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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전류 - 공급 전압 - 입력 전압- 최대 (입력) 출력 출력 방향 sic 프로그램 가능 pll 입력 산출 회로 회로 비율 - 출력 : 입력 차동 - 출력 : 입력 주파수 - 최대 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 분배기/승수 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 기능 현재 -Quiescent (최대) 현재 - 채널 / 출력 입력 입력 전압- v (VCC/VDD) 인터페이스 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 다시 다시 타이밍 카운트 카운트 트리거 트리거 cl 현재 -Quiescent (iq) 현재 -공급 (max) 입력 입력 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음 슈미트 슈미트 입력 채널 채널 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 출력 출력 내부 내부 전압 - 고장 토폴로지 전압 - 시작 듀티 듀티 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 출력 출력 현재 - 출력 로드로드 RDS ON (TYP) 전류 - 출력 피크 전압 - 하중 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 방법 현재 - 시작 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
FAN1100-F085 onsemi FAN1100-F085 5.0100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) fan1100 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 28V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 IGBT 1.2V, 2V - -
MC33232PG onsemi MC33232PG -
RFQ
ECAD 6518 0.00000000 온세미 SmartMos® 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) MC33232 12V ~ 25V 8-PDIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 - 중요한 중요한 (CRM) 50 µA
MC79L12ACDR2G onsemi MC79L12ACDR2G 0.4400
RFQ
ECAD 30 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MC79L12 -35V 결정된 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - 부정적인 100ma -12V - 1 1.7v @ 40ma (유형) 42db (120Hz) 온도, 회로 단락
MC100LVEL37DWR2 onsemi MC100LVEL37DWR2 3.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 팬 팬 버퍼 (분포), 분배기, 멀티플렉서 MC100LV 2 : 4 20- - rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
MC74HCT14AF onsemi MC74HCT14AF 0.0800
RFQ
ECAD 7921 0.00000000 온세미 74hct 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 슈미트 슈미트 74HCT14 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 xnor (독점 독점 아니오) 4MA, 4MA 1 µA 2 32ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 0.6V 1.9V ~ 2.1V
NLV7SZ98DFT2G onsemi NLV7SZ98DFT2G -
RFQ
ECAD 7000 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100, 7SZ 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 7SZ98 단일 단일 1 1.65V ~ 5.5V SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 구성 구성 다중 가능한 32MA, 32MA 3
MC74F245ML1 onsemi MC74F245ML1 -
RFQ
ECAD 7197 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1,000
MM74HC4020N onsemi MM74HC4020N -
RFQ
ECAD 2120 0.00000000 온세미 74HC 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) 74HC4020 위로 2 V ~ 6 v 16-PDIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 이진 이진 1 14 비동기 - 50MHz 부정적인 부정적인
MC79L15ABDG onsemi MC79L15ABDG -
RFQ
ECAD 4548 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MC79L15 -35V 결정된 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 98 - 부정적인 100ma -15V - 1 1.7v @ 40ma (유형) 39dB (120Hz) 온도, 회로 단락
NCP12510BSN100T1G onsemi NCP12510BSN100T1G 0.7100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 NCP12510 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 8.9V ~ 35V 외딴 아니요 - 플라이백 18 v 80% 100kHz 전력, 전압, 온도, 단락 -
MC74HCT374AFEL onsemi MC74HCT374AFEL 0.1700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 74hct 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) D- 타입 74HCT374 트라이 트라이, 스테이트 반전 4.5V ~ 5.5V 20- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 1 8 6MA, 6MA 기준 30MHz 긍정적 긍정적 가장자리 31ns @ 5V, 50pf 4 µA 10 pf
NCP301LSN21T1 onsemi NCP301LSN21T1 0.1400
RFQ
ECAD 29 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 NCP301 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 500
CAT25C64LI-G onsemi CAT25C64LI-G -
RFQ
ECAD 4343 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) CAT25C64 eeprom 1.8V ~ 5.5V 8-PDIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 50 10MHz 비 비 64kbit eeprom 8k x 8 SPI 5ms
NCP718ASN150T1G onsemi NCP718ASN150T1G 0.2318
RFQ
ECAD 9660 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 NCP718 24V 결정된 TSOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 8 µA 300 µA 소프트 소프트 긍정적인 300ma 1.5V - 1 - 60dB (1kHz) 현재, 이상 온도
NCP1117DT15G onsemi NCP1117DT15G -
RFQ
ECAD 1811 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NCP1117 20V 결정된 DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 10 MA - 긍정적인 1A 1.5V - 1 1.2v @ 800ma 72db (120Hz) 현재, 이상 온도
NB2308AI4D onsemi NB2308AI4D -
RFQ
ECAD 3131 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 제로 제로 버퍼 NB2308 예 예 패스로 시계 시계 1 1 : 8 아니오/아니요 133.3MHz 3V ~ 3.6V 16- 다운로드 아니오/예 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 48
MC74HC1G04DFT1G-L22038 onsemi MC74HC1G04DFT1G-L22038 0.2900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 온세미 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74HC1G04 1 2V ~ 6V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 2.6MA, 2.6MA 1 µA 1 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
NCP10970A1DR2G onsemi NCP10970A1DR2G 2.1700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 조명 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비), 15 개의 리드 NCP10970 340µA 7V ~ 9.5V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 488-NCP10970A1DR2GTR 귀 99 8542.39.0001 2,500
NCV8502PDW50G onsemi NCV8502PDW50G -
RFQ
ECAD 9968 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 노출 패드 NCV8502 45V 결정된 16- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 47 125 µA 19 MA 활성화, 재설정 긍정적인 150ma 5V - 1 0.6V @ 150ma - 온도, 극성 역, 단락
MC78L12ACPRPG onsemi MC78L12ACPRPG 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 0 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) MC78L12 35V 결정된 TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 6.5 MA - 긍정적인 100ma 12V - 1 - 42db (120Hz) 온도, 회로 단락
MC74HC1G04DBVT1G onsemi MC74HC1G04DBVT1G 0.3800
RFQ
ECAD 2138 0.00000000 온세미 74HC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 74HC1G04 1 2V ~ 6V SC-74A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 2.6MA, 2.6MA 1 µA 1 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
MC74VHC4316DR2 onsemi MC74VHC4316DR2 0.1200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 74VHC4316 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500
KA3882CDTF onsemi KA3882CDTF -
RFQ
ECAD 2977 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) KA3882 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 10V ~ 30V - 아니요 - 플라이백 16 v 96% 500kHz 현재 현재 주파수 주파수
STK760-712A-E onsemi STK760-712A-E -
RFQ
ECAD 3672 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - - - STK760 - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 8 - -
MAX809SQ263T1G onsemi MAX809SQ263T1G 0.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 간단한 간단한/재설정 재설정 MAX809 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-70-3 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.63V 140ms
TND524VS-TL-H onsemi TND524VS-TL-H -
RFQ
ECAD 1316 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 8-smd,, 리드 - TND524 MOSFET 10V ~ 20V 8-VEC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 온/꺼짐 - 반 반 유도 유도 - 200ma, 400ma 600V (최대)
NCP362CMUTBG onsemi NCP362CMUTBG -
RFQ
ECAD 9738 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 과전압 과전압 컨트롤러 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 NCP362 20 µA - 확인되지 확인되지 1.2V ~ 20V 10-udfn (2.5x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000
MC100LVEP111MNRG onsemi MC100LVEP111MNRG 8.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 100lvep 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 32-vfqfn 노출 패드 팬 팬 버퍼 (배포 배포), 멀티플렉서 MC100 ECL, HSTL, LVDS, PECL ECL, PECL 1 2:10 예/예 3GHz 2.375V ~ 3.8V 32-QFN (5x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
NCP51530BDR2G onsemi NCP51530BDR2G 2.4800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 범용 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 부트 부트 회로 NCP51530 MOSFET 10V ~ 17V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 2A 논리, pwm UVLO 하프 하프 (2) 유도 유도, 성 성 - 2.2A 700V
NCP302LSN14T1 onsemi NCP302LSN14T1 0.1400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 간단한 간단한/재설정 재설정 NCP302 푸시 푸시, 풀 기둥 5-TSP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 활성 활성 1 1.4V 조정 조정/가능 가능
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고