SIC
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전력 전력 (PMIC) (311)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전압 - 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 채널 채널 감지 감지 정확성 현재 - 출력 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
IXCP10M35A IXYS IXCP10M35A -
RFQ
 ECAD 8761 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXCP10 - TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 10MA
IXCY10M45S IXYS ixcy10m45s 1.9750
RFQ
 ECAD 1379 0.00000000 ixys ixc 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXCY10 450V TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 70 현재 현재 기관 - - 100ma
IXDN502D1 IXYS IXDN502D1 -
RFQ
 ECAD 2602 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 IXDN502 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 6-DFN (4x5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 56 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 2A, 2A 7.5ns, 6.5ns
IXDF504D1T/R IXYS IXDF504D1T/R -
RFQ
 ECAD 4041 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 IXDF504 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 6-DFN (4x5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
IXCY02M35A IXYS IXCY02M35A -
RFQ
 ECAD 3278 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXCY02 - TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 2MA
IXCY50M35 IXYS ixcy50m35 -
RFQ
 ECAD 6452 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ixcy50 - TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 50ma
IXDN402SIA IXYS IXDN402SIA -
RFQ
 ECAD 9854 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDN402 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 94 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 2A, 2A 8ns, 8ns
IXDN430MYI IXYS ixdn430myi -
RFQ
 ECAD 8710 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA IXDN430 비 비 확인되지 확인되지 8.5V ~ 35V TO-263-5 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q1952551 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3.5V 30A, 30A 18ns, 16ns
IX2R11M6 IXYS IX2R11m6 -
RFQ
 ECAD 2053 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-vdfn d 패드 IX2R11 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 35V 16MLP (7x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 6V, 9.5V 2A, 2A 8ns, 7ns 500 v
IXF611P1 IXYS IXF611P1 -
RFQ
 ECAD 3418 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXF611 - 확인되지 확인되지 - 8-DIP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 450 - - - - - -
IXDN504SIAT/R IXYS ixdn504siat/r -
RFQ
 ECAD 1822 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDN504 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
IXA531L4 IXYS IXA531L4 -
RFQ
 ECAD 2285 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 44-LCC (J-Lead) IXA531 반전 확인되지 확인되지 8V ~ 35V 44-PLCC (16.54x16.54) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 600ma, 600ma 125ns, 50ns 650 v
IXDD504SIA IXYS IXDD504SIA -
RFQ
 ECAD 6826 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDD504 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 94 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
IXCP10M35 IXYS IXCP10M35 -
RFQ
 ECAD 6377 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXCP10 - TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 10MA
IXE611S1 IXYS IXE611S1 -
RFQ
 ECAD 9107 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXE611 - 확인되지 확인되지 - 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 470 - - - - - -
IX4R11M6T/R IXYS ix4r11m6t/r -
RFQ
 ECAD 7060 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-vdfn d 패드 IX4R11 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 16MLP (7x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 6V, 7V 4a, 4a 23ns, 22ns 650 v
IXCY50M45 IXYS IXCY50M45 -
RFQ
 ECAD 6765 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ixcy50 - TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 50ma
IXDF504SIA IXYS IXDF504SIA -
RFQ
 ECAD 9731 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDF504 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 94 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
IXDI514D1T/R IXYS IXDI514D1T/R -
RFQ
 ECAD 9391 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 IXDI514 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 6-DFN (4x5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 1V, 2.5V 14a, 14a 25ns, 22ns
IXCY100M45 IXYS IXCY100M45 -
RFQ
 ECAD 5838 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXCY100 - TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 100ma
IXDD404SIA-16 IXYS IXDD404SIA-16 -
RFQ
 ECAD 8007 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IXDD404 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 16- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 46 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.5V 4a, 4a 16ns, 13ns
IXCY100M35 IXYS IXCY100M35 -
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXCY100 - TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 100ma
IX2D11P7 IXYS ix2d11p7 -
RFQ
 ECAD 7334 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) IX2D11 - 확인되지 확인되지 - 14-PDIP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 275 - - - - - -
IX4R11S3T/R IXYS ix4r11s3t/r -
RFQ
 ECAD 5718 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IX4R11 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 35V 16- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 6V, 7V 4a, 4a 23ns, 22ns 650 v
IXDN409SI IXYS IXDN409SI -
RFQ
 ECAD 4335 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDN409 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 94 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3.5V 9a, 9a 10ns, 10ns
IXCY20M45 IXYS IXCY20M45 -
RFQ
 ECAD 3476 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ixcy20 - TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 20MA
IXCP02M45 IXYS IXCP02M45 -
RFQ
 ECAD 1846 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXCP02 - TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 2MA
IXDI514PI IXYS IXDI514PI -
RFQ
 ECAD 1887 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDI514 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 1V, 2.5V 14a, 14a 25ns, 22ns
IXDI504PI IXYS IXDI504PI -
RFQ
 ECAD 6562 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDI504 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
IXDN504PI IXYS IXDN504PI -
RFQ
 ECAD 3750 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDN504 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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