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전력 전력 (PMIC) (7564)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 비율 - 출력 : 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 전압- v (VCC/VDD) 인터페이스 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 RDS ON (TYP) 전압 - 하중 스위치 스위치 현재- 최대 (출력) 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
R3114Q241C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114Q241C-TR-FE 0.3074
RFQ
 ECAD 6569 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3114 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.4V 40µs
RP130K351B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130K351B-TR 0.1800
RFQ
 ECAD 8475 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP130 6.5V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 58 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.5V - 1 0.51V @ 150mA 80db (1khz) 전류에 전류에
RP103Q261D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103Q261D-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 1349 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB RP103 5.25V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.6v - 1 0.3V @ 150ma - 전류에 전류에
RP152L050B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152L050B-TR 0.4500
RFQ
 ECAD 3803 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP152 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 2.4V, 2.9V - 2 0.39V @ 150MA, 0.35V @ 150mA 70dB (1kHz) 전류에 전류에
R1202L311B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1202L311B-TR 0.5250
RFQ
 ECAD 3659 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1202X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 R1202 5.5V 조절할 조절할있는 DFN1616-6B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 350ma (스위치) 1V 14V 2.3V
RP100N301D-TR-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100N301D-TR-F 0.2767
RFQ
 ECAD 7218 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP100 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 3V - 1 0.23V @ 150mA - 전류에 전류에
R5115S012C-E2-KE Nisshinbo Micro Devices Inc. R5115S012C-E2-KE 2.3550
RFQ
 ECAD 8924 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5115X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 18-LFSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 전압 전압 R5115 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 18 마력 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 5V 184ms
RQ5RW42BA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RQ5RW42BA-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 2603 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RX5RW 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB RQ5RW42 8V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 3 µA 할 할있게 수 긍정적인 50ma 4.2V - 1 0.04V @ 1mA - 전류에 전류에
RH5RZ27CA-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RH5RZ27CA-T1-FE 1.0800
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rx5rz 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA RH5RZ27 8V 결정된 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 2.7V - 1 0.3v @ 60ma 55dB (1kHz) 전류에 전류에
R1121N401B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1121N401B-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 7009 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1121N 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1121 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 4V - 1 0.26v @ 100ma - 전류에 전류에
R3119N038A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119N038A-TR-FE 0.5550
RFQ
 ECAD 7666 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3119 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.8V 45ms
RP152N009B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152N009B-TR-FE 0.4350
RFQ
 ECAD 2045 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 RP152 5.25V 결정된 SOT-23-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 3V, 2.8V - 2 0.32v @ 150ma, 0.35v @ 150ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
R5220K231A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R5220K231A-TR 0.8400
RFQ
 ECAD 9151 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5220X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 R5220 5.5V 결정된 DFN (PL) 2514-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 1.2MHz 긍정적인 예 400ma 2.3V - 2.8V
R3112D301A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112D301A-TR-FE 0.6800
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3112 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 3V -
RN5RF12BA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF12BA-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 3079 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN5RF12 10V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.2V - 1 0.2v @ 100ma 60dB (1kHz) 전류에 전류에
NJM2841F012-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2841F012-TE2 0.3040
RFQ
 ECAD 4346 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 NJM2841 9V 결정된 SOT-23-5 (MTP5) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 300 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 1.2V - 1 0.1V @ 300ma 86dB (1khz) 현재, 이상 온도
R5117S001A-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R5117S001A-E2-FE 1.5750
RFQ
 ECAD 6275 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 전압 전압 R5117 - 8 HSOP-E 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 6.7V 2ms
R1160N331B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1160N331B-TR-FE 0.3228
RFQ
 ECAD 6101 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1160X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1160 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 3.3v - 1 0.2v @ 200ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
RP200K311D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP200K311D-TR 0.5100
RFQ
 ECAD 5332 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP200X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn RP200 5.25V 결정된 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 4 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3.1V - 1 0.35V @ 300MA - 전류에 전류에
R3111Q211B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q211B-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 3770 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.1V 최대 100µs
R1100D161C-TR-F Nisshinbo Micro Devices Inc. R1100D161C-TR-F 0.2152
RFQ
 ECAD 3386 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1100D 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-623F R1100 6V 결정된 SON1408-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 9,000 2.7 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 1.6V - 1 0.1V @ 1mA - 전류에 전류에
R1524S033B-E2-YE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524S033B-E2-YE 1.2142
RFQ
 ECAD 3384 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1524 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 6.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 3.3v - 1 2V @ 200mA - 전류, 이상 온도, 단락
RP173N501B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173N501B-TR-FE 0.1972
RFQ
 ECAD 9712 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP173 11V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 3.7 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 5V - 1 0.76V @ 150mA - 전류, 전류 역전
R3117N073A-TR-YE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117N073A-TR-YE 0.4950
RFQ
 ECAD 4776 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3117 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 0.7V 전형적인 80µs
RP130K151D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130K151D-TR 0.1800
RFQ
 ECAD 7377 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP130 6.5V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 58 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.5V - 1 0.84V @ 150mA 80db (1khz) 전류에 전류에
RP111N301D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP111N301D-TR-FE 0.4950
RFQ
 ECAD 4133 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp111x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP111 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 3V - 1 0.32v @ 500ma 75dB (10kHz) 현재, 이상 온도
R5523N001A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R5523N001A-TR-FE 1.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 상태 상태 R5523 비 비 p 채널 1 : 1 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 필요하지 필요하지 온/꺼짐 1 전류 전류 (제한), 온도, 단락, uvlo 높은 높은 130mohm 2.2V ~ 5.5V USB 스위치 500ma
RP114K331D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114K331D-TR 0.9900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP114 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3.3v - 1 0.29V @ 300MA 75db (1khz) 전류에 전류에
RP103K201D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103K201D-TR 0.2700
RFQ
 ECAD 2469 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP103 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2V - 1 0.36V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
RP102Z331D-TR-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102Z331D-TR-F 0.6600
RFQ
 ECAD 5680 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP RP102 5.25V 결정된 WLCSP-4-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3.3v - 1 0.19V @ 300MA - 전류에 전류에
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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