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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
RP300K29AC3-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300K29AC3-TR 0.1650
RFQ
ECAD 4347 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 RP300 확인되지 확인되지 푸시 푸시, 풀 기둥 DFN (PL) 1010-4B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2.93V 47.5ms
RP112K181D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP112K181D-TR 1.3300
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp112x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP112 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.8V - 1 0.41V @ 150mA 80dB ~ 65dB (1kHz ~ 100kHz) 전류에 전류에
RP131S361D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131S361D-E2-FE 0.4293
RFQ
ECAD 2008 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP131 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.6v - 1 0.65V @ 1a 60dB (1kHz) 현재, 이상 온도
NJM2390U-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2390U-TE1 0.3099
RFQ
ECAD 6965 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA NJM2390 18V 조절할 조절할있는 SOT-89-3 다운로드 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 1,000 4 µA - 긍정적인 100ma 2.465V 18V 1 - - -
R1160N291D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1160N291D-TR-FE 0.3228
RFQ
ECAD 4072 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1160X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1160 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 2.9V - 1 0.2v @ 200ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
RP116Z121D-TR-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP116Z121D-TR-F 0.5100
RFQ
ECAD 8708 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP116Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-XFBGA, WLCSP RP116 3.6v 결정된 WLCSP-4-P7 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 400ma 1.2V - 1 0.38V @ 400MA 60dB (10kHz) 전류에 전류에
R1114Q311D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114Q311D-TR-FE 0.2613
RFQ
ECAD 6709 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB R1114 6V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.1V - 1 0.35V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
RP103Q281D5-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103Q281D5-TR-FE 0.2767
RFQ
ECAD 5237 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82A, SOT-343 RP103 5.25V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.85V - 1 0.27V @ 150mA - 전류에 전류에
RP122K451D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP122K451D-TR 0.4950
RFQ
ECAD 2297 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP122X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP122 5.5V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 400ma 4.5V - 1 0.225V @ 400MA 90dB ~ 65dB (1kHz ~ 100kHz) 현재, 이상 온도
RP111S281D-E2-JE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP111S281D-E2-JE 0.9837
RFQ
ECAD 4165 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. 자동차, AEC-Q100, RP111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP111 5.25V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 1 (무제한) 2129-RP111S281D-E2-Jetr 귀 99 8542.39.0001 1,000 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 2.8V - 1 0.34V @ 500MA 75dB ~ 70dB (1kHz ~ 10kHz) 현재, 이상 온도
R3112D221A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112D221A-TR-FE 0.2613
RFQ
ECAD 6966 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3112 열린 열린 또는 배수 수집기 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 2.2V -
RP154L024B-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154L024B-E2 0.5700
RFQ
ECAD 4696 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 RP154 5.25V 결정된 DFN1216-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 3.3V, 3V - 2 0.29V @ 300MA, 0.29V @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R1114D401B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114D401B-TR-FE 0.2767
RFQ
ECAD 8207 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 R1114 6V 결정된 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 4V - 1 0.35V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
RP103N281D5-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103N281D5-TR-FE 0.2767
RFQ
ECAD 9271 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP103 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.85V - 1 0.27V @ 150mA - 전류에 전류에
R1210N402C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210N402C-TR-FE 0.6300
RFQ
ECAD 9803 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210NXX2X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1210 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 100kHz 긍정적인 아니요 3MA - 4V -
NJM2878F3-33-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2878F3-33-TE1 0.2129
RFQ
ECAD 4490 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 NJM2878 9V 결정된 SC-88A 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 195 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.3v - 1 0.1V @ 60ma 75db (1khz) 현재, 이상 온도
RP102K291D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102K291D-TR 0.4650
RFQ
ECAD 5178 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP102 5.25V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.9V - 1 0.19V @ 300MA - 전류에 전류에
R5326K024B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R5326K024B-TR 0.5100
RFQ
ECAD 7236 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5326X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 R5326 6V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 105 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 2.4V - 2 0.37V @ 150MA, 0.37V @ 150mA - 전류에 전류에
R1191N090B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191N090B-TR-FE 0.4350
RFQ
ECAD 1921 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1191 16V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 300ma 9V - 1 1V @ 300MA 60dB (1kHz) 온도, 전류 반전, 단락
NJW4140RT1-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJW4140RT1-TE2 0.8820
RFQ
ECAD 2944 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-LSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) NJW4140 40V 조절할 조절할있는 8-MSOP (VSP8) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 2,000 스텝 스텝 스텝, 업 업/스텝 다운 1 부스트, 백 플라이 40kHz ~ 1MHz 긍정적인 아니요 700ma 0.8V 40V 3V
R3117K311A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117K311A-TR 0.3450
RFQ
ECAD 7319 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3117 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 3.1V 전형적인 80µs
RP115L131D-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP115L131D-E2 0.5400
RFQ
ECAD 7619 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp115x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 RP115 5.25V 결정된 DFN1216-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 160 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 1.3V - 1 0.135V @ 500MA 80db (1khz) 전류, 역전, 온도 전류
RP154L034B-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154L034B-E2 0.5700
RFQ
ECAD 8023 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 RP154 5.25V 결정된 DFN1216-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 3.1V, 3.1V - 2 0.29V @ 300MA, 0.29V @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
RP504K301D-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504K301D-E2 0.8100
RFQ
ECAD 6287 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP504 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 600ma 3V - 2.3V
RP112K271B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP112K271B-TR 0.5700
RFQ
ECAD 1850 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp112x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP112 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.7V - 1 0.31V @ 150mA 80dB ~ 65dB (1kHz ~ 100kHz) 전류에 전류에
RP104K311D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP104K311D-TR 0.2700
RFQ
ECAD 6389 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP104X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP104 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 1.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.1V - 1 0.32v @ 150ma - 전류에 전류에
R3111H541A-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111H541A-T1-FE 0.3222
RFQ
ECAD 1344 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-243AA 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 5.4V 최대 100µs
RP501K301B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP501K301B-TR 0.9000
RFQ
ECAD 4023 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP501K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 RP501 5.5V 결정된 DFN (PL) 2527-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 1A 3V - 2.5V
RN5RK362A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RK362A-TR-FE 0.5880
RFQ
ECAD 3318 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RK 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN5RK362 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 100kHz 긍정적인 아니요 - 3.6v - -
R3117K171A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117K171A-TR 0.3450
RFQ
ECAD 7343 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3117 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 1.7V 전형적인 80µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고