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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	빈도	기술	전류 - 공급	전압- 최대 (입력)	출력 출력	sic 프로그램 가능	pll	주요 주요	입력	산출	회로 회로	비율 - 출력 : 입력	차동 - 출력 : 입력	주파수 - 최대	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	분배기/승수	세다	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	구성	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	데이터 데이터	인터페이스	코어/너비 버스 수	공동 공동/dsp	램 램	그래픽 그래픽	디스플레이 디스플레이 인터페이스 및	이더넷	사타	USB	전압 -i/o	보안 보안	추가 추가	출력 출력	작은 작은	탭 탭	저항 (옴)	메모리 메모리	온도 온도 (계수)	짐	메모리 메모리	다시 다시	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	채널 채널	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	토폴로지	주파수 - 스위칭	제어 제어	출력 출력	출력 출력	듀티 듀티 (사이클)	동기 동기	클록 클록	직렬 직렬	현재 - 출력	구동 구동	드라이버 드라이버	게이트 게이트	논리 논리 - vil, vih	현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크)	상승 / 시간 낙하 (타이핑)	높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)	모니터링되는 모니터링되는 수	전압 - 값 임계	시간 시간 재설정합니다	전압- 최소 (출력/고정)	전압- 최대 (출력)	규제 규제 수	전압 전압 아웃 (최대)	PSRR	보호 보호
9DB433AFLF	3.6172	RFQ	3542	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	활동적인		0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	28-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			9DB433							확인되지 확인되지	예	PCI Express (PCIE)	시계	HCSL	1	1 : 4	예/예	166MHz	3.135V ~ 3.465V	28-SSOP	다운로드			Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	47
70v37l15pf	-	RFQ	7196	Renesas Electronics America Inc	-	쟁반	쓸모없는		0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp			70V37L			sram-이중-, 비동기													3V ~ 3.6V	100-TQFP (14x14)	다운로드			rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2B	8542.32.0041	6																																	휘발성 휘발성			576kbit			15 ns								SRAM	32k x 18	평행한	15ns
8N3SV76KC-0130CDI8	-	RFQ	8462	Renesas Electronics America Inc	FEMTOCLOCK® NG	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-Clcc	VCXO		8N3SV76		174.8MHz		130 MA												3.135V ~ 3.465V	6-CLCC (7x5)	다운로드		-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
8N4SV75LC-0122CDI	-	RFQ	2821	Renesas Electronics America Inc	FEMTOCLOCK® NG	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-Clcc	VCXO		8N4SV75		320MHz		136 MA												2.375V ~ 2.625V	6-CLCC (7x5)	다운로드		-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	364
8N3SV76FC-0055CDI	-	RFQ	9432	Renesas Electronics America Inc	FEMTOCLOCK® NG	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-Clcc	VCXO		8N3SV76		156.25MHz		120 MA												2.375V ~ 2.625V	6-CLCC (7x5)	다운로드		-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	364
ISL9011AirKJZ	1.1857	RFQ	6312	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	10-vfdfn 노출 패드			ISL9011					6.5V	결정된											10-DFN (3x3)	다운로드			Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100																																						40 µA		60 µA													할 할있게 수	긍정적인						150ma, 300ma											2.85V, 2.8V	-	2	0.2v @ 150ma, 0.4V @ 300ma	-	"
IDT23S08-2DC8	-	RFQ	7978	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	클럭 클럭, 승수 지연 버퍼		IDT23S08-2								예 예 패스로		lvttl	CMOS, LVTTL	1	1 : 8	아니오/아니요	133.3MHz	3V ~ 3.6V	16-	다운로드	예/예		rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	23S08-2DC8	귀 99	8542.39.0001	2,500
x9318ws8i	-	RFQ	1391	Renesas Electronics America Inc	XDCP ™	튜브	쓸모없는	± 20%	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	x9318							확인되지 확인되지					1				5V	8-SOIC	다운로드			rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100		전위차계															UP/DOWN (U/D, Inc, CS)													선의	100	10k	비 비	± 300ppm/° C	40
R7F7010573AFE-C#KA4	-	RFQ	8782	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인							R7F7010573																		-					영향을받지 영향을받지	559-R7F7010573AFE-C#KA4TR			400
8N4SV75LC-0158CDI8	-	RFQ	3554	Renesas Electronics America Inc	FEMTOCLOCK® NG	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-Clcc	VCXO		8N4SV75		166.62875MHz		136 MA												2.375V ~ 2.625V	6-CLCC (7x5)	다운로드		-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
MK1493-05GILF	-	RFQ	7722	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			MK1493-05							확인되지 확인되지	예	CPU u	시계	HCSL	1	1 : 1	아니오/예	100MHz	3.135V ~ 3.465V	16-TSSOP	다운로드				1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	96
8N4Q001KG-0040CDI	-	RFQ	1270	Renesas Electronics America Inc	FEMTOCLOCK® NG	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	10-Clcc	클럭 클럭		8N4Q001		622.08MHz, 669.3266MHz, 622.08MHz, 669.3266MHz		160 MA												3.135V ~ 3.465V	10-CLCC (7x5)	다운로드		-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	364
IDT79R3041-33J	-	RFQ	4200	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는		0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	84-LCC (J-Lead)			IDT79R3041																	84-PLCC (29.31x29.31)	다운로드			rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	79R3041-33J	3A991A2	8542.31.0001	15				MIPS-I		33MHz												1 비트, 32 코어	시스템 시스템; CP0	음주	아니요	-	-	-	-	5.0V	-	-
ISL6612Airz-T	-	RFQ	9268	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	10-vfdfn 노출 패드			ISL6612	비 비						확인되지 확인되지									10.8V ~ 13.2v	10-DFN (3x3)	다운로드			Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	6,000																																														동기															하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	-	1.25A, 2A	26ns, 18ns	36 v
5p49ee502-128ndg	-	RFQ	9337	Renesas Electronics America Inc	-	대부분	쓸모없는														확인되지 확인되지											-						800-5p49ee502-128ndg	쓸모없는		1
ISL6605CB	-	RFQ	2978	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는		0 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			ISL6605	비 비						확인되지 확인되지									4.5V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드			rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	98																																														동기															하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	1V, 2V	2A, 2A	8ns, 8ns	33 v
8N4DV85AC-0091CDI	-	RFQ	2741	Renesas Electronics America Inc	FEMTOCLOCK® NG	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-Clcc	VCXO		8N4DV85		70.656MHz, 35.328MHz		140 MA												3.135V ~ 3.465V	6-CLCC (7x5)	다운로드		-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	364
70V24L25J	-	RFQ	8082	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는		0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	84-LCC (J-Lead)			70V24L			sram-이중-, 비동기													3V ~ 3.6V	84-PLCC (29.31x29.31)	다운로드			rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0041	15																																	휘발성 휘발성			64kbit			25 ns								SRAM	4K X 16	평행한	25ns
8N3Q001KG-0039CDI	-	RFQ	1316	Renesas Electronics America Inc	FEMTOCLOCK® NG	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	10-Clcc	클럭 클럭		8N3Q001		148.5MHz, 125MHz, 200MHz, 100MHz		140 MA												3.135V ~ 3.465V	10-CLCC (7x5)	다운로드		-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	364
X40414S8-CT1	-	RFQ	1393	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	다중 다중 감독자		x40414											열린 열린, 배수구 풀						8-SOIC	다운로드			rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500																																					활성 활성/높은 낮음																															2	1V, 2.9V	조정 조정/가능 가능
UPD44165092BF5-E40-EQ3-A	37.1700	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인																									다운로드			Rohs3 준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1
IDT7164S35YGI8	-	RFQ	6582	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비)			IDT7164			sram- 비동기													4.5V ~ 5.5V	28-SOJ	다운로드				1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	7164S35YGI8	귀 99	8542.32.0041	1,000																																	휘발성 휘발성			64kbit			35 ns								SRAM	8k x 8	평행한	35ns
72420L25TP	-	RFQ	2708	Renesas Electronics America Inc	7200	튜브	쓸모없는		0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	28-DIP (0.300 ", 7.62mm)			72420							확인되지 확인되지									4.5 V ~ 5.5 v	28-PDIP	다운로드			rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	14	동기															40MHz																				512 (64 x 8)			15ns	40ma	단방향	깊이, 너비	아니요	아니요	아니요
HA17431VPJ-TZ-E	1.7300	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인																									-			적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
8N0Q001KH-0094CDI8	-	RFQ	6975	Renesas Electronics America Inc	FEMTOCLOCK® NG	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	10-Clcc	클럭 클럭		8N0Q001		20MHz, 44.736MHz, 51.84MHz, 125MHz		140 MA												3.135V ~ 3.465V	10-CLCC (7x5)	다운로드		-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
R7FA2E1A92DFM#AA0	3.0000	RFQ	387	Renesas Electronics America Inc	RA2E1	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-LQFP			R7FA2E1																	64-LFQFP (10x10)	-			Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		5A992C	8542.31.0001	160			40	ARM® Cortex®-M23	32 비트 싱글 비트	48MHz	I²C, SPI, UART/USART	DMA, LVD, POR, PWM, WDT	128KB (128k x 8)	플래시	4K X 8	16k x 8	1.6V ~ 5.5V	A/D 13x12b SAR	외부
ISL6754AAZA-T	-	RFQ	8555	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)			ISL6754						트랜지스터 트랜지스터											20-QSOP	다운로드			Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	스텝 스텝/업 다운												9V ~ 16V																1																						풀 풀	2MHz	주파수 주파수, 제어, 소프트 스타트	긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다	1	99%	예	아니요	-
8N3QV01FG-1018CDI8	-	RFQ	6797	Renesas Electronics America Inc	FEMTOCLOCK® NG	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	10-Clcc	VCXO		8N3QV01		212.5MHz, 250MHz, 300MHz, 312.5MHz		145 MA												2.375V ~ 2.625V	10-CLCC (7x5)	다운로드		-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
70V05S25pfi	-	RFQ	8477	Renesas Electronics America Inc	-	쟁반	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-LQFP			70v05			sram-이중-, 비동기													3V ~ 3.6V	64-TQFP (14x14)	-			rohs 비준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0041	90																																	휘발성 휘발성			64kbit			25 ns								SRAM	8k x 8	평행한	25ns
R5F563NKDDFC#V0	19.0608	RFQ	1357	Renesas Electronics America Inc	RX600	쟁반	새로운 새로운 아닙니다		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	176-LQFP			R5F563																	176-LFQFP (24x24)	다운로드			Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991A2	8542.31.0001	40			133	RX	32 비트 싱글 비트	100MHz	Canbus, Ebi/Emi, 이더넷, I²C, Linbus, Sci, Spi, USB	DMA, LVD, POR, PWM, WDT	2MB (2m x 8)	플래시	32k x 8	192k x 8	2.7V ~ 3.6V	A/D 8x10b, 21x12b; d/a 2x10b	내부

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (86038)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²