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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전류 - 공급	채널 채널	전압- 최대 (입력)	명세서	출력 출력	sic 프로그램 가능	회로 회로	비율 - 출력 : 입력	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	슬림 슬림	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	입력 입력	전압 - 아날로그, 공급	전압 - 디지털, 공급	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	규약	드라이버/수 수신기	이중	수신기 수신기	데이터 데이터	load	인터페이스	전원 (와트)	출력 출력	컨트롤러 컨트롤러	메모리 메모리	메모리 메모리	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	채널 채널	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	출력 출력	내부 내부	전압 - 고장	토폴로지	전압 - 시작	듀티 듀티	주파수 - 스위칭	결함 결함	제어 제어	출력 출력	동기 동기	현재 - 출력	RDS ON (TYP)	전압 - 하중	구동 구동	드라이버 드라이버	게이트 게이트	논리 논리 - vil, vih	현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크)	상승 / 시간 낙하 (타이핑)	높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)	방법	현재 - 시작	스위치 스위치	현재- 최대 (출력)	전압- 최소 (출력/고정)	전압- 최대 (출력)	전압- 최소 (입력)	규제 규제 수	전압 전압 아웃 (최대)	PSRR	보호 보호
l5981tr	2.8700	RFQ	9710	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-vfdfn 노출 패드			L5981					18V		조절할 조절할있는					8-VFQFPN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	4,000			뿌리 뿌리																																		1																		책임			250kHz ~ 1MHz			긍정적인	아니요	1A														0.6V	18V	2.9V
TDA7338D	-	RFQ	1928	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는		-	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	오디오 오디오		TDA7338												20- 의자	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	40														-	7.5V ~ 10.2V
STM32L151CBT6	7.6900	RFQ	2303	stmicroelectronics	STM32L1	쟁반	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-LQFP			STM32L151												48-LQFP (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	497-11191	3A991A2	8542.31.0001	250																37	ARM® Cortex®-M3	32 비트 싱글 비트	32MHz	I²C, Irda, Linbus, SPI, UART/USART, USB	"	128KB (128k x 8)	플래시	4K X 8	16k x 8	1.8V ~ 3.6V	A/D 16x12b; d/a 2x12b	내부
ST26C32ABDR	2.1200	RFQ	8	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	수화기		ST26C32											4.5V ~ 5.5V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500																													RS422, RS423	0/4	-	60 MV	20Mbps
LF25ABDT- 트리	1.5600	RFQ	1	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			LF25					16V		결정된					DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500																																										2 MA		12 MA																-	긍정적인		500ma														2.5V	-		1	1.3V @ 500MA	82dB ~ 65dB (120Hz ~ 10kHz)	현재, 이상 온도
STSPIN32F0602QTR	4.1051	RFQ	7466	stmicroelectronics	STSPIN32F060X	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	가정 가정 산업	표면 표면	72-vfqfn 노출 패드														9V ~ 20V	72-QFN (10x10)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	497-STSPIN32F0602QTR			1,500																21	ARM® Cortex®-M0						플래시 (32KB)		4K X 8										I²C, SPI, UART/USART			STM32F031X6X7
stm8af6213pcax	1.1337	RFQ	3337	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q100, STM8A	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			STM8												20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.31.0001	2,500																16	STM8A	8 비트	16MHz	I²C, Linbus, SPI, UART/USART	브라운 브라운 감지/재설정, por, pwm, wdt	4KB (4K X 8)	플래시	640 x 8	1K X 8	3V ~ 5.5V	A/D 7X10B	내부
M48Z02-200pc1	-	RFQ	4884	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		구멍을 구멍을	24-DIP 0. (0.600 ", 15.24mm)			M48Z02		nvsram (r 휘발성 sram)									4.75V ~ 5.5V	24-PCDIP, CAPHAT®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0041	14																																							비 비	16kbit			200 ns					nvsram	2k x 8	평행한	200ns
STM32L152VBT6ATR	8.6000	RFQ	2351	stmicroelectronics	STM32L1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	100-lqfp			STM32L152												100-LQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991A2	8542.31.0001	1,000																83	ARM® Cortex®-M3	32 비트 싱글 비트	32MHz	I²C, Irda, Linbus, SPI, UART/USART, USB	"	128KB (128k x 8)	플래시	4K X 8	32k x 8	1.8V ~ 3.6V	A/D 24x12b; d/a 2x12b	내부
L6564H	1.6600	RFQ	6282	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인	-25 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			L6564											10.3V ~ 22.5V	14-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50																																																										-															불연속 (전환)	90 µA
tsh24idt	2.8300	RFQ	97	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TSH24			2.15MA				-		4			14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500					15V/µs	37 MA	범용	25MHz	100 NA	2.5 MV	3 v	30 v
stm32u575zit6tr	10.1809	RFQ	2408	stmicroelectronics	STM32U5	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	144-LQFP															144-LQFP (20x20)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	497-STM32U575ZIT6TR			500																114	ARM® Cortex®-M33	32 비트	160MHz	Canbus, I²C, Irda, Linbus, MMC/SD/SDIO, SAI, SmartCard, SPDIF, SPI, UART/USART, USB, USB OTG	"	2MB (2m x 8)	플래시	-	784K x 8	1.71V ~ 3.6V	A/D 24x12/14B SAR; d/a 2x12b	외부, 내부
STM32G431K6U3	3.4607	RFQ	4989	stmicroelectronics	STM32G4	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	32-ufqfn 노출 패드			STM32G431												32-UFQFPN (5x5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	2,940																26	ARM® Cortex®-M4F	32 비트 싱글 비트	170MHz	Canbus, I²C, Irda, Linbus, SPI, UART/USART	브라운 브라운 브라운 감지/재설정, dma, i²s, por, pwm, wdt	32KB (32k x 8)	플래시	-	32k x 8	1.71V ~ 3.6V	A/D 11x12b; D/A 4x12b	내부
TSM1002DS	-	RFQ	8361	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인		-	구멍을 구멍을	-	-		TSM100												-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25
TL071ACDT	0.8300	RFQ	39	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL071			1.4ma				-		1			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500					16V/µs	40 MA	J-FET	4 MHz	20 PA	3 MV	6 v	36 v
L6392DTR	2.3400	RFQ	9315	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			L6392	비 비							확인되지 확인되지			12.5V ~ 20V	14-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500																																															독립적인																			하프 하프	2	IGBT, N-, MOSFET	1.1V, 1.9V	290ma, 430ma	75ns, 35ns	600 v
TSV522AIQ2T	1.7300	RFQ	7	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-ufdfn 노출 패드			TSV522			45µA (x2 채널)				철도 철도 레일		2			8-DFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000					0.89V/µs	55 MA	CMOS	1.15MHz	1 PA	600 µV	2.7 v	5.5 v
MC4558CD	-	RFQ	3888	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MC4558			2.3ma				-		2			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100					2.2V/µs	20 MA	범용	5.5MHz	50 NA	1 MV	4 v	40 v
VN920-E	-	RFQ	2683	stmicroelectronics	vipower ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	펜타 와트 -5 (-, 구부러짐 및 및 비틀 거리는 리드)		자동 자동	VN920	비 비						n 채널			1 : 1		5 펜타 와트	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50																										필요하지 필요하지									온/꺼짐		1																						전류 전류 (제한), 온도, 전압		높은 높은			16mohm (h)	5.5V ~ 36V										범용	30A
viper25hd	0.6290	RFQ	3778	stmicroelectronics	VIPER ™ ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			viper25												16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000																										8.5V ~ 23.5V										20 W.																외딴	예	800V	플라이백	14 v	-	225kHz	전류 전류, 제한 초과 전압	-
TDA2030H	-	RFQ	1023	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	펜타 와트 -5 (-, 구부러진 및 및 비틀 거리는 리드)	AB	단락 단락 열 및	TDA2030							1 채널 (모노)				12V ~ 36V, ± 6V ~ 18V	5 펜타 와트	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50																																		18W x 1 @ 4ohm
MC33174DT	1.9000	RFQ	61	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MC33174			220µA				-		4			14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500					2V/µs	27 MA	범용	2.1 MHz	100 NA	1 MV	4 v	44 v
STA381BWSTR	6.6600	RFQ	7	stmicroelectronics	사운드 사운드 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	사전 사전	표면 표면	48-vfqfn 노출 패드			STA381				2		완전한 완전한 증폭					4.5V ~ 25.5V	48-VQFN (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	4,000			완전히 완전히 된 통합																																i²c, i²s
TS512IYDT	3.4100	RFQ	475	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TS512			500µA (x2 채널)				-		2			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500					1.5V/µs	23 MA	범용	3MHz	50 NA	500 µV	3 v	30 v
HCF4069UBEY	-	RFQ	2603	stmicroelectronics	4000B	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)		-	HCF4069									6		3V ~ 20V	14-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	인버터	6.8ma, 6.8ma		5 µA									1																												50ns @ 15V, 50pf				1V ~ 2.5V	4V ~ 12.5V
TS944IPT	2.9400	RFQ	7	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TS944			1.2µA (x4 채널)				철도 철도 레일		4			14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500					0.0045V/µs	5 MA	범용	10 kHz	1 PA	10 MV	2.5 v	10 v
TDA7261	-	RFQ	2574	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	짐	AB	데포, 단락, 음소거 및 열 보호 보호, 대기	TDA7261							1 채널 (모노)				10V ~ 45V, ± 5V ~ 22.5V	8-Multiwatt	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50																																		32w x 1 @ 8ohm
VB525SP-E	-	RFQ	8270	stmicroelectronics	vipower ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	Powerso-10 0 바닥 패드		상태 상태	VB525	비 비						양극성			1 : 1		10-Powerso	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50																										-									온/꺼짐		1																						전류 전류 (제한), 온도		낮은면			-	4.5V ~ 5.5V										범용	9a
ST3243EBTR	3.1100	RFQ	3	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	28-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	트랜시버		ST3243											3V ~ 5.5V	28-tssop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500																													RS232	3/5	가득한	500 MV	400kbps
LF253DT	1.6900	RFQ	2	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LF253			1.4ma (x2 ()				-		2			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500					16V/µs	40 MA	J-FET	4 MHz	20 PA	3 MV	6 v	36 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (16338)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²