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	IXDN630CI	9.7600	RFQ		2	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-220-5		IXDN630	비 비		확인되지 확인되지	12.5V ~ 35V	TO-220-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	CLA374	귀 99	8542.39.0001	50			하나의				낮은 낮은	1	IGBT, N-,, P 채널 MOSFET	0.8V, 3.5V	30A, 30A	11ns, 11ns
	IXDN604SIA	2.1500	RFQ		32	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		IXDN604	비 비		확인되지 확인되지	4.5V ~ 35V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	CLA337	귀 99	8542.39.0001	100			독립적인				낮은 낮은	2	IGBT, N-,, P 채널 MOSFET	0.8V, 3V	4a, 4a	9ns, 8ns
	LDS8865002-T2-250	-	RFQ		7457	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	백라이트	표면 표면	16-wfqfn q 패드	DC DC 레귤레이터	LDS8865		1.1MHz			16-TQFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	32MA	6		예	스위치 스위치 (커패시터 펌프)	5.5V								PWM	2.7V	6V
	ixdd614d2tr	-	RFQ		3014	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA		IXDD614	비 비		확인되지 확인되지	4.5V ~ 35V	To-263 (d²pak)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000			하나의				낮은 낮은	1	IGBT, N-,, P 채널 MOSFET	0.8V, 3V	14a, 14a	25ns, 18ns
	IX4424N	-	RFQ		6798	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		IX4424	비 비		확인되지 확인되지	4.5V ~ 30V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	CLA397	귀 99	8542.39.0001	100			독립적인				낮은 낮은	2	n-채널, p 채널 MOSFET	0.8V, 3V	3A, 3A	18ns, 18ns
	CPC9909ntr	2.5100	RFQ		6220	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	간판	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AC DC 스위처 오프라인	CPC9909		30kHz ~ 120kHz			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	-	1		아니요	스텝 스텝 (다운), 스텝 업 (부스트)	550V								PWM	8V	-
	IX21844G	-	RFQ		7589	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)		IX21844	비 비		확인되지 확인되지	10V ~ 20V	14-DIP	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50			동기				하프 하프	2	IGBT, N-, MOSFET	0.8V, 2V	1.4a, 1.8a	23ns, 14ns	600 v
	IXDN614SI	4.9300	RFQ		21	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드		IXDN614	비 비		확인되지 확인되지	4.5V ~ 35V	8-SOIC-EP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100			하나의				낮은 낮은	1	IGBT, N-,, P 채널 MOSFET	0.8V, 3V	14a, 14a	25ns, 18ns
	IXDD604SITT	3.6300	RFQ		3	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드		IXDD604	비 비		확인되지 확인되지	4.5V ~ 35V	8-SOIC-EP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000			독립적인				낮은 낮은	2	IGBT, N-,, P 채널 MOSFET	0.8V, 3V	4a, 4a	9ns, 8ns
	IXDI604SIA	2.2100	RFQ		945	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		IXDI604	반전		확인되지 확인되지	4.5V ~ 35V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100			독립적인				낮은 낮은	2	IGBT, N-,, P 채널 MOSFET	0.8V, 3V	4a, 4a	9ns, 8ns
	IXDN609SIATR	2.1300	RFQ		30	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		IXDN609	비 비		확인되지 확인되지	4.5V ~ 35V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000			하나의				낮은 낮은	1	IGBT, N-,, P 채널 MOSFET	0.8V, 3V	9a, 9a	22ns, 15ns
	IXDD630MCI	9.7600	RFQ		509	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-220-5		IXDD630	비 비		확인되지 확인되지	9V ~ 35V	TO-220-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50			하나의				낮은 낮은	1	IGBT, N-,, P 채널 MOSFET	0.8V, 3.5V	30A, 30A	11ns, 11ns
	IXDF604SIATR	1.0605	RFQ		4654	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		IXDF604	반전, 반전 비		확인되지 확인되지	4.5V ~ 35V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000			독립적인				낮은 낮은	2	IGBT, N-,, P 채널 MOSFET	0.8V, 3V	4a, 4a	9ns, 8ns
	IXDI602SIA	1.7100	RFQ		739	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		IXDI602	반전		확인되지 확인되지	4.5V ~ 35V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	100			독립적인				낮은 낮은	2	IGBT, N-,, P 채널 MOSFET	0.8V, 3V	2A, 2A	7.5ns, 6.5ns
	IXDI609SITT	3.2200	RFQ		12	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드		IXDI609	반전		확인되지 확인되지	4.5V ~ 35V	8-SOIC-EP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000			하나의				낮은 낮은	1	IGBT, N-,, P 채널 MOSFET	0.8V, 3V	9a, 9a	22ns, 15ns
	ixdf602d2tr	0.7468	RFQ		7649	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-vdfn d 패드		IXDF602	반전, 반전 비		확인되지 확인되지	4.5V ~ 35V	8-DFN-EP (5x4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000			독립적인				낮은 낮은	2	IGBT, N-,, P 채널 MOSFET	0.8V, 3V	2A, 2A	7.5ns, 6.5ns
	ix2127ntr	-	RFQ		4068	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		IX2127	비 비		확인되지 확인되지	9V ~ 12V	8-SOIC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000			하나의				하이 하이	1	IGBT, N-, MOSFET	0.8V, 3V	250ma, 500ma	23ns, 20ns	600 v
	IXDN630MCI	9.7600	RFQ		349	0.00000000	ixys 회로 통합 부서	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-220-5		IXDN630	비 비		확인되지 확인되지	9V ~ 35V	TO-220-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50			하나의				낮은 낮은	1	IGBT, N-,, P 채널 MOSFET	0.8V, 3.5V	30A, 30A	11ns, 11ns

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