SIC
close

통합 통합 (ICS) (35638)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전류 - 공급 전압 - 입력 채널 채널 전압- 최대 (입력) 출력 출력 방향 온도 온도 sic 프로그램 가능 산출 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 기능 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) 현재 -Quiescent (최대) 슬림 슬림 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 입력 입력 참조 참조 전압- v (VCC/VDD) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 인터페이스 전원 (와트) 시계 시계 출력 출력 메모리 메모리 전압 전압 메모리 메모리 다시 다시 타이밍 카운트 카운트 트리거 트리거 cl 현재 -Quiescent (iq) 액세스 액세스 현재 -공급 (max) 입력 입력 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음 회로 독립 독립 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 출력 출력 내부 내부 전압 - 고장 토폴로지 전압 - 시작 듀티 듀티 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 RDS ON (TYP) 전류 - 출력 피크 전압 - 하중 모터 모터 - 타입 모터 모터 -AC, DC 단계 단계 방법 현재 - 시작 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 노이즈 -0.1Hz ~ 10Hz -10Hz ~ 10kHz 전류 - 음극 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
MC74VHC02DR2 onsemi MC74VHC02DR2 -
RFQ
 ECAD 2110 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74VHC02 4 2V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 게이트도 8ma, 8ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
CAT24C16WI-GT3 onsemi CAT24C16WI-GT3 0.2700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) CAT24C16 eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 비 비 16kbit 900 ns eeprom 2k x 8 i²c 5ms
NCV7519MWTXG onsemi NCV7519MWTXG -
RFQ
 ECAD 6827 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100, FlexMOS ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 자동차 표면 표면 32-vfqfn 노출 패드 NCV7519 NMOS 4.75 ~ 5.25V 32-QFN (5x5) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 컨트롤러 - 방향, 정류 관리 Spi, 평행 사전 사전 - 드라이버 사이드 (6) - - - 브러시 브러시 DC -
FAN7930M onsemi fan7930m -
RFQ
 ECAD 7023 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FAN7930 13V ~ 20V 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 250kHz ~ 350kHz 중요한 중요한 (CRM) 120 µA
TL431AIDG onsemi TL431AIDG 0.5100
RFQ
 ECAD 5044 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 ± 1% -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TL431 - - 조절할 조절할있는 50ppm/° C 전형 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 98 분로 100 MA 2.495V - - 1 MA 36 v
NCP1587ADR2G onsemi NCP1587ADR2G 0.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NCP1587 트랜지스터 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 뿌리 뿌리 4.5V ~ 13.2V 1 책임 200kHz 활성화, 제어 위상 긍정적인 1 75% 예 아니요 -
NLU2GU04AMX1TCG onsemi NLU2GU04AMX1TCG -
RFQ
 ECAD 2818 0.00000000 온세미 Minigate ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-XFLGA - NLU2GU04 2 1.65V ~ 5.5V 6- 룰가 (1.45x1) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 2 7NS @ 5V, 50pf - -
MC74HC1G00DTT1G onsemi MC74HC1G00DTT1G 0.4500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 온세미 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 - 74HC1G00 1 2V ~ 6V 5-TSP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 2.6MA, 2.6MA 1 µA 2 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74VHC245MTCX onsemi 74VHC245MTCX 0.8500
RFQ
 ECAD 139 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74VHC245 - 3 국가 2V ~ 5.5V 20-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 트랜시버, 반전 비 1 8 8ma, 8ma
MC14516BDR2G onsemi MC14516BDR2G 0.8400
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 온세미 4000B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MC14516 위로, 아래로 3 V ~ 18 v 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 이진 이진 1 4 비동기 동기 8 MHz 긍정적 긍정적 가장자리
74LVTH16374MEA onsemi 74LVTH16374MEA -
RFQ
 ECAD 3583 0.00000000 온세미 74lvth 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비) D- 타입 74LVTH16374 트라이 트라이, 스테이트 반전 2.7V ~ 3.6V 48-ssop - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 29 2 8 32MA, 64MA 기준 160MHz 긍정적 긍정적 가장자리 4.5ns @ 3.3v, 50pf 190 µA 4 pf
NLAS7222BMUTAG onsemi NLAS7222BMUTAG 0.9500
RFQ
 ECAD 7241 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) USB 표면 표면 10-ufqfn USB 2.0 NLAS7222 1 10-uqfn (1.4x1.8) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 750MHz DPDT - 12ohm 3V ~ 3.6V -
MC100E171FN onsemi MC100E171FN -
RFQ
 ECAD 1698 0.00000000 온세미 100e 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 28-LCC (J-Lead) 차동 차동 멀티플렉서 100E171 4.2V ~ 5.5V, -4.2V ~ -5.5V 28-PLCC (11.51x11.51) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 37 - 이중 이중 3 x 4 : 1 1
74LVT2244SJX onsemi 74LVT2244SJX -
RFQ
 ECAD 2623 0.00000000 온세미 74LVT 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 74LVT2244 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 20-SOP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 버퍼, 반전 비 2 4 12MA, 12MA
LB11696V-TRM-E onsemi LB11696V-TRM-E -
RFQ
 ECAD 4324 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 100 ° C (TA) 범용 표면 표면 30-LSSOP (0.220 ", 5.60mm 너비) LB11696 양극성 4.5V ~ 5.5V, 8V ~ 17V 30-SSOP - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 컨트롤러 - 방향, 정류 관리 PWM 사전 사전 - 드라이버 브리지 브리지 (3) - - - DC (BLDC) -
LA5797MC-BH onsemi LA5797MC-BH -
RFQ
 ECAD 1888 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 90 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LA5797 28V 조절할 조절할있는 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 스텝 스텝 1 충전 충전 140kHz 긍정적인 아니요 - 7.5V 28V 7.5V
74LCXR2245MTC onsemi 74LCXR2245MTC -
RFQ
 ECAD 5764 0.00000000 온세미 74lcxr 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74LCXR2245 - 3 국가 2V ~ 3.6V 20-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,825 트랜시버, 반전 비 1 8 12MA, 12MA
CS8129YTVA5G onsemi CS8129YTVA5G -
RFQ
 ECAD 1955 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-5 5 된 리드 CS8129 26V 결정된 TO-220-5 5 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 70 MA 100 MA 다시 다시 긍정적인 750ma 5V - 1 0.6V @ 500ma 75dB (120Hz) 온도, 극성 역, 단락
MC74HCT163AN onsemi MC74HCT163AN -
RFQ
 ECAD 7251 0.00000000 온세미 74hct 대부분 활동적인 74HCT163 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1
FSDL0365RNB onsemi FSDL0365RNB -
RFQ
 ECAD 7901 0.00000000 온세미 FPS ™ 가방 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) FSDL0365 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 8V ~ 20V 30 w 외딴 예 650V 플라이백 12 v 77% 50kHz 전류 전류, 제한 하중, 온도 오버 전압 -
NE592D14 onsemi NE592D14 -
RFQ
 ECAD 1993 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 범용 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NE592 18 MA 미분 1 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 55 ± 3V ~ 8V - 10 MA
CS8182DTG onsemi CS8182DTG -
RFQ
 ECAD 2936 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD CS8182 45V 조절할 조절할있는 DPAK-5 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 55 µA 25 MA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 추적 - 1 0.6V @ 200mA 60dB (120Hz) 온도, 극성 역, 단락
AMIS30624C6245G onsemi AMIS30624C6245G -
RFQ
 ECAD 9655 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 165 ° C (TJ) 범용 표면 표면 32-vqfn 노출 패드 AMIS30624 MOSFET 4.75V ~ 5.5V 32-NQFP (7x7) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 40 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 i²c 하프 하프 (4) 570ma 6.5V ~ 29V 양극성 - 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
KA431SLMFTF onsemi KA431SLMFTF 0.3900
RFQ
 ECAD 3883 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.5% -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 KA431 - - 조절할 조절할있는 50ppm/° C 전형 SOT-23F-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 분로 100 MA 2.495V - - 1 MA 36 v
CS1107EDFR8 onsemi CS1107EDFR8 -
RFQ
 ECAD 3891 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) CS1107 4.75V ~ 5.25V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 40ma - 500ma
FST3257MTC onsemi FST3257MTC -
RFQ
 ECAD 8193 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 멀티플렉서/demultiplexer FST3257 3V ~ 5.5V 16-TSSOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,350 - 단일 단일 4 x 2 : 1 1
N64S830HAS22I onsemi N64S830HAS22I 2.1200
RFQ
 ECAD 260 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) N64S830 SRAM 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 100 20MHz 휘발성 휘발성 64kbit SRAM 8k x 8 SPI -
CS51413GMNR2G onsemi CS51413GMNR2G -
RFQ
 ECAD 6184 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-vfdfn 노출 패드 CS51413 40V 조절할 조절할있는 18-DFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 뿌리 뿌리 1 책임 520kHz 긍정적인 아니요 1.5A 1.27V 38V 4.5V
SN74LS38D onsemi SN74LS38D 0.4900
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 온세미 74ls 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 오픈 오픈 74LS38 4 4.75V ~ 5.25V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 50 NAND 게이트 -, 24ma 2 MA 2 32ns @ 5v, 45pf 0.8V 2V
NCP308SN150T1G onsemi NCP308SN150T1G 1.0600
RFQ
 ECAD 2310 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 간단한 간단한/재설정 재설정 NCP308 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.5V 1.2S 전형
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다