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전력 전력 (PMIC) (7564)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전류 - 공급 전압 - 입력 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 짐 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
RP110Q312B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110Q312B-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 9097 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP110 5.25V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.1V - 1 0.35V @ 150mA - 전류에 전류에
RP114N281D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114N281D-TR-FE 0.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP114 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.8V - 1 0.3v @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R1524S090B-E2-KE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524S090B-E2-KE 1.3833
RFQ
 ECAD 8110 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1524 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 6.8 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 9V - 1 1.2v @ 200ma - 전류, 이상 온도, 단락
RP111L251D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP11111251D-TR 0.5250
RFQ
 ECAD 6909 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp111x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP111 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 2.5V - 1 0.34V @ 500MA 75db (1khz) 현재, 이상 온도
RP131H141D-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131H141D-T1-FE 0.4134
RFQ
 ECAD 2224 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-89-5/6 RP131 6.5V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.4V - 1 1.38V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R3111N272C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111N272C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 5095 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.7V 최대 100µs
RN5VD25CA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD25CA-TR-FE 0.2737
RFQ
 ECAD 9294 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 RN5VD25 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 1 2.5V -
R3116N081C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116N081C-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 3203 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3116 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 0.8V 80ms
RN5RF32AA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF32AA-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN5RF32 10V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.2v - 1 0.2v @ 100ma 60dB (1kHz) 전류에 전류에
RP109N091D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109N091D-TR-FE 0.2306
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP109 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 0.9V - 1 0.91V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
R1180Q231B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180Q231B-TR-FE 0.2306
RFQ
 ECAD 2166 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB R1180 6V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.3V - 1 0.55V @ 150mA - 전류에 전류에
RP112K481D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP112K481D-TR 0.5700
RFQ
 ECAD 9391 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp112x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP112 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 150ma 4.8V - 1 0.28V @ 150mA 80dB ~ 65dB (1kHz ~ 100kHz) 전류에 전류에
R3117N271C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117N271C-TR-FE 0.3381
RFQ
 ECAD 5754 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3117 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.7V 전형적인 80µs
R1501J060B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501J060B-T1-FE 0.7500
RFQ
 ECAD 8197 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭) R1501 24V 결정된 TO-252-5-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 160 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 6V - 1 0.9V @ 1a 60dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
R1114N401D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114N401D-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 1790 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1114 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 4V - 1 0.35V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
R3111D201A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111D201A-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 1372 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 2V 최대 100µs
R1191L120B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191L120B-TR 0.4800
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 R1191 16V 결정된 DFN1616-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 300ma 12V - 1 0.6V @ 300ma 60dB (1kHz) 온도, 전류 반전, 단락
R3116Q111A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116Q111A-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 8472 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82A, SOT-343 전압 전압 R3116 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.1V 80ms
RP106K181D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP106K181D-TR 0.4650
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp106x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn RP106 3.6v 결정된 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 400ma 1.8V - 1 0.31V @ 400MA 60dB (10kHz) 전류에 전류에
RP502L121B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP502L121B-TR -
RFQ
 ECAD 3525 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP502X 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP502 5.5V 결정된 DFN1616-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 3.3MHz 긍정적인 예 - 1.2V - 2.5V
R3112N371C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112N371C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 3485 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3112 확인되지 확인되지 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.7V -
R3132D23EA2-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132D23EA2-TR-FE 0.3074
RFQ
 ECAD 7876 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3132 열린 열린 또는 배수 수집기 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 2.32V 최소 204ms
RP114Q152D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114Q152D-TR-FE 0.4050
RFQ
 ECAD 6436 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP114 5.25V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.5V - 1 0.44V @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
RH5RZ25CA-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RH5RZ25CA-T1-FE 1.0800
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rx5rz 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA RH5RZ25 8V 결정된 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 2.5V - 1 0.3v @ 60ma 55dB (1kHz) 전류에 전류에
R3200K001B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3200K001B-TR 1.0800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 타이머를 타이머를 R3200 열린 열린, 배수구 풀 DFN (PL) 2020-8B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 활성 활성 1 - 최소 6.75s
R5117S002A-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R5117S002A-E2-FE 1.5750
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 전압 전압 R5117 - 8 HSOP-E 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 5.2v 2ms
R1114Q331D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114Q331D-TR-FE 0.6800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82A, SOT-343 R1114 6V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.3v - 1 0.35V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
R3111Q091B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q091B-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 9121 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 전압 전압 R3111 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 0.9V 최대 100µs
NJM2103M Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2103M -
RFQ
 ECAD 5533 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 전원 전원 장치, 감독자 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) NJM2103 460 µA 4.1V ~ 4.4V 확인되지 확인되지 0.8V ~ 20V 8-DMP 다운로드 쓸모없는 100
RP300N11DA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300N11DA-TR-FE 0.1972
RFQ
 ECAD 3334 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 RP300 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.1V 190ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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