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전력 전력 (PMIC) (7564)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 인터페이스 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 전압 - 하중 모터 모터 - 타입 모터 모터 -AC, DC 단계 단계 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
R1190H050B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190H050B-T1-FE 0.6360
RFQ
 ECAD 7717 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1190 16V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 220 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 5V - 1 1.85V @ 1a 60dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
R3111N112A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111N112A-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 1872 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.1V 최대 100µs
RH5RL22AA-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RH5RL22AA-T1-FE 0.5406
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rx5rl 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA RH5RL22 10V 결정된 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 긍정적인 35MA 2.2V - 1 0.09V @ 1mA - 전류, 단락
NJM2855DL1-25-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2855DL1-25-TE1 0.3780
RFQ
 ECAD 6139 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NJM2855 8V 결정된 TO-252-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 600 µA - 긍정적인 1A 2.5V - 1 0.2v @ 600ma 75db (1khz) 전류, 이상 온도, 단락
NJU7222U50# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7222U50# -
RFQ
 ECAD 4322 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -25 ° C ~ 75 ° C 표면 표면 TO-243AA 14V 결정된 SOT-89 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - 긍정적인 100ma 5V - 1 0.6v @ 100ma - 단락
NJM78L08UA-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78L08UA-TE1 0.6300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA NJM78L08 30V 결정된 SOT-89 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 6 MA - 긍정적인 100ma 8V - 1 - 66dB (120Hz) 온도, 회로 단락
NR1640DC330AE1Q Nisshinbo Micro Devices Inc. NR1640DC330AE1Q 0.7500
RFQ
 ECAD 2086 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 5.5V 결정된 SOT-23-5-DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 450 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 3.3v - 1 0.2v @ 200ma 80dB (1kHz ~ 100kHz) "
NJM2872BF18-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2872BF18-TE1 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 NJM2872 14V 결정된 SOT-23-5 (MTP5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 180 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.8V - 1 0.1V @ 60ma 75db (1khz) 전류, 단락
R1172N321B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172N321B-TR-FE 0.5250
RFQ
 ECAD 4135 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1172 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.2v - 1 0.18V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP901K009C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP901K009C-TR 0.8850
RFQ
 ECAD 1586 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP901K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 RP901 5.5V 조절할 조절할있는 DFN (PL) 2527-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 1.2MHz 긍정적인 예 800ma 1.2V 1.8V 4.5V
R3111Q571C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q571C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 5707 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 전압 전압 R3111 확인되지 확인되지 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 5.7V 최대 100µs
R1130H301A-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1130H301A-T1-FE 0.4929
RFQ
 ECAD 2835 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1130X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-89-5/6 R1130 8V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3V - 1 0.34V @ 100ma 60dB (1kHz) 전류에 전류에
R3119N078A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119N078A-TR-FE 0.5550
RFQ
 ECAD 1671 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3119 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 7.8V 45ms
R3117Q132A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117Q132A-TR-FE 0.3381
RFQ
 ECAD 6665 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 전압 전압 R3117 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.3V 전형적인 80µs
NJM79M08FA Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM79M08FA -
RFQ
 ECAD 5928 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 -35V 결정된 TO-220F 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 500 5 MA - 부정적인 500ma -8V - 1 - 55dB (120Hz) 온도, 회로 단락
NJM3775D2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM3775D2 -
RFQ
 ECAD 8469 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 125 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 22-DIP (0.400 ", 10.16mm) NJM3775 양극성 4.75V ~ 5.25V 22-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 20 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 평행한 하프 하프 (4) 750ma 10V ~ 40V 양극성 - 1, 1/2
R1180N311B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180N311B-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 6749 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1180 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.1V - 1 0.4V @ 150ma - 전류에 전류에
RP106K101B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP106K101B-TR 0.4650
RFQ
 ECAD 9006 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp106x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn RP106 3.6v 결정된 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 400ma 1V - 1 0.45V @ 400ma 60dB (10kHz) 전류에 전류에
R3111N411C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111N411C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.1V 최대 100µs
RP111H081B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP111111H081B-T1-FE 0.5565
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp111x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 RP111 5.25V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 0.8V - 1 0.8V @ 500MA 75dB (10kHz) 현재, 이상 온도
R1154H100B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1154H100B-T1-FE 0.4134
RFQ
 ECAD 2734 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SOT-89-5/6 R1154 24V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 10 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 10V - 1 0.5V @ 20MA - 전류, 이상 온도, 단락
R3114Q431C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114Q431C-TR-FE 0.3074
RFQ
 ECAD 8045 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3114 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.3V 40µs
RP173K501B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173K501B-TR 0.1800
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP173 11V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 3.7 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 5V - 1 0.76V @ 150mA - 전류, 전류 역전
R1172N311D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172N311D-TR-FE 0.5250
RFQ
 ECAD 3028 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1172 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.1V - 1 0.18V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
NJM2397F Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2397F -
RFQ
 ECAD 5863 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-4 4 팩 35V 조절할 조절할있는 TO-220F-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 5 MA - 긍정적인 1.5A 1.5V 20V 1 0.5V @ 500MA 55dB (120Hz) 전류, 이상 온도, 전압
RP109Q362D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109Q362D-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 6808 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP109 5.25V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.6v - 1 0.32v @ 150ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R1173H221D-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173H21D-T1-FE 0.5724
RFQ
 ECAD 4822 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1173 6V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 2.2V - 1 0.32v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP114K271B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114K271B-TR 0.4350
RFQ
 ECAD 7112 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP114 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.7V - 1 0.3v @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
RP102K281D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102K281D-TR 1.0800
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP102 5.25V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.8V - 1 0.19V @ 300MA - 전류에 전류에
NJM78LR05DD# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78LR05DD# 0.5616
RFQ
 ECAD 1850 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) NJM78LR05 18V 결정된 8-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 3.4 MA 다시 다시 긍정적인 100ma 5V - 1 - 79dB (120Hz) 온도, 회로 단락
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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