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전력 전력 (PMIC) (7564)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 기술 전류 - 공급 전압 - 입력 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 - 채널 / 출력 인터페이스 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 로드로드 RDS ON (TYP) 전류 - 출력 피크 전압 - 하중 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
RP114N291D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114N291D-TR-FE 0.8700
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP114 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.9V - 1 0.3v @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R1204N113G-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1204N113G-TR-FE 0.6750
RFQ
 ECAD 5979 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1204X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 R1204 5.5V 조절할 조절할있는 TSOT-23-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 1MHz 긍정적인 아니요 900ma - - 2.3V
RP504N311C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504N311C-TR-FE 0.7950
RFQ
 ECAD 6247 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP504 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 예 600ma 3.1V - 2.3V
RP106K121D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP106K121D-TR 0.4650
RFQ
 ECAD 8592 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp106x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn RP106 3.6v 결정된 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 400ma 1.2V - 1 0.38V @ 400MA 60dB (10kHz) 전류에 전류에
NJM2396F33 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2396F33 -
RFQ
 ECAD 9095 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-4 4 팩 35V 결정된 TO-220F-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 할 할있게 수 긍정적인 1.5A 3.3v - 1 0.5V @ 500MA 60dB (120Hz) 전류, 이상 온도, 전압
RP114Q102D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114Q102D-TR-FE 0.4050
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP114 5.25V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1V - 1 0.59V @ 300MA 75db (1khz) 전류에 전류에
R3119N054E-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119N054E-TR-FE 0.5550
RFQ
 ECAD 5534 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3119 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 5.4V 15µs
R3112N281C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112N281C-TR-FE 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3112 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.8V -
RP109L171D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109L171D-TR 0.2550
RFQ
 ECAD 9223 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xdfn d 패드 RP109 5.25V 결정된 DFN1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.7V - 1 0.54V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
R3130N29EC-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3130N29EC-TR-FE 0.5100
RFQ
 ECAD 6815 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3130N 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 전압 전압 R3130 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.9V 216ms
R1114N321D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114N321D-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 3737 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1114 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.2v - 1 0.35V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
R1114D171B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114D171B-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 7625 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 R1114 6V 결정된 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.7V - 1 0.6V @ 150ma 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
R3118N091C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118N091C-TR-FE 0.3535
RFQ
 ECAD 8318 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3118 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 0.9V 70ms
RP100K151B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100K151B-TR 0.2850
RFQ
 ECAD 2162 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP100 5.25V 결정된 DFN (PL) 1612-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.5V - 1 0.38V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
RP102Z171D-TR-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102Z171D-TR-F 0.6600
RFQ
 ECAD 5334 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP RP102 5.25V 결정된 WLCSP-4-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.7V - 1 0.28V @ 300MA 80db (1khz) 전류에 전류에
R1190H050D-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190H050D-T1-FE 0.6360
RFQ
 ECAD 9277 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1190 16V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 220 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 5V - 1 1.85V @ 1a 60dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
RP508K181B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP508K181B-TR 0.8400
RFQ
 ECAD 8393 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP508K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn RP508 5.5V 결정된 DFN (PL) 1212-6f 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 6MHz 긍정적인 예 600ma 1.8V - 2.3V
RP102Z221D-TR-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102Z221D-TR-F 0.6600
RFQ
 ECAD 8538 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP RP102 5.25V 결정된 WLCSP-4-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.2V - 1 0.24V @ 300MA - 전류에 전류에
RP131S151B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131S151B-E2-FE 0.4293
RFQ
 ECAD 6664 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP131 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.5V - 1 1.1v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP115L121D-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP115L121D-E2 1.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp115x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 RP115 5.25V 결정된 DFN1216-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 160 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.2V - 1 0.275V @ 1a 80db (1khz) 전류, 역전, 온도 전류
R3111Q221C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q221C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 6929 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.2V 최대 100µs
RP131H151B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131H151B-T1-FE 0.9100
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-89-5/6 RP131 6.5V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.5V - 1 1.1v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
NJM2103M-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2103M-TE2 -
RFQ
 ECAD 1270 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 전원 전원 장치, 감독자 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) NJM2103 460 µA 4.1V ~ 4.4V 확인되지 확인되지 0.8V ~ 20V 8-DMP 다운로드 쓸모없는 2,000
NJW4301D# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJW4301D# -
RFQ
 ECAD 1778 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) DC 모터, 모터 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) - NJW4301 BI-CMOS 4V ~ 12V 16-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - 논리 온도 온도 하프 하프 (4) 유도 유도 - - 4V ~ 12V
R3114K181A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114K181A-TR 0.3000
RFQ
 ECAD 8949 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3114 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 1.8V 40µs
RP503N152A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP503N152A-TR-FE 0.8550
RFQ
 ECAD 5877 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP503X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP503 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 2MHz 긍정적인 예 600ma 1.5V - 2.5V
R3114K081C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114K081C-TR 0.3000
RFQ
 ECAD 8575 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3114 푸시 푸시, 풀 기둥 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 0.8V 40µs
R1517S502D-E2-KE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1517S502D-E2-KE 1.4602
RFQ
 ECAD 3165 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1517X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1517 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 36 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 5V - 1 0.62V @ 500MA - 현재, 이상 온도
RP130N221D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130N221D-TR-FE 0.1972
RFQ
 ECAD 8161 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP130 6.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 58 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.2V - 1 0.63V @ 150mA 80db (1khz) 전류에 전류에
RP152N005C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152N005C-TR-FE 0.4350
RFQ
 ECAD 8291 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 RP152 5.25V 결정된 SOT-23-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 3.3V, 1.2V - 2 0.32v @ 150ma, 0.62v @ 150ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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