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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
RP114N111D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114N111D-TR-FE 0.3750
RFQ
ECAD 2117 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP114 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.1V - 1 0.59V @ 300MA 75db (1khz) 전류에 전류에
R3118Q122C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118Q122C-TR-FE 0.3535
RFQ
ECAD 2674 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 전압 전압 R3118 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.2V 70ms
R3111N292A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111N292A-TR-FE 0.6400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.9V 최대 100µs
R3134N46EC-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3134N46EC-TR-FE 0.2920
RFQ
ECAD 4752 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3134X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3134 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.6v 15µs
RP102N271D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102N271D-TR-FE 0.4500
RFQ
ECAD 7529 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP102 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.7V - 1 0.2v @ 300ma - 전류에 전류에
RP114K131D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114K131D-TR 0.4350
RFQ
ECAD 5458 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP114 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.3V - 1 0.5V @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R1518J331E-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1518J331E-T1-FE 0.8550
RFQ
ECAD 2428 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1518X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1518 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 36 µA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 1A 3.3v - 1 1.6V @ 1a - 현재, 이상 온도
R3111D211C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111D211C-TR-FE 0.2459
RFQ
ECAD 1295 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 2.1V 최대 100µs
R1111N361A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1111n361A-TR-FE 0.2920
RFQ
ECAD 5806 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1111n 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1111 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.6v - 1 0.26v @ 100ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
RP504L241D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504L241D-TR 0.8100
RFQ
ECAD 3659 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP504 5.5V 결정된 DFN1616-6B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 600ma 2.4V - 2.3V
RP111L361D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP11111361D-TR 0.5250
RFQ
ECAD 7630 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp111x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP111 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 3.6v - 1 0.32v @ 500ma 75dB (10kHz) 현재, 이상 온도
R3111Q181B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q181B-TR-FE 0.2459
RFQ
ECAD 5556 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.8V 최대 100µs
RP109Q292D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109Q292D-TR-FE 0.2459
RFQ
ECAD 2013 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP109 5.25V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.9V - 1 0.35V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
RP300K46AA-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300K46AA-TR 0.1650
RFQ
ECAD 8054 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 RP300 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 4.6v 47.5ms
RP132S181B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132S181B-E2-FE 1.1200
RFQ
ECAD 4021 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP132 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 85 µA 지연, 활성화 긍정적인 1A 1.8V - 1 1.05v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R3112Q491A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112Q491A-TR-FE 0.2459
RFQ
ECAD 2312 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3112 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.9V -
RP300K23DC2-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300K23DC2-TR 0.1650
RFQ
ECAD 1447 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 RP300 확인되지 확인되지 푸시 푸시, 풀 기둥 DFN (PL) 1010-4B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2.32V 190ms
RP110N151D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110N151D-TR-FE 0.2306
RFQ
ECAD 1734 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP110 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.5V - 1 0.8V @ 150ma - 전류에 전류에
R5326K015A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R5326K015A-TR 0.5100
RFQ
ECAD 2665 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5326X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 R5326 6V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 105 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 1.5V - 2 0.48V @ 150MA, 0.48V @ 150ma - 전류에 전류에
R3114Q391A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114Q391A-TR-FE 0.3074
RFQ
ECAD 3942 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3114 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.9V 40µs
RP171Q302B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP171Q302B-TR-FE 0.2767
RFQ
ECAD 7298 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP171X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP171 10V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3V - 1 0.85V @ 150mA - 현재, 이상 온도
RP131S521D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131S521D-E2-FE 0.4293
RFQ
ECAD 7924 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP131 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 5.2v - 1 0.65V @ 1a 60dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R3118N301A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118N301A-TR-FE 0.9100
RFQ
ECAD 80 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3118 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3V 70ms
RP604Z281B-E2-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP604Z281B-E2-F 1.1400
RFQ
ECAD 2446 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP604X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-XFBGA, WLCSP RP604 5.5V 결정된 WLCSP-20-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝/업 다운 1 벅-부스트 - 긍정적인 아니요 300ma 2.8V - 1.8V
R3111N362A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111N362A-TR-FE 0.2459
RFQ
ECAD 6953 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.6v 최대 100µs
R1524S050H-E2-KE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524S050H-E2-KE 1.3833
RFQ
ECAD 1695 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 R1524 36v 결정된 8 HSOP-E 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 6.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 5V - 1 1.2v @ 200ma - 전류, 이상 온도, 단락
RP110Q262D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110Q262D-TR-FE 0.2459
RFQ
ECAD 4235 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP110 5.25V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.6v - 1 0.4V @ 150ma - 전류에 전류에
R1114N301D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114N301D-TR-FE 0.2613
RFQ
ECAD 4479 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1114 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3V - 1 0.35V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
R1210N242D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210N242D-TR-FE 0.6300
RFQ
ECAD 2876 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210NXX2X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1210 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 180kHz 긍정적인 아니요 1MA - 2.4V -
R3114K201A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114K201A-TR 0.3000
RFQ
ECAD 5929 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3114 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2V 40µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고