDI8 -
RFQ
ECAD 5668 0.00000000 Renesas Electronics America Inc FEMTOCLOCK® NG 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-Clcc VCXO 8N4SV76 25MHz 140 MA 3.135V ~ 3.465V 6-CLCC (7x5) 다운로드 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
IDT71V3557SA80BGI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V3557SA80BGI8 -
RFQ
ECAD 6435 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga IDT71V3557 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 71V3557SA80BGI8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4.5mbit 8 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
8N4Q001EG-0043CDI Renesas Electronics America Inc 8N4Q001EG-0043CDI -
RFQ
ECAD 1634 0.00000000 Renesas Electronics America Inc FEMTOCLOCK® NG 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 10-Clcc 클럭 클럭 8N4Q001 496MHz 160 MA 3.135V ~ 3.465V 10-CLCC (7x5) 다운로드 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 364
8N4Q001EG-1036CDI Renesas Electronics America Inc 8N4Q001EG-1036CDI -
RFQ
ECAD 8218 0.00000000 Renesas Electronics America Inc FEMTOCLOCK® NG 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 10-Clcc 클럭 클럭 8N4Q001 100MHz, 125MHz, 250MHz, 312.5MHz 160 MA 3.135V ~ 3.465V 10-CLCC (7x5) 다운로드 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 364
ISL6613IRZ Renesas Electronics America Inc ISL6613IRZ -
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ECAD 9085 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 ISL6613 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 10-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
9FGV1005A212LTGI8 Renesas Electronics America Inc 9FGV1005A212LTGI8 -
RFQ
ECAD 2374 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Phiclock ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-tflga 노출 ga 시계 시계 확인되지 확인되지 HCSL, LVCMOS, LVDS, Crystal CML, HCSL, LP-HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL 1 1 : 3 아니오/예 200MHz, 325MHz 1.71V ~ 1.89V, 2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V 16-LGA (3x3) - 예/아니오 Rohs3 준수 3 (168 시간) 800-9FGV1005A212LTGI8TR 쓸모없는 3,000
7152M-12LF Renesas Electronics America Inc 7152m-12LF -
RFQ
ECAD 8844 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 스펙트럼 스펙트럼 생성기 클록 7152m 시계 CMOS 1 1 : 1 아니오/아니요 134MHz 3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 아니오/예 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 97
8N4DV85EC-0198CDI8 Renesas Electronics America Inc 8N4DV85EC-0198CDI8 -
RFQ
ECAD 9195 0.00000000 Renesas Electronics America Inc FEMTOCLOCK® NG 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 10-Clcc VCXO 8N4DV85 156.25MHz, 135MHz 140 MA 3.135V ~ 3.465V 10-CLCC (7x5) 다운로드 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
ICS9173-01CS08LFT Renesas Electronics America Inc ICS9173-01CS08LFT -
RFQ
ECAD 3714 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ICS9173-01 - 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - - -
7025S45J8 Renesas Electronics America Inc 7025S45J8 -
RFQ
ECAD 8039 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 84-LCC (J-Lead) 7025S45 sram-이중-, 비동기 4.5V ~ 5.5V 84-PLCC (29.31x29.31) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 200 휘발성 휘발성 128kbit 45 ns SRAM 8k x 16 평행한 45ns
9FGV1006C116LTGI Renesas Electronics America Inc 9FGV1006C116LTGI -
RFQ
ECAD 1861 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Phiclock ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-tflga 노출 ga 시계 시계 9FGV1006 확인되지 확인되지 HCSL, LVCMOS, LVDS, Crystal CML, HCSL, LP-HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL 1 1 : 3 아니오/예 200MHz, 325MHz 1.71V ~ 1.89V, 2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V 16-LGA (3x3) - 예/아니오 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 800-9FGV1006C116LTGI 귀 99 8542.39.0001 490
R5F104LJABG#U0 Renesas Electronics America Inc r5f104ljabg#u0 -
RFQ
ECAD 3083 0.00000000 Renesas Electronics America Inc RL78/G14 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - R5F104 - 다운로드 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1 58 RL78 16 비트 32MHz CSI, I²C, Linbus, UART/USART DMA, LVD, POR, PWM, WDT 256KB (256k x 8) 플래시 8k x 8 24k x 8 1.6V ~ 5.5V A/D 12x8/10B 내부
71V65903S85BGG8 Renesas Electronics America Inc 71V65903S85BGG8 26.1188
RFQ
ECAD 8734 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga 71V65903 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 9mbit 8.5 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
5962-9161706MXA Renesas Electronics America Inc 5962-9161706MXA -
RFQ
ECAD 4333 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 84-bpga 5962-9161706 sram-듀얼-, 동기 4.5V ~ 5.5V 84-PGA (27.94x27.94) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-5962-9161706MXA 쓸모없는 3 휘발성 휘발성 128kbit 45 ns SRAM 8k x 16 평행한 45ns
8N3Q001LG-0064CDI Renesas Electronics America Inc 8N3Q001LG-0064CDI -
RFQ
ECAD 1216 0.00000000 Renesas Electronics America Inc FEMTOCLOCK® NG 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 10-Clcc 클럭 클럭 8N3Q001 106.25MHz, 100MHz, 106.25MHz, 100MHz 136 MA 2.375V ~ 2.625V 10-CLCC (7x5) 다운로드 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 364
M2060-11-669.3266T Renesas Electronics America Inc M2060-11-669.3266T -
RFQ
ECAD 6865 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 36-Clcc M2060-11 LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL lvpecl 1 2 : 2 예/예 669.3266MHz 3.3v 36-CLCC (9x9) - 예/아니오 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
HN58C256AFP85E Renesas Electronics America Inc HN58C256AFP85E -
RFQ
ECAD 4216 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 1
R5F572MNHGFC#V0 Renesas Electronics America Inc R5F572MNHGFC#V0 24.3500
RFQ
ECAD 7289 0.00000000 Renesas Electronics America Inc rx72m 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 176-LQFP R5F572 176-LFQFP (24x24) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991A2 8542.31.0001 40 136 RXV3 32 비트 240MHz Canbus, EBI/EMI, 이더넷, I²C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT 4MB (4m x 8) 플래시 32k x 8 1m x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 29X12B; d/a 2x12b 내부
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고