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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기술	pll	주요 주요	입력	산출	회로 회로	비율 - 출력 : 입력	차동 - 출력 : 입력	주파수 - 최대	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	분배기/승수	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	다른 다른	표준 표준	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	코어/너비 버스 수	공동 공동/dsp	램 램	그래픽 그래픽	이더넷	사타	전압 -i/o	보안 보안	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
R5F140LKAFB#50	2.4786	RFQ	7402	Renesas Electronics America Inc	RL78/G13A	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-LQFP												64-LFQFP (10x10)		Rohs3 준수		559-R5F140LKAFB#50tr	1	48	RL78	16 비트	32MHz	CSI, I²C, Linbus, UART/USART	DMA, LVD, POR, PWM, WDT	384KB (384K X 8)	플래시	8k x 8	24k x 8	1.6V ~ 5.5V	A/D 12x8/10B	내부
R5F524UCAGFB#30	6.8800	RFQ	1062	Renesas Electronics America Inc	RX24U	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	144-LQFP												144-LFQFP (20x20)		Rohs3 준수		559-R5F524UCAGFB#30	60	110	RXV2	32 비트	80MHz	Canbus, I²C, Sci, Spi	DMA, LVD, POR, PWM, WDT	384KB (384K X 8)	플래시	8k x 8	32k x 8	2.7V ~ 5.5V	A/D 22x12b; d/a 2x8b	내부
R7F100GFH3CFP#BA0	1.9371	RFQ	3548	Renesas Electronics America Inc	RL78/G23	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	44-LQFP												44-LQFP (10x10)		Rohs3 준수		559-R7F100GFH3CFP#BA0	1,280	37	RL78	16 비트	32MHz	CSI, I²C, Linbus, SPI, UART/USART	LVD, POR, PWM, WDT	192KB (192k x 8)	플래시	8k x 8	20k x 8	1.8V ~ 5.5V	A/D 10X8/10B/12B; d/a 2x8b	내부
R7F100GPJ2DFA#AA0	4.2700	RFQ	4654	Renesas Electronics America Inc	RL78/G23	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp												100-LQFP (14x20)		Rohs3 준수		559-R7F100GPJ2DFA#AA0	72	88	RL78	16 비트	32MHz	CSI, I²C, Linbus, SPI, UART/USART	LVD, POR, PWM, WDT	256KB (256k x 8)	플래시	8k x 8	24k x 8	1.6V ~ 5.5V	A/D 20X10B, 8x12b; d/a 2x8b	내부
R5F56609CGFM#10	5.3742	RFQ	7684	Renesas Electronics America Inc	RX600	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	64-LQFP												64-LFQFP (10x10)		Rohs3 준수		559-R5F56609CGFM#10	1,280	53	RXV3	32 비트	120MHz	Canbus, EBI/EMI, I²C, Linbus, Sci, SPI	DMA, LVD, POR, PWM, WDT	1MB (1m x 8)	플래시	32k x 8	128k x 8	2.7V ~ 5.5V	A/D 14x12b; d/a 2x12b	외부, 내부
R5F572MDDGFB#30	18.2500	RFQ	3722	Renesas Electronics America Inc	RX	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	144-LQFP												144-LFQFP (20x20)		Rohs3 준수		559-R5F572MDDGFB#30	60	111	RXV3	32 비트	240MHz	Canbus, EBI/EMI, 이더넷, I²C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG	DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT	2MB (2m x 8)	플래시	32k x 8	1m x 8	2.7V ~ 3.6V	A/D 29X12B; d/a 2x12b	내부
R5F56609CDFB#10	6.2183	RFQ	6765	Renesas Electronics America Inc	RX600	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	144-LQFP												144-LFQFP (20x20)		Rohs3 준수		559-R5F56609CDFB#10	480	131	RXV3	32 비트	120MHz	Canbus, EBI/EMI, I²C, Linbus, Sci, SPI	DMA, LVD, POR, PWM, WDT	1MB (1m x 8)	플래시	32k x 8	128k x 8	2.7V ~ 5.5V	A/D 24x12b; d/a 2x12b	외부, 내부
R5F56514BGLK#20	8.5500	RFQ	5936	Renesas Electronics America Inc	RX651	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	145-TFLGA												145-TFLGA (7x7)		Rohs3 준수		559-R5F56514BGLK#20	416	111	RXV2	32 비트	120MHz	Canbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, Linbus, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, UART/USART, USB	DMA, LVD, POR, PWM, WDT	512KB (512k x 8)	플래시	-	256k x 8	2.7V ~ 3.6V	A/D 29X12B; d/a 2x12b	외부
R5F5111JAGFM#1A	1.7324	RFQ	6998	Renesas Electronics America Inc	RX111	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	64-LQFP												64-LFQFP (10x10)		Rohs3 준수		559-R5F5111JAGFM#1A	1,280	46	RX	32 비트	32MHz	I²C, SCI, SPI, USB OTG	DMA, LVD, POR, PWM, WDT	16KB (16k x 8)	플래시	8k x 8	8k x 8	1.8V ~ 3.6V	A/D 14x12b; d/a 2x8b	내부
R5F56719DGLJ#20	9.5800	RFQ	7486	Renesas Electronics America Inc	-	쟁반	활동적인																	Rohs3 준수		559-R5F56719DGLJ#20	490
R9A09G055MA3GBG#BCC	39.0621	RFQ	5466	Renesas Electronics America Inc	RZ/V2MA	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	841-FBGA												841-FBGA (15x15)		Rohs3 준수	3 (168 시간)	559-R9A09G055MA3GBG#BCCTR	1		ARM® Cortex®-A53												2 비트, 64 코어	멀티미디어; Neon ™ Simd	LPDDR4	아니요	GBE (1)	-	1.8V, 3.3V	-
UPC277G2 (3) -E2 -A	0.8892	RFQ	3951	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인																	Rohs3 준수		559-UPC277G2 (3) -E2-ATR	1
R7FA6T2BB3CNB#AA0	6.3600	RFQ	6021	Renesas Electronics America Inc	RA6T2	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	64-wfqfn 노출 패드												64-HWQFN (8x8)		Rohs3 준수		559-R7FA6T2BB3CNB#AA0	25	51	ARM® Cortex®-M33	32 비트	240MHz	Canbus, i²c, linbus, sci, spi, uart/usart	DMA, LVD, POR, PWM, WDT	256KB (256k x 8)	플래시	16k x 8	64k x 8	2.7V ~ 3.6V	A/D 18X12B SAR; D/A 4x12b	내부
R5F56609EDFB#30	8.3700	RFQ	3657	Renesas Electronics America Inc	RX600	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	144-LQFP												144-LFQFP (20x20)		Rohs3 준수		559-R5F56609EDFB#30	60	132	RXV3	32 비트	120MHz	Canbus, EBI/EMI, I²C, Linbus, Sci, SPI	DMA, LVD, POR, PWM, WDT	1MB (1m x 8)	플래시	32k x 8	128k x 8	2.7V ~ 5.5V	A/D 24x12b; d/a 2x12b	외부, 내부
R7F100GPG3CFA#BA0	3.9500	RFQ	1461	Renesas Electronics America Inc	RL78/G23	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp												100-LQFP (14x20)		Rohs3 준수		559-R7F100GPG3CFA#BA0	576	88	RL78	16 비트	32MHz	CSI, I²C, Linbus, SPI, UART/USART	LVD, POR, PWM, WDT	128KB (128k x 8)	플래시	8k x 8	16k x 8	1.8V ~ 5.5V	A/D 20X10B, 8x12b; d/a 2x8b	내부
X28HC256JZ-15	32.5379	RFQ	2465	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	32-LCC (J-Lead)		eeprom									4.5V ~ 5.5V	32-PLCC (13.97x11.43)		Rohs3 준수	3 (168 시간)	20-x28HC256JZ-15	1																						비 비	256kbit	150 ns	eeprom	32k x 8	평행한	5ms
8A34002E-003NLG	52.1040	RFQ	3695	Renesas Electronics America Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	72-vfqfn 노출 패드	클럭 클럭		예		시계	CML, HCSL, HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, SSTL	4	7 : 8	예/예	1GHz	1.71V ~ 1.89V, 2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V	72-VFQFPN (10x10)	예/아니오	Rohs3 준수	3 (168 시간)	800-8A34002E-003NLG	1
9FGL6251AP302NDGI	3.3241	RFQ	8756	Renesas Electronics America Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	28-vfqfn 노출 패드			예	PCI Express (PCIE)	시계, 크리스탈	HCSL, LVCMOS	1	3 : 3	예/예	100MHz		28-VFQFPN (4x4)		Rohs3 준수		800-9FGL6251AP302NDGI	490
9DBL0253ANLGI	2.1141	RFQ	2804	Renesas Electronics America Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-vfqfn 노출 패드			예 예 패스로	PCI Express (PCIE)	시계	HCSL	1	1 : 2	예/예	200MHz	3.135V ~ 3.465V	32-VFQFPN (5x5)		Rohs3 준수	1 (무제한)	800-9DBL0253ANLGI	490
M3008316035NX0ITBR	23.9533	RFQ	1447	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		MRAM (자기 램)									2.7V ~ 3.6V	54-tsop		Rohs3 준수		800-M3008316035NX0ITBRTR	1																						비 비	8mbit	35 ns	숫양	512k x 16	평행한	35ns
GX39221-DNT	119.3692	RFQ	8850	Renesas Electronics America Inc	-	쟁반	활동적인																	Rohs3 준수		800-GX39221-DNT	110
rc38612axxxgn2#bb0	49.3485	RFQ	3882	Renesas Electronics America Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	72-vfqfn 노출 패드			예	이더넷, Sonet/SDH		CML, HCSL, HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, SSTL	1		예/예	1GHz	1.71V ~ 3.465V	72-VFQFPN (10x10)		Rohs3 준수		800-rc38612axxxgn2#bb0	1
9DMV0141BKILFT	2.5595	RFQ	5044	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-vfqfn 노출 패드			예	PCI Express (PCIE)	시계, HCSL	HCSL	1	2 : 1	예/예	200MHz	1.7V ~ 1.9V	16-VFQFPN (3x3)		Rohs3 준수	3 (168 시간)	800-9DMV0141BKILFTTR	1
RC22312A002GN1#BB0	25.0333	RFQ	3497	Renesas Electronics America Inc	-	쟁반	활동적인																	Rohs3 준수		800-RC22312A002GN1#BB0	1
9FGV1001CQ506LTGI	6.1296	RFQ	7965	Renesas Electronics America Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-lflga 노출 ga			예	이더넷, PCI Express (PCIE)	HCSL, LVCMOS, LVDS, Crystal	CML, HCSL, LP-HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL	1	1 : 6	아니오/예	325MHz	1.71V ~ 3.465V	24-LGA (4x4)		Rohs3 준수	3 (168 시간)	800-9FGV1001CQ506LTGI	490
551spggi8	2.1600	RFQ	6347	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	시계 시계				시계	시계	1	1 : 4	아니오/아니요	200MHz	1.71V ~ 1.89V, 2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V	8-tssop		Rohs3 준수	1 (무제한)		2,500
9DBL0243ANLGI	2.1141	RFQ	9385	Renesas Electronics America Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-vfqfn 노출 패드			예 예 패스로	PCI Express (PCIE)	시계	HCSL	1	1 : 2	예/예	200MHz	3.135V ~ 3.465V	24-QFN (4x4)		Rohs3 준수	1 (무제한)	800-9DBL0243ANLGI	490
9QXL2001CNHGI8	3.3269	RFQ	5139	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	80-vfqfn 듀얼 행 행, 노출 된 패드			예	PCI Express (PCIE)	HCSL	HCSL	1	1:20	예/예	400MHz	2.97V ~ 3.63V	80-gqfn (6x6)		Rohs3 준수		800-9QXL2001CNHGI8TR	1
R1RP0416DSB-0PI#D1	6.2000	RFQ	8765	Renesas Electronics America Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		sram- 비동기									4.5V ~ 5.5V	44-TSOP II		Rohs3 준수	3 (168 시간)	559-R1RP0416DSB-0PI#D1	135																						휘발성 휘발성	4mbit	10 ns	SRAM	256k x 16	평행한	10ns
R1RW0416DSB-0PI#D1	6.2000	RFQ	3945	Renesas Electronics America Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		sram- 비동기									3V ~ 3.6V	44-TSOP II		Rohs3 준수	3 (168 시간)	559-R1RW0416DSB-0PI#D1	135																						휘발성 휘발성	4mbit	10 ns	SRAM	256k x 16	평행한	10ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (86038)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²