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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| R1114Q281D-TR-FE | 0.2613 | | 1978 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | R1114X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | R1114 | 6V | 결정된 | SC-82AB | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 95 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 2.8V | - | 1 | 0.35V @ 150mA | 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) | 전류에 전류에 | ||||||||||||||||||
| RP131K421D-TR | 0.3750 | | 1147 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | RP131X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 6-ufdfn 노출 패드 | RP131 | 6.5V | 결정된 | DFN (PL) 1820-6 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 90 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 1A | 4.2V | - | 1 | 0.65V @ 1a | 60dB (1kHz) | 현재, 이상 온도 | ||||||||||||||||||
| R3132Q30EA8-TR-FE | 0.2920 | | 3552 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | R3132X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SC-82AB | 전압 전압 | R3132 | 열린 열린 또는 배수 수집기 | SC-82AB | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 3.08V | 최소 204ms |
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