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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 인터페이스 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 전압 - 하중 모터 모터 - 타입 모터 모터 -AC, DC 단계 단계 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
R3111Q161B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q161B-TR-FE 0.2459
RFQ
ECAD 9618 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.6V 최대 100µs
RP501K191B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP501K191B-TR 0.9000
RFQ
ECAD 5512 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP501K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 RP501 5.5V 결정된 DFN (PL) 2527-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 1A 1.9V - 2.5V
R3111Q511C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q511C-TR-FE 0.2459
RFQ
ECAD 2092 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 전압 전압 R3111 확인되지 확인되지 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 5.1V 최대 100µs
R1173H301D-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173H301D-T1-FE 0.5724
RFQ
ECAD 5130 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1173 6V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 3V - 1 0.18V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP102K161D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102K161D-TR 0.4650
RFQ
ECAD 1596 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP102 5.25V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.6V - 1 0.32v @ 300ma 80db (1khz) 전류에 전류에
R3117K451A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117K451A-TR 0.3450
RFQ
ECAD 9080 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3117 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 4.5V 전형적인 80µs
RP111L361B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. rp111111361b-tr 0.5250
RFQ
ECAD 7903 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp111x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP111 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 3.6v - 1 0.32v @ 500ma 75db (1khz) 현재, 이상 온도
RP152L008B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152L008B-TR 0.4500
RFQ
ECAD 7067 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP152 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 2.85V, 2.6V - 2 0.35V @ 150MA, 0.35V @ 150ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
R1111N251B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1111N251B-TR-FE 0.2920
RFQ
ECAD 9472 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1111n 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1111 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.5V - 1 0.35V @ 100ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
RP103K251B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103K251B-TR 0.2700
RFQ
ECAD 3692 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP103 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.5V - 1 0.3V @ 150ma - 전류에 전류에
R1116N311D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1116N311D-TR-FE 0.2459
RFQ
ECAD 5540 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1116 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 18 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.1V - 1 0.46V @ 150mA 70dB ~ 53dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
R3111H361A-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111H361A-T1-FE 0.3222
RFQ
ECAD 3066 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-243AA 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 3.6v 최대 100µs
RP401K181B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401K181B-TR 0.6750
RFQ
ECAD 4644 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP401 5.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 500ma 1.8V - 0.6V
R1518S501B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1518S501B-E2-FE 0.8454
RFQ
ECAD 4368 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1518X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1518 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 36 µA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 1A 5V - 1 1.3v @ 1a - 현재, 이상 온도
RP152N041B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152N041B-TR-FE 0.4350
RFQ
ECAD 1400 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 RP152 5.25V 결정된 SOT-23-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 1.8V, 3V - 2 0.46V @ 150ma, 0.32v @ 150ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
RP102N181B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102N181B-TR-FE 0.4500
RFQ
ECAD 7010 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP102 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.8V - 1 0.28V @ 300MA 80db (1khz) 전류에 전류에
NJM3775E3 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM3775E3 -
RFQ
ECAD 6289 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) NJM3775 양극성 4.75V ~ 5.25V 24-SOP 다운로드 쓸모없는 25 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 평행한 하프 하프 (4) 750ma 10V ~ 40V 양극성 - 1, 1/2
R1173D001D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173D001D-TR-FE 1.2900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 노출 패드 패드 R1173 6V 조절할 조절할있는 6-HSON (2.9x2.8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2129-R1173D001D-TR-FETR 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 1V 6V 1 - 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R1114N201A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114N201A-TR-FE 0.2613
RFQ
ECAD 9294 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1114 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2V - 1 0.55V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
R1510S008C-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1510S008C-E2-FE 0.9991
RFQ
ECAD 5821 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1510S 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 R1510 36v 결정된 8 HSOP-E 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 174 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3.3v - 1 3.2v @ 300ma - 현재, 이상 온도
RN5RL35AA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RL35AA-TR-FE 0.4800
RFQ
ECAD 7928 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rx5rl 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN5RL35 10V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 긍정적인 50ma 3.5V - 1 0.053V @ 1mA - 전류, 단락
R1160N131B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1160N131B-TR-FE 0.3228
RFQ
ECAD 7425 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1160X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1160 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.3V - 1 0.5V @ 200mA 70dB (1kHz) 전류에 전류에
R1172S151B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172S151B-E2-FE 0.6042
RFQ
ECAD 1115 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1172 6V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.5V - 1 0.32v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP504K211D-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504K211D-E2 0.8100
RFQ
ECAD 6137 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP504 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 600ma 2.1V - 2.3V
RP109N361D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109N361D-TR-FE 0.2306
RFQ
ECAD 5278 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP109 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.6v - 1 0.32v @ 150ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R1510S003A-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1510S003A-E2-FE 0.9991
RFQ
ECAD 8168 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1510S 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 R1510 36v 결정된 8 HSOP-E 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 174 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 12V - 1 2V @ 300MA - 현재, 이상 온도
R3111D431C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111D431C-TR-FE 0.2459
RFQ
ECAD 1375 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 4.3V 최대 100µs
RP504N271B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504N271B-TR-FE 0.7950
RFQ
ECAD 4408 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP504 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 600ma 2.7V - 2.3V
RP152L042B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152L042B-TR 0.4500
RFQ
ECAD 8595 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP152 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 1.2V, 2.6V - 2 0.62v @ 150ma, 0.35v @ 150ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
R3132D30EA8-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132D30EA8-TR-FE 0.3074
RFQ
ECAD 1537 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3132 열린 열린 또는 배수 수집기 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 3.08V 최소 204ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고