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전력 전력 (PMIC) (7564)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전류 - 공급 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 짐 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
NJM78L05A Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78L05A -
RFQ
 ECAD 5198 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 30V 결정된 To-92-3 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 귀 99 8542.39.0001 500 6 MA - 긍정적인 100ma 5V - 1 - 69dB (120Hz) 온도, 회로 단락
R1172D181D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172D181D-TR-FE 0.5700
RFQ
 ECAD 3278 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 노출 패드 패드 R1172 6V 결정된 6-HSON (2.9x2.8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.8V - 1 0.32v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
NJU7231U30-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7231U30-TE1 -
RFQ
 ECAD 9306 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA 15V 결정된 SOT-89 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 긍정적인 100ma 3V - 1 0.6V @ 20ma - -
NJM79M08FA# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM79M08FA# -
RFQ
 ECAD 5928 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 -35V 결정된 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 5 MA - 부정적인 500ma -8V - 1 - 55dB (120Hz) 온도, 회로 단락
NJM2856GM1-05-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2856GM1-05-TE2 0.4664
RFQ
 ECAD 2609 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 NJM2856 8V 결정된 8 시간 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 600 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 5V - 1 0.2v @ 600ma 75db (1khz) 전류, 이상 온도, 단락
R1172S161D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172S161D-E2-FE 0.6042
RFQ
 ECAD 4829 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1172 6V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.6V - 1 0.32v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
NJU7748F4-15-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7748F4-15-TE1 0.3444
RFQ
 ECAD 1340 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB NJU7748 9V 결정된 SC-82AB - 귀 99 8542.39.0001 3,000 3.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 1.5V - 1 0.6V @ 40MA - 전류에 전류에
RP500N221A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP500N221A-TR-FE 0.8550
RFQ
 ECAD 3979 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP500X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 RP500 5.5V 결정된 SOT-23-6W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 1.2MHz 긍정적인 예 900ma 2.2V - 2.55V
R1180N291B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180N291B-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 5947 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1180 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.9V - 1 0.4V @ 150ma - 전류에 전류에
RN5RF38AA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF38AA-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 7428 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN5RF38 10V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.8V - 1 0.2v @ 100ma 60dB (1kHz) 전류에 전류에
NJW4187DL1-05B-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJW4187DL1-05B-TE1 0.8760
RFQ
 ECAD 8338 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NJW4187 40V 결정된 TO-252-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 83 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 5V - 1 0.27V @ 600MA 54dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R3112N331A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112N331A-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 8034 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3112 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.3v -
NJM2836DL3-33-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2836DL3-33-TE1 0.4988
RFQ
 ECAD 6565 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭) NJM2836 18V 결정된 TO-252-5 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 300 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 3.3v - 1 0.18V @ 300MA 75db (1khz) 현재, 이상 온도
RP550K001A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP550K001A-TR 2.5400
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP550X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 12-ufdfn 노출 패드 RP550 5.5V 조절할 조절할있는 DFN (PL) 2730-12 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 2 책임 2.25MHz 긍정적인 예 1A 0.6V 3.3v 2.3V
RP104K211D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP104K211D-TR 0.2700
RFQ
 ECAD 7496 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP104X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP104 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 1.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.1V - 1 0.5V @ 150mA - 전류에 전류에
RP170H301B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP170H301B-T1-FE 0.2523
RFQ
 ECAD 7651 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP170X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-89-5/6 RP170 10V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3V - 1 0.85V @ 300MA - 현재, 이상 온도
R1114N321B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114N321B-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 8774 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1114 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.2v - 1 0.35V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
R3118K501A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118K501A-TR 0.3600
RFQ
 ECAD 4662 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 전압 전압 R3118 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 활성 활성 1 5V 70ms
RP502L183B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP502L183B-TR -
RFQ
 ECAD 4674 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP502X 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP502 5.5V 결정된 DFN1616-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 3.3MHz 긍정적인 예 - 1.8V - 2.5V
R1801K006A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1801K006A-TR 2.2950
RFQ
 ECAD 2612 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1801K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 에너지 에너지 표면 표면 12-ufdfn 노출 패드 R1801 200na 2.3V ~ 5.5V DFN (PL) 2730-12 다운로드 1 (무제한) 2129-R1801K006A-TR 귀 99 8542.39.0001 5,000
RP110L081D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110L081D-TR 0.2550
RFQ
 ECAD 5814 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xdfn d 패드 RP110 5.25V 결정된 DFN1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 0.8V - 1 1.4V @ 150ma - 전류에 전류에
R3117N151A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117N151A-TR-FE 0.3381
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3117 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.5V 전형적인 80µs
R1172N501D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172N501D-TR-FE 0.5250
RFQ
 ECAD 6458 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1172 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 5V - 1 0.18V @ 1a 60dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP505K081B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP505K081B-TR 0.8250
RFQ
 ECAD 4805 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP505K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 RP505 5.5V 결정된 DFN (PL) 2020-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 예 1A 0.8V - 2.3V
R1114N281D5-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114N281D5-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 7129 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1114 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.85V - 1 0.35V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
RP503N122A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP503N122A-TR-FE 0.8550
RFQ
 ECAD 2425 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP503X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP503 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 2MHz 긍정적인 예 600ma 1.2V - 2.5V
RP112N181B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP112N181B-TR-FE 0.5100
RFQ
 ECAD 9703 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp112x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP112 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.8V - 1 0.41V @ 150mA 80dB ~ 65dB (1kHz ~ 100kHz) 전류에 전류에
R1190S025D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190S025D-E2-FE 0.6678
RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1190 16V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 220 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 2.5V - 1 2.15v @ 700ma 60dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
R3112N291C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112N291C-TR-FE 0.6400
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3112 확인되지 확인되지 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 1 2.9V -
RP401N331D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401N331D-TR-FE 0.6450
RFQ
 ECAD 7528 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP401 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 500ma 3.3v - 0.6V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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