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전력 전력 (PMIC) (7564)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
RP402K382A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP402K382A-TR 0.7800
RFQ
 ECAD 8793 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP402X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 RP402 4.8V 결정된 DFN (PL) 2020-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 예 800ma 3.8V - 0.6V
R1283K002A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1283K002A-TR 1.0800
RFQ
 ECAD 4048 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1283X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 12-ufdfn 노출 패드 R1283 5.5V 조절할 조절할있는 DFN (PL) 2730-12 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝/업 2 벅, 부스트 선택 선택 정부 아니요 1.5A -20V 20V 2.5V
RP130K211D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130K211D-TR 0.1800
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP130 6.5V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 58 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.1V - 1 0.6V @ 150ma - 전류에 전류에
NJM2885DL1-18-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2885DL1-18-TE1 0.5832
RFQ
 ECAD 8375 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NJM2885 14V 결정된 TO-252-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 300 µA - 긍정적인 500ma 1.8V - 1 - 75db (1khz) 전류, 이상 온도, 단락
RP131S451D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131S451D-E2-FE 0.4293
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP131 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 4.5V - 1 0.65V @ 1a 60dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R3132D40EA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132D40EA-TR-FE 0.3074
RFQ
 ECAD 1629 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3132 열린 열린 또는 배수 수집기 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 4V 최소 204ms
NR1640DC280AE1Q Nisshinbo Micro Devices Inc. NR1640DC280AE1Q 0.7500
RFQ
 ECAD 3111 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 5.5V 결정된 SOT-23-5-DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 450 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 2.8V - 1 0.23V @ 200mA 80dB (1kHz ~ 100kHz) "
RP509Z131B-E2-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP509Z131B-E2-F 0.3450
RFQ
 ECAD 7144 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP509X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-WFBGA, WLCSP RP509 5.5V 결정된 WLCSP-6-P6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 6MHz 긍정적인 예 1A 1.3V - 2.3V
RP154L057B-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154L057B-E2 0.5700
RFQ
 ECAD 9269 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 RP154 5.25V 결정된 DFN1216-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 1.1V, 1.2V - 2 0.59V @ 300MA, 0.5V @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R1141Q261B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1141Q261B-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 7947 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1141Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB R1141 6V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 160 µA 할 할있게 수 긍정적인 120ma 2.6v - 1 0.35V @ 120mA 75db (1khz) 전류에 전류에
R1131N301B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1131N301B-TR-FE 0.4650
RFQ
 ECAD 9305 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1131 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3V - 1 0.35V @ 300MA 65db (1khz) 전류에 전류에
R3111N191C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111N191C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 3685 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.9V 최대 100µs
RP102K271D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102K271D-TR 0.4650
RFQ
 ECAD 7542 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP102 5.25V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.7V - 1 0.2v @ 300ma - 전류에 전류에
RH5RL45AA-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RH5RL45AA-T1-FE 0.5406
RFQ
 ECAD 4052 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rx5rl 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA RH5RL45 10V 결정된 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 긍정적인 65MA 4.5V - 1 0.038V @ 1mA - 전류, 단락
R3132Q14EA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132Q14EA-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 3193 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82A, SOT-343 전압 전압 R3132 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.4V 최소 204ms
R3111N432C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111N432C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 2175 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.3V 최대 100µs
RP103K311B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103K311B-TR 0.2700
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP103 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.1V - 1 0.27V @ 150mA - 전류에 전류에
RQ5RW38BA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RQ5RW38BA-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 9005 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RX5RW 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB RQ5RW38 8V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 3 µA 할 할있게 수 긍정적인 50ma 3.8V - 1 0.045V @ 1mA - 전류에 전류에
R1501S084B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501S084B-E2-FE 0.7632
RFQ
 ECAD 2344 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1501 24V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 160 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 8.4V - 1 0.9V @ 1a 50dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
RP112Q152B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP112Q152B-TR-FE 0.5100
RFQ
 ECAD 7484 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp112x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP112 5.25V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.5V - 1 0.5V @ 150mA 80dB ~ 65dB (1kHz ~ 100kHz) 전류에 전류에
RP503N252A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP503N252A-TR-FE 0.8550
RFQ
 ECAD 2502 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP503X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP503 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 2MHz 긍정적인 예 600ma 2.5V - 2.5V
R1525N033B-TR-KE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1525N033B-TR-KE 1.2750
RFQ
 ECAD 9080 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1525X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1525 42V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 6.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 3.3v - 1 2V @ 200mA - 전류, 이상 온도, 단락
RP131K251D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131K251D-TR 0.3750
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP131 6.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 2.5V - 1 1.1v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP132K401B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132K401B-TR 0.4500
RFQ
 ECAD 4033 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP132 6.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 4V - 1 0.68V @ 1a 60dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R1161N271B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1161N271B-TR-FE 0.3689
RFQ
 ECAD 4437 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1161X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1161 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.7V - 1 0.375V @ 300MA 65db (1khz) 전류에 전류에
R3118K061C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118K061C-TR 0.3600
RFQ
 ECAD 2926 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 전압 전압 R3118 푸시 푸시, 풀 기둥 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 활성 활성 1 0.6V 70ms
RP114K311D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114K311D-TR 0.4350
RFQ
 ECAD 4840 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP114 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3.1V - 1 0.29V @ 300MA 75db (1khz) 전류에 전류에
R3133D27EC-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3133D27EC-TR-FE 0.8000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3133X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3133 확인되지 확인되지 푸시 푸시, 풀 기둥 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 - 1 2.7V 최소 204ms
R1190S036B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190S036B-E2-FE 0.6678
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1190 16V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 220 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.6v - 1 2.3v @ 1a 60dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
RP110K121B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110K121B-TR 0.2700
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 RP110 5.25V 결정된 DFN (PL) 0808-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.2V - 1 1V @ 150mA - 전류에 전류에
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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