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전력 전력 (PMIC) (311)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전류 - 공급 전압 - 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 채널 채널 감지 감지 정확성 현재 - 출력 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
IXDI504SIA IXYS IXDI504SIA -
RFQ
 ECAD 5492 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDI504 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 94 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
IXCP50M35A IXYS IXCP50M35A -
RFQ
 ECAD 6664 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXCP50 - TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 50ma
IXCY10M90S-TRL IXYS IXCY10M90S-TRL 5.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys ixc 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXCY10 900V TO-252AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 현재 현재 기관 - - 100ma
IXDF402SI IXYS IXDF402SI -
RFQ
 ECAD 4127 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDF402 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q2687800 귀 99 8541.29.0095 50 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 2A, 2A 8ns, 8ns
IX6611TR IXYS ix6611tr -
RFQ
 ECAD 5525 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 과전압, 보호 저전압 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ix6611 3MA 13V ~ 25V 16-SOIC-EP 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
IXDN514SIA IXYS IXDN514SIA -
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDN514 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 94 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 1V, 2.5V 14a, 14a 25ns, 22ns
IXCY10M35 IXYS ixcy10m35 -
RFQ
 ECAD 9089 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXCY10 - TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 10MA
IXDI509D1T/R IXYS ixdi509d1t/r -
RFQ
 ECAD 9676 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 IXDI509 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 6-DFN (4x5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 9a, 9a 25ns, 23ns
IX2C11S1 IXYS IX2C11S1 -
RFQ
 ECAD 4280 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IX2C11 - 확인되지 확인되지 - 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 282 - - - - - -
IXK611S1T/R IXYS IXK611S1T/R -
RFQ
 ECAD 6102 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXK611 - 확인되지 확인되지 - 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - - - - - -
IXDI504SIAT/R IXYS ixdi504siat/r -
RFQ
 ECAD 4594 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDI504 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
IXDD408YI IXYS IXDD408YI -
RFQ
 ECAD 6967 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA IXDD408 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 25V TO-263-5 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ixdd408yi-ndr 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3.5V 8a, 8a 14ns, 15ns
IXDF504D1 IXYS IXDF504D1 -
RFQ
 ECAD 4281 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 IXDF504 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 6-DFN (4x5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 56 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
IXCP10M35S IXYS IXCP10M35S -
RFQ
 ECAD 2990 0.00000000 ixys ixc 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXCP10 - TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 10MA
IXDI504D1T/R IXYS ixdi504d1t/r -
RFQ
 ECAD 2437 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 IXDI504 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 6-DFN (4x5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
IXDN509D1T/R IXYS ixdn509d1t/r -
RFQ
 ECAD 6892 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 IXDN509 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 6-DFN (4x5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 9a, 9a 25ns, 23ns
IXI848AS1 IXYS IXI848AS1 -
RFQ
 ECAD 9575 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXI848 2.7V ~ 60V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 98 현재 현재 하이 하이 ± 0.7% -
IX4R11S3 IXYS IX4R11S3 -
RFQ
 ECAD 3495 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IX4R11 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 35V 16- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 230 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 6V, 7V 4a, 4a 23ns, 22ns 650 v
IX2R11M6T/R IXYS ix2r11m6t/r -
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-vdfn d 패드 IX2R11 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 35V 16MLP (7x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 6V, 9.5V 2A, 2A 8ns, 7ns 500 v
IXCP10M90S IXYS IXCP10M90S 4.8800
RFQ
 ECAD 6828 0.00000000 ixys ixc 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXCP10 900V TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 현재 현재 기관 - - 100ma
IXF611S1 IXYS IXF611S1 -
RFQ
 ECAD 8653 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXF611 - 확인되지 확인되지 - 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 470 - - - - - -
IXDN404SI-16 IXYS IXDN404SI-16 -
RFQ
 ECAD 5083 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IXDN404 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 16- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 IXDN404SI-16-NDR 귀 99 8542.39.0001 47 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.5V 4a, 4a 16ns, 13ns
IX2C11P1 IXYS IX2C11P1 -
RFQ
 ECAD 2893 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IX2C11 - 확인되지 확인되지 - 8-DIP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 300 - - - - - -
IXDE504PI IXYS IXDE504PI -
RFQ
 ECAD 7673 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDE504 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
IXBD4411SI IXYS IXBD4411SI -
RFQ
 ECAD 6443 0.00000000 ixys ISOSMART ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IXBD4411 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 16- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 IXBD4411SI-NDR 귀 99 8542.39.0001 46 하나의 하이 하이 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 1V, 3.65V 2A, 2A 15ns, 15ns 1200 v
IXDN509PI IXYS IXDN509PI -
RFQ
 ECAD 9381 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDN509 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 9a, 9a 25ns, 23ns
IXS839BQ2 IXYS IXS839BQ2 -
RFQ
 ECAD 8246 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 IXS839 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 10-QFN (3x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 121 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 2A, 4A 20ns, 15ns 24 v
DEIC421 IXYS DEIC421 -
RFQ
 ECAD 1322 0.00000000 ixys - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 7-SMD,, 리드 DEIC421 반전 확인되지 확인되지 8V ~ 30V 7-smd 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 3.5V 20A, 20A 3ns, 3ns
IXA611P7 IXYS IXA611P7 -
RFQ
 ECAD 7471 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXA611 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 35V 14-PDIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 375 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 6V, 7V 600ma, 600ma 23ns, 22ns 650 v
IXDN404PI IXYS IXDN404PI -
RFQ
 ECAD 1249 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDN404 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-DIP 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 IXDN404PI-NDR 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.5V 4a, 4a 16ns, 13ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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