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전력 전력 (PMIC) (311)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전압 - 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 채널 채널 감지 감지 정확성 현재 - 출력 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
IXDI514SIAT/R IXYS IXDI514SIAT/R -
RFQ
 ECAD 9456 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDI514 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 1V, 2.5V 14a, 14a 25ns, 22ns
IX2R11S3 IXYS IX2R11S3 -
RFQ
 ECAD 8645 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IX2R11 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 35V 16- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 276 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 6V, 9.6V 2A, 2A 8ns, 7ns 500 v
IX6R11M6T/R IXYS ix6r11m6t/r -
RFQ
 ECAD 9046 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-vdfn d 패드 IX6R11 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 35V 16MLP (7x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 6V, 9.5V - 25ns, 17ns 600 v
IXD611P7 IXYS IXD611P7 -
RFQ
 ECAD 8646 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXD611 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 35V 14-PDIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 400 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 2.4V, 2.7V 600ma, 600ma 28ns, 18ns 600 v
IXCY30M35 IXYS IXCY30M35 -
RFQ
 ECAD 9054 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXCY30 - TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 30ma
IXE611P1 IXYS IXE611P1 -
RFQ
 ECAD 1323 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXE611 - 확인되지 확인되지 - 8-DIP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 450 - - - - - -
IXH611S1T/R IXYS IXH611S1T/R -
RFQ
 ECAD 8925 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXH611 - 확인되지 확인되지 - 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - - - - - -
IXDD509SIAT/R IXYS ixdd509siat/r -
RFQ
 ECAD 6072 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDD509 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 9a, 9a 25ns, 23ns
IXCY50M35A IXYS ixcy50m35a -
RFQ
 ECAD 5078 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ixcy50 - TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 50ma
IXDE504D2T/R IXYS ixde504d2t/r -
RFQ
 ECAD 7255 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 IXDE504 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-DFN (4x5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
IXCP40M35 IXYS IXCP40M35 -
RFQ
 ECAD 2022 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXCP40 - TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 40ma
IXB611P1 IXYS IXB611P1 -
RFQ
 ECAD 1513 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXB611 - 확인되지 확인되지 - 8-DIP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 450 - - - - - -
IXDD514PI IXYS IXDD514PI -
RFQ
 ECAD 9692 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDD514 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 1V, 2.5V 14a, 14a 25ns, 22ns
IXS839BQ2T/R IXYS IXS839BQ2T/R -
RFQ
 ECAD 3258 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 IXS839 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 10-QFN (3x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 2A, 4A 20ns, 15ns 24 v
IXDD504SIAT/R IXYS ixdd504siat/r -
RFQ
 ECAD 2231 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 IXDD504 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC-EP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
IXCY60M35 IXYS IXCY60M35 -
RFQ
 ECAD 9021 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXCY60 - TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 60ma
IXCP02M45 IXYS IXCP02M45 -
RFQ
 ECAD 1846 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXCP02 - TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 2MA
IXDI504PI IXYS IXDI504PI -
RFQ
 ECAD 6562 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDI504 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
IXCY50M45 IXYS IXCY50M45 -
RFQ
 ECAD 6765 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ixcy50 - TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 50ma
IXCP100M45 IXYS IXCP100M45 -
RFQ
 ECAD 6729 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXCP100 - TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 100ma
IXC611S1 IXYS IXC611S1 -
RFQ
 ECAD 1613 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXC611 - 확인되지 확인되지 - 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 470 - - - - - -
IX4310N IXYS ix4310n 0.4023
RFQ
 ECAD 3999 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 ix4310 확인되지 확인되지 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IX4310N 100
IXDD504SIA IXYS IXDD504SIA -
RFQ
 ECAD 6826 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDD504 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 94 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
IXDI509SIAT/R IXYS ixdi509siat/r -
RFQ
 ECAD 3477 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDI509 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 9a, 9a 25ns, 23ns
IXCP20M45 IXYS IXCP20M45 -
RFQ
 ECAD 7989 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXCP20 - TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 20MA
IXCY10M35S IXYS ixcy10m35s -
RFQ
 ECAD 7465 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXCY10 - TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 10MA
IXDI509D1 IXYS IXDI509D1 -
RFQ
 ECAD 2241 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 IXDI509 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 6-DFN (4x5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 56 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 9a, 9a 25ns, 23ns
IXDI514PI IXYS IXDI514PI -
RFQ
 ECAD 1887 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDI514 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 1V, 2.5V 14a, 14a 25ns, 22ns
IXDN409PI IXYS IXDN409PI -
RFQ
 ECAD 2898 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDN409 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3.5V 9a, 9a 10ns, 10ns
IXDF504SIA IXYS IXDF504SIA -
RFQ
 ECAD 9731 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDF504 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 94 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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