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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 현재 -공급 (max) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
RP401N551C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401N551C-TR-FE 0.6450
RFQ
ECAD 7417 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP401 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 500ma 5.5V - 0.6V
R1180D191C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180D191C-TR-FE 0.2613
RFQ
ECAD 7151 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 R1180 6V 결정된 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 1.5 µA - 긍정적인 150ma 1.9V - 1 0.65V @ 150mA - 전류에 전류에
R5220K251A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R5220K251A-TR 0.8400
RFQ
ECAD 8194 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5220X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 R5220 5.5V 결정된 DFN (PL) 2514-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 1.2MHz 긍정적인 400ma 2.5V - 2.8V
RP400K251C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP400K251C-TR 0.7500
RFQ
ECAD 1094 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP400XXX1C 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP400 5.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 700kHz 긍정적인 아니요 600ma 2.5V - 0.8V
RP110L121B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110L121B-TR 0.2550
RFQ
ECAD 5389 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xdfn d 패드 RP110 5.25V 결정된 DFN1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.2V - 1 1V @ 150mA - 전류에 전류에
NJM2864F28-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2864F28-TE1 0.3320
RFQ
ECAD 3395 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 NJM2864 14V 결정된 SOT-23-5 (MTP5) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 180 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 2.8V - 1 0.1V @ 60ma 75db (1khz) 전류, 이상 온도, 단락
R5110S032C-E2-KE Nisshinbo Micro Devices Inc. R5110S032C-E2-KE 2.0700
RFQ
ECAD 8138 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 18-LFSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 전압 전압 R5110 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 18 마력 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 5V 194ms
RP504L191D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504L191D-TR 0.8100
RFQ
ECAD 8461 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP504 5.5V 결정된 DFN1616-6B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 600ma 1.9V - 2.3V
R3112N361C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112N361C-TR-FE 0.2459
RFQ
ECAD 6787 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3112 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.6v -
R1204K312C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1204K312C-TR 0.6900
RFQ
ECAD 7068 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1204X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 R1204 5.5V 조절할 조절할있는 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1MHz 긍정적인 아니요 900ma - - 2.3V
RP131S181D5-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131S181D5-E2-FE 0.4293
RFQ
ECAD 7258 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP131 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.85V - 1 1.1v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R3117Q074C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117Q074C-TR-FE 0.3381
RFQ
ECAD 1706 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 전압 전압 R3117 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 0.7V 40µs
R3134N30EA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3134N30EA-TR-FE 0.2920
RFQ
ECAD 6310 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3134X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3134 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3V 15µs
R3116K461A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116K461A-TR 0.3000
RFQ
ECAD 3075 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3116 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 4.6v 최소 85ms
R1560J331B-T1-KE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1560J331B-T1-KE 1.9800
RFQ
ECAD 9577 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1560X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭) R1560 60V 결정된 TO-252-5-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 8 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 3.3v - 1 3v @ 100ma - 전류, 이상 온도, 단락
R1524S033B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524S033B-E2-FE 1.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1524 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 6.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 3.3v - 1 2V @ 200mA - 전류, 이상 온도, 단락
RP300N46AA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300N46AA-TR-FE 0.1972
RFQ
ECAD 5075 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 RP300 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.6v 47.5ms
R1155N001C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1155N001C-TR-FE 0.4350
RFQ
ECAD 5525 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1155X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1155 24V 조절할 조절할있는 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 22 µA 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.5V 23V 1 2.6v @ 150ma - 전류, 역전, 온도 전류
R1114N181D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114N181D-TR-FE 0.2613
RFQ
ECAD 6764 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1114 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.8V - 1 0.55V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
R1111N331B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1111n331B-TR-FE 0.7600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1111n 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1111 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.3v - 1 0.3v @ 100ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
RP103K291B5-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103K291B5-TR 0.2700
RFQ
ECAD 5021 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP103 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.95V - 1 0.27V @ 150mA - 전류에 전류에
R1173S281D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173S281D-E2-FE 0.6042
RFQ
ECAD 4428 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1173 6V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 2.8V - 1 0.18V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP130Q251D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130Q251D-TR-FE 0.2613
RFQ
ECAD 4714 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 RP130 6.5V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 58 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.5V - 1 0.51V @ 150mA 80db (1khz) 전류에 전류에
R3117N303A-TR-YE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117N303A-TR-YE 0.4950
RFQ
ECAD 4465 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3117 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3V 40µs
RP154N022B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154N022B-TR-FE 0.5550
RFQ
ECAD 2818 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 RP154 5.25V 결정된 SOT-23-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 2.8V, 1.2V - 2 0.3V @ 300ma, 0.5V @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R3119N046E-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119N046E-TR-FE 0.5550
RFQ
ECAD 2787 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3119 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.6v 15µs
RP100N291D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100N291D-TR-FE 0.2767
RFQ
ECAD 9162 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP100 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 2.9V - 1 0.23V @ 150mA - 전류에 전류에
RP130K141D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130K141D-TR 0.1800
RFQ
ECAD 6323 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP130 6.5V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 58 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.4V - 1 1V @ 150mA 80db (1khz) 전류에 전류에
RP173Q552A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173Q552A-TR-FE 0.2920
RFQ
ECAD 1304 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP173 11V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 3.7 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 5.5V - 1 0.76V @ 150mA - 전류, 전류 역전
R5107G271A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R5107G271A-TR-FE 0.8850
RFQ
ECAD 5331 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5107G 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-LSOP, 10-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) 전압 전압 R5107 열린 열린 또는 배수 수집기 8-ssop-g 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.7V 340ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고