RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

전력 전력 (PMIC) (7564)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전류 - 공급	전압 - 입력	전압- 최대 (입력)	출력 출력	온도 온도	sic 프로그램 가능	산출	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	참조 참조	전압- v (VCC/VDD)	인터페이스	출력 출력	다시 다시	현재 -Quiescent (iq)	채널 채널	토폴로지	주파수 - 스위칭	제어 제어	출력 출력	출력 출력	듀티 듀티 (사이클)	동기 동기	클록 클록	직렬 직렬	현재 - 출력	전압 - 하중	구동 구동	드라이버 드라이버	게이트 게이트	논리 논리 - vil, vih	현재- 출력 피크 (소스, 싱크)	상승 / 시간 낙하 (타이핑)	모터 모터 - 타입	모터 모터 -AC, DC	단계 단계	모니터링되는 모니터링되는 수	전압 - 값 임계	시간 시간 재설정합니다	전압- 최소 (출력/고정)	노이즈 -0.1Hz ~ 10Hz	-10Hz ~ 10kHz	전류 - 음극	전압- 최대 (출력)	전압- 최소 (입력)	규제 규제 수	전압 전압 아웃 (최대)	PSRR	보호 보호
NJW4184U2-33A-TE2	1.7900	RFQ	1402	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-89-5/6		NJW4184					35V	결정된					SOT-89-5	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	1,000							12 µA				할 할있게 수	긍정적인						300ma														3.3v				-		1	0.1v @ 100ma	40dB (1kHz)	전류에 전류에
NJW4185DL3-33-TE2	0.5708	RFQ	3274	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭)		NJW4185					40V	결정된					TO-252-5	다운로드				귀 99	8542.39.0001	3,000							90 µA				할 할있게 수	긍정적인						500ma														3.3v				-		1	-	62db (1khz)	현재, 이상 온도
NJM12856DL3-18-TE1	0.3942	RFQ	5595	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭)		NJM12856					6.5V	결정된					TO-252-5	다운로드				귀 99	8542.39.0001	3,000							600 µA				활성화, 스타트 소프트	긍정적인						1A														1.8V				-		1	-	76dB (1khz)	전류, 역전, 온도 전류
R1180D121C-TR-FE	0.2613	RFQ	3472	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R1180X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-563, SOT-666		R1180					6V	결정된					SON1612-6	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	4,000							1.5 µA				-	긍정적인						150ma														1.2V				-		1	1.2v @ 150ma	-	전류에 전류에
RP500K181A-TR	0.8850	RFQ	1358	Nisshinbo Micro Devices Inc.	RP500X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	6-ufdfn 노출 패드		RP500					5.5V	결정된					DFN (PL) 1820-6	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	5,000	뿌리 뿌리				1				책임	1.2MHz		긍정적인			예			900ma														1.8V				-	2.55V
RP101N131B-TR-FE	0.4800	RFQ	8441	Nisshinbo Micro Devices Inc.	rp101x	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753		RP101					5.25V	결정된					SOT-23-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000							25 µA				할 할있게 수	긍정적인						300ma														1.3V				-		1	0.5V @ 150ma	75db (1khz)	전류에 전류에
R1190S090D-E2-FE	0.6678	RFQ	4756	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R1190X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀		R1190					16V	결정된					6-HSOP-J	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	1,000							220 µA				할 할있게 수	긍정적인						1A														9V				-		1	1.3v @ 1a	60dB (1kHz)	전류, 이상 온도, 단락
R1154N050B-TR-FE	0.8300	RFQ	39	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R1154X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	SC-74A, SOT-753		R1154					24V	결정된					SOT-23-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000							10 µA				할 할있게 수	긍정적인						150ma														5V				-		1	0.4V @ 150ma	-	현재, 이상 온도
R1154H100B-T1-FE	0.4134	RFQ	2734	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R1154X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	SOT-89-5/6		R1154					24V	결정된					SOT-89-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	1,000							10 µA				할 할있게 수	긍정적인						150ma														10V				-		1	0.5V @ 20MA	-	전류, 이상 온도, 단락
NJW4832KH1-B-TE3	0.6798	RFQ	4247	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	6-xfdfn 노출 패드		NJW4832	비 비							확인되지 확인되지		4.6V ~ 40V	6-DFN (1.6x1.6)	다운로드				귀 99	8542.39.0001	3,000								하나의												하이 하이	1	P 채널 MOSFET	0.9V, 2.64V	-	10µs, 10µs
NJM2822F-TE1	0.3105	RFQ	7244	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 0.7%	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753		NJM2822			-	1.25V ~ 13V		조절할 조절할있는	-				SOT-23-5 (MTP5)	-				귀 99	8542.39.0001	3,000		분로																30 MA														1.25V	-	-	500 µA	13 v
R1501S120B-E2-FE	1.6800	RFQ	2759	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R1501X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀		R1501					24V	결정된					6-HSOP-J	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	1,000							160 µA				할 할있게 수	긍정적인						1A														12V				-		1	0.7v @ 1a	50dB (1kHz)	전류, 이상 온도, 단락
NJM79L06L2A	-	RFQ	9378	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)							-30V	결정된					To-92-3	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	500							6 MA				-	부정적인						100ma														-6V				-		1	-	68dB (120Hz)	온도, 회로 단락
NJM37717E3	-	RFQ	5716	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	쓸모없는		-20 ° C ~ 125 ° C (TJ)	범용	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		NJM37717		양극성								4.75V ~ 5.25V	24-EMP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	25	드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지			평행한								하프 하프 (2)						1A	10V ~ 56V							양극성	-	1, 1/2
R1190S033B-E2-FE	0.6678	RFQ	9803	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R1190X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀		R1190					16V	결정된					6-HSOP-J	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	1,000							220 µA				할 할있게 수	긍정적인						1A														3.3v				-		1	2.3v @ 1a	60dB (1kHz)	전류, 이상 온도, 단락
RP110L321B-TR	0.2550	RFQ	8572	Nisshinbo Micro Devices Inc.	RP110X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	4-xdfn d 패드		RP110					5.25V	결정된					DFN1010-4	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	10,000							2 µA				할 할있게 수	긍정적인						150ma														3.2v				-		1	0.35V @ 150mA	-	전류에 전류에
RP171N481D-TR-FE	0.5600	RFQ	2	Nisshinbo Micro Devices Inc.	RP171X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	SC-74A, SOT-753		RP171					10V	결정된					SOT-23-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000							40 µA				할 할있게 수	긍정적인						150ma														4.8V				-		1	0.75V @ 150mA	-	현재, 이상 온도
RP130N261D-TR-FE	0.1972	RFQ	5564	Nisshinbo Micro Devices Inc.	RP130X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	SC-74A, SOT-753		RP130					6.5V	결정된					SOT-23-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000							58 µA				할 할있게 수	긍정적인						150ma														2.6v				-		1	0.51V @ 150mA	80db (1khz)	전류에 전류에
R3114K091A-TR	0.3000	RFQ	9061	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R3114X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	4-udfn n 패드	전압 전압	R3114									열린 열린 또는 배수 수집기		DFN (PL) 1010-4	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	10,000						활성 활성																							1	0.9V	40µs
R3132Q23EC2-TR-FE	0.2920	RFQ	3725	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R3132X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-82AB	전압 전압	R3132									푸시 푸시, 풀 기둥		SC-82AB	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000						활성 활성																							1	2.32V	최소 204ms
R1224N332H-TR-FE	0.7950	RFQ	7511	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753		R1224						트랜지스터 트랜지스터					SOT-23-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000	뿌리 뿌리		2.3V ~ 18.5V		1				책임	500kHz	할 할있게 수	긍정적인	1	100%	아니요	아니요	-
NJM2856GM1-33-TE2	0.4664	RFQ	3105	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드		NJM2856					8V	결정된					8 시간	다운로드				귀 99	8542.39.0001	3,000							600 µA				할 할있게 수	긍정적인						1A														3.3v				-		1	0.2v @ 600ma	75db (1khz)	전류, 이상 온도, 단락
RP102Z281D-TR-F	0.6600	RFQ	8716	Nisshinbo Micro Devices Inc.	RP102X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	4-UFBGA, WLCSP		RP102					5.25V	결정된					WLCSP-4-P2	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	5,000							70 µA				할 할있게 수	긍정적인						300ma														2.8V				-		1	0.19V @ 300MA	-	전류에 전류에
RP112Q332B-TR-FE	0.5100	RFQ	3369	Nisshinbo Micro Devices Inc.	rp112x	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		RP112					5.25V	결정된					SC-88A	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000							100 µa				할 할있게 수	긍정적인						150ma														3.3v				-		1	0.28V @ 150mA	80dB ~ 65dB (1kHz ~ 100kHz)	전류에 전류에
nju7662d	2.5700	RFQ	1	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)		NJU7662					20V	결정된					8-DIP	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	50	비율				1				충전 충전	10kHz		긍정적이거나 긍정적이거나			아니요			-														-Vin, 2vin				-	4.5V
R1114Q231B-TR-FE	0.2613	RFQ	8394	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R1114X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-82AB		R1114					6V	결정된					SC-82AB	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000							95 µA				할 할있게 수	긍정적인						150ma														2.3V				-		1	0.5V @ 150ma	70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz)	전류에 전류에
R3111N321A-TR-FE	0.2459	RFQ	6736	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R3111X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	SC-74A, SOT-753	전압 전압	R3111									열린 열린 또는 배수 수집기		SOT-23-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000						활성 활성																							1	3.2v	최대 100µs
R3112N161C-TR-FE	0.6400	RFQ	90	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R3112X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753	전압 전압	R3112								확인되지 확인되지	푸시 푸시, 풀 기둥		SOT-23-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000						활성 활성																							1	1.6V	-
RP170H481D-T1-FE	0.2523	RFQ	9611	Nisshinbo Micro Devices Inc.	RP170X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	SOT-89-5/6		RP170					10V	결정된					SOT-89-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	1,000							40 µA				할 할있게 수	긍정적인						300ma														4.8V				-		1	0.75V @ 300MA	-	현재, 이상 온도
RP130N131D-TR-FE	0.5600	RFQ	100	Nisshinbo Micro Devices Inc.	RP130X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	SC-74A, SOT-753		RP130					6.5V	결정된					SOT-23-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000							58 µA				할 할있게 수	긍정적인						150ma														1.3V				-		1	1.03v @ 150ma	80db (1khz)	전류에 전류에

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

전력 전력 (PMIC) (7564)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²