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전력 전력 (PMIC) (7564)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
RP109K181D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109K181D-TR 0.2700
RFQ
 ECAD 1185 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 RP109 5.25V 결정된 DFN (PL) 0808-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.8V - 1 0.48V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
RP152L009B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152L009B-TR 0.4500
RFQ
 ECAD 5501 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP152 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 3V, 2.8V - 2 0.32v @ 150ma, 0.35v @ 150ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
R1202L721A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1202L721A-TR 1.2200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1202X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 R1202 5.5V 조절할 조절할있는 DFN1616-6B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 700ma (스위치) 1V 23V 2.3V
R3112D161A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112D161A-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 3379 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3112 열린 열린 또는 배수 수집기 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 1.6V -
R3118Q332C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118Q332C-TR-FE 0.3535
RFQ
 ECAD 6493 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 전압 전압 R3118 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.3v 70ms
R3111N202C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111N202C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 9521 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2V 최대 100µs
RD5RW18BA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RD5RW18BA-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 3492 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RX5RW 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB RD5RW18 8V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 3 µA 할 할있게 수 긍정적인 50ma 1.8V - 1 0.09V @ 1mA - 전류에 전류에
R1141Q201B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1141Q201B-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 3499 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1141Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB R1141 6V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 160 µA 할 할있게 수 긍정적인 120ma 2V - 1 0.4V @ 120ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R1190H031B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190H031B-T1-FE 0.6360
RFQ
 ECAD 4462 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1190 16V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 220 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.1V - 1 2.15v @ 700ma 60dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
RP171Q282D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP171Q282D-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 4488 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP171X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP171 10V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.8V - 1 1.08V @ 150mA - 현재, 이상 온도
R1154H025B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1154H025B-T1-FE 0.4134
RFQ
 ECAD 5856 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SOT-89-5/6 R1154 24V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 10 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.5V - 1 0.4V @ 20ma - 전류, 이상 온도, 단락
RH5RL31AA-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RH5RL31AA-T1-FE 0.5406
RFQ
 ECAD 6771 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rx5rl 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA RH5RL31 10V 결정된 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 긍정적인 50ma 3.1V - 1 0.06v @ 1ma - 전류, 단락
R3116Q241C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116Q241C-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 2265 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3116 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.4V 최소 85ms
RP400K331A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP400K331A-TR 0.7500
RFQ
 ECAD 5689 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP400XXX1A 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP400 5.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 700kHz 긍정적인 아니요 600ma 3.3v - 0.8V
RP118Z181D-TR-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP118Z181D-TR-F 0.5700
RFQ
 ECAD 4480 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-XFBGA, WLCSP RP118 5.5V 결정된 WLCSP-4-P8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 0.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 1.8V - 1 0.38V @ 100MA - 전류에 전류에
RN5VD16AA-TL-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD16AA-TL-FE 0.2737
RFQ
 ECAD 9114 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 RN5VD16 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 1 1.6V -
R1208K212B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1208K212B-TR 0.8250
RFQ
 ECAD 2864 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1208X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 12-ufdfn 노출 패드 R1208 22V 조절할 조절할있는 DFN (PL) 2730-12 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 450kHz 긍정적인 아니요 2A - 33V 2.7V
RP101K252D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP101K252D-TR 0.4950
RFQ
 ECAD 9597 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp101x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-xdfn d 패드 RP101 5.25V 결정된 DFN (PL) 1612-4B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.5V - 1 0.25V @ 150mA - 전류에 전류에
R1172N321D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172N321D-TR-FE 0.5250
RFQ
 ECAD 9355 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1172 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.2v - 1 0.18V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
NJU7222U30-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7222U30-TE1 0.4752
RFQ
 ECAD 3874 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 75 ° C 표면 표면 TO-243AA NJU7222 14V 결정된 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 긍정적인 100ma 3V - 1 0.6V @ 50MA - 단락
R1190S036B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190S036B-E2-FE 0.6678
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1190 16V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 220 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.6v - 1 2.3v @ 1a 60dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
R3118K061C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118K061C-TR 0.3600
RFQ
 ECAD 2926 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 전압 전압 R3118 푸시 푸시, 풀 기둥 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 활성 활성 1 0.6V 70ms
RP110K121B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110K121B-TR 0.2700
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 RP110 5.25V 결정된 DFN (PL) 0808-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.2V - 1 1V @ 150mA - 전류에 전류에
R1800K014A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1800K014A-TR 2.1600
RFQ
 ECAD 8205 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. * 테이프 & tr (TR) 활동적인 R1800 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000
RP300K27DC-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300K27DC-TR 0.1650
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 RP300 확인되지 확인되지 푸시 푸시, 풀 기둥 DFN (PL) 1010-4B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2.7V 190ms
RP132S121F-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132S121F-E2-FE 0.5088
RFQ
 ECAD 7531 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP132 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.2V - 1 1.23V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP170N301B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP170N301B-TR-FE 0.2136
RFQ
 ECAD 1081 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP170X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP170 10V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3V - 1 0.85V @ 300MA - 현재, 이상 온도
RP114K311D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114K311D-TR 0.4350
RFQ
 ECAD 4840 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP114 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3.1V - 1 0.29V @ 300MA 75db (1khz) 전류에 전류에
R1232D181A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1232D181A-TR-FE 0.9150
RFQ
 ECAD 3823 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1232d 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-smd,, 리드 R1232 5.5V 결정된 8 2. (2.9x2.8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 1MHz 긍정적인 예 1.4a 1.8V - 2.6v
R1161N271B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1161N271B-TR-FE 0.3689
RFQ
 ECAD 4437 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1161X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1161 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.7V - 1 0.375V @ 300MA 65db (1khz) 전류에 전류에
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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