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전력 전력 (PMIC) (7564)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 전압- v (VCC/VDD) 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 짐 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
R1180Q121C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180Q121C-TR-FE 0.2306
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82A, SOT-343 R1180 6V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1.5 µA - 긍정적인 150ma 1.2V - 1 1.2v @ 150ma - 전류에 전류에
R5115S111A-E2-YE Nisshinbo Micro Devices Inc. R5115S111A-E2-YE 2.0400
RFQ
 ECAD 4146 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5115X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 전압 전압 R5115 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 8 HSOP-E 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 5V 184ms
R3111N361C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111N361C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 6455 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.6v 최대 100µs
NJU7771F33-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7771F33-TE1 0.3381
RFQ
 ECAD 8569 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 NJU7771 9V 결정된 SOT-23-5 (MTP5) 다운로드 귀 99 8542.33.0001 3,000 35 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.3v - 1 0.25V @ 100ma 65db (1khz) 전류, 이상 온도, 단락
R3111Q452C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q452C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 2349 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.5V 최대 100µs
R1210N272C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210N272C-TR-FE 0.6300
RFQ
 ECAD 9768 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210NXX2X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1210 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 100kHz 긍정적인 아니요 2MA - 2.7V -
R3116K081C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116K081C-TR 0.3000
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3116 푸시 푸시, 풀 기둥 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 0.8V 80ms
RP171N401B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP171N401B-TR-FE 0.1972
RFQ
 ECAD 4355 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP171X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP171 10V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 4V - 1 0.75V @ 150mA - 현재, 이상 온도
R3116K241A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116K241A-TR 0.3000
RFQ
 ECAD 6744 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3116 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2.4V 최소 85ms
RP170N461D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP170N461D-TR-FE 0.2136
RFQ
 ECAD 6576 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP170X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP170 10V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 4.6v - 1 0.75V @ 300MA - 현재, 이상 온도
R1172D181A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172D181A-TR-FE 0.5700
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 노출 패드 패드 R1172 6V 결정된 6-HSON (2.9x2.8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.8V - 1 0.32v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP173K551A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173K551A-TR 0.1800
RFQ
 ECAD 6894 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP173 11V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 3.7 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 5.5V - 1 0.76V @ 150mA - 전류, 전류 역전
R3111D301A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111D301A-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 4353 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 3V 최대 100µs
RP511Z181B-TR-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP511Z181B-TR-F 0.6750
RFQ
 ECAD 4523 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP511X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-XFBGA, WLCSP RP511 5.5V 결정된 WLCSP-8-P1 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 1MHz 긍정적인 아니요 100ma 1.8V - 2V
RP131J121D-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131J121D-T1-FE 0.4800
RFQ
 ECAD 4299 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭) RP131 6.5V 결정된 TO-252-5-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.2V - 1 1.38V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP173N551B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173N551B-TR-FE 0.1972
RFQ
 ECAD 9133 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP173 11V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 3.7 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 5.5V - 1 0.76V @ 150mA - 전류, 전류 역전
RP115L241B-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP115L241B-E2 0.5400
RFQ
 ECAD 2211 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp115x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 RP115 5.25V 결정된 DFN1216-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 160 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 2.4V - 1 0.11v @ 500ma 75db (1khz) 전류, 역전, 온도 전류
R1173H331B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173H331B-T1-FE 0.5724
RFQ
 ECAD 3183 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1173 6V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.3v - 1 0.18V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP150K009A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP150K009A-TR 0.5100
RFQ
 ECAD 5270 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP150K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 RP150 5.25V 조절할 조절할있는 DFN (PL) 2020-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 33 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 1.5V 3.3v 2 1V @ 300MA 80db (1khz) 전류에 전류에
RP115L121D5-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP115L121D5-E2 1.2600
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp115x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 RP115 5.25V 결정된 DFN1216-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 160 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.25V - 1 0.275V @ 1a 80db (1khz) 전류, 역전, 온도 전류
NJM12856U2-18-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM12856U2-18-TE1 0.2656
RFQ
 ECAD 9539 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 NJM12856 6.5V 결정된 SOT-89-5 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,000 600 µA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 1A 1.8V - 1 - 76dB (1khz) 전류, 역전, 온도 전류
RP202K181B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP202K181B-TR 0.3450
RFQ
 ECAD 1993 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP202X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP202 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 5 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.8V - 1 0.39V @ 200mA 75db (1khz) 전류에 전류에
R1514S025B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1514S025B-E2-FE 0.7155
RFQ
 ECAD 9887 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1514X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1514 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 20 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.5V - 1 1.5V @ 20MA - 전류, 이상 온도, 단락
NJU7741F33-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7741F33-TE1 0.2877
RFQ
 ECAD 3011 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 NJU7741 9V 결정된 SOT-23-5 (MTP5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 3.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 3.3v - 1 0.17V @ 60MA - 전류, 단락
R3111N411C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111N411C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.1V 최대 100µs
RP152L011B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152L011B-TR 0.4500
RFQ
 ECAD 3822 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP152 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 1.8V, 1.5V - 2 0.46V @ 150MA, 0.55V @ 150ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
R1224N552M-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1224N552M-TR-FE 0.7950
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1224 트랜지스터 트랜지스터 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 2.3V ~ 18.5V 1 책임 180kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 100% 아니요 아니요 -
RP118K301B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP118K301B-TR 0.3150
RFQ
 ECAD 3800 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP118 5.5V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 0.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 3V - 1 0.16v @ 100ma - 전류에 전류에
RN5RZ20BA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RZ20BA-TR-FE 0.4650
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rx5rz 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN5RZ20 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 2V - 1 0.3v @ 60ma 55dB (1kHz) 전류에 전류에
R3116K281A-TR-Y Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116K281A-TR-Y 0.4650
RFQ
 ECAD 1363 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3116 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2.8V 최소 85ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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