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전력 전력 (PMIC) (7564)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 채널 채널 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
RP109K341D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109K341D-TR 0.2700
RFQ
 ECAD 7932 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 RP109 5.25V 결정된 DFN (PL) 0808-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.4V - 1 0.32v @ 150ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R1180Q271B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180Q271B-TR-FE 0.2306
RFQ
 ECAD 3655 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB R1180 6V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.7V - 1 0.55V @ 150mA - 전류에 전류에
RP100N331D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100N331D-TR-FE 0.7200
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP100 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 3.3v - 1 0.23V @ 150mA - 전류에 전류에
R1170H371B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1170H371B-T1-FE 0.5406
RFQ
 ECAD 9459 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1170X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1170 7V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 160 µA 할 할있게 수 긍정적인 800ma 3.7V - 1 0.18V @ 300MA 50dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP402K281C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP402K281C-TR 0.7800
RFQ
 ECAD 7259 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP402X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 RP402 4.8V 결정된 DFN (PL) 2020-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 예 800ma 2.8V - 0.6V
R3118N131A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118N131A-TR-FE 0.3535
RFQ
 ECAD 4971 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3118 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.3V 70ms
R3118K211A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118K211A-TR 0.3600
RFQ
 ECAD 2385 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 전압 전압 R3118 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 활성 활성 1 2.1V 전형적인 80µs
R3111H271C-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111H271C-T1-FE 0.3222
RFQ
 ECAD 6825 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-243AA 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 2.7V 최대 100µs
R3114Q091C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114Q091C-TR-FE 0.3074
RFQ
 ECAD 6186 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3114 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 0.9V 40µs
R1516H033B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1516H033B-T1-FE 0.7155
RFQ
 ECAD 1103 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1516X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1516 36v 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 45 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.3v - 1 0.98V @ 20MA - 전류, 이상 온도, 단락
RP401N001C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401N001C-TR-FE 0.6450
RFQ
 ECAD 8486 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP401 5.5V 조절할 조절할있는 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 500ma 1.8V 5.5V 0.6V
RP131S131D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131S131D-E2-FE 0.4293
RFQ
 ECAD 2346 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP131 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.3V - 1 1.38V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP132K531B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132K531B-TR 0.4500
RFQ
 ECAD 6821 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP132 6.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 5.3v - 1 0.68V @ 1a 60dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R1500H090B-T1-JE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1500H090B-T1-JE 1.1989
RFQ
 ECAD 3177 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. 자동차, AEC-Q100, R1500X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SOT-89-5/6 R1500 24V 결정된 SOT-89-5 다운로드 1 (무제한) 2129-R1500H090B-T1-JETR 귀 99 8542.39.0001 1,000 140 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 9V - 1 0.155V @ 200mA - 전류, 이상 온도, 단락
R1130H181B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1130H181B-T1-FE 0.4929
RFQ
 ECAD 5499 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1130X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-89-5/6 R1130 8V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.8V - 1 0.75v @ 100ma 60dB (1kHz) 전류에 전류에
R3117N303C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117N303C-TR-FE 0.3381
RFQ
 ECAD 1079 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3117 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3V 전형적인 80µs
RP600K001B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP600K001B-TR 1.1400
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP600K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 RP600 5.5V 결정된 DFN (PL) 2527-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 500ma 4.2V - 0.8V
R1180N231C-TR-YE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180N231C-TR-YE 0.9400
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1180 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1.5 µA - 긍정적인 150ma 2.3V - 1 0.55V @ 150mA - 전류에 전류에
RP114K161D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114K161D-TR 0.4350
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP114 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.6V - 1 0.44V @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
NJM78M09SDL1-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78M09SDL1-TE1 0.3203
RFQ
 ECAD 5506 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NJM78M09 35V 결정된 TO-252-3 - 귀 99 8542.39.0001 3,000 6 MA - 긍정적인 500ma 9V - 1 1.8V @ 500MA 70dB (120Hz) 현재, 이상 온도
RP131S251B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131S251B-E2-FE 0.4293
RFQ
 ECAD 4166 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP131 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 2.5V - 1 1.1v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R3119N090A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119N090A-TR-FE 1.2900
RFQ
 ECAD 3336 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3119 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 1 9V 45ms
R1191N048D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191N048D-TR-FE 0.4350
RFQ
 ECAD 6781 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1191 16V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 300ma 4.8V - 1 1.8V @ 300MA 70dB (1kHz) 온도, 전류 반전, 단락
NJW4832KH1-B-TE3 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJW4832KH1-B-TE3 0.6798
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 NJW4832 비 비 확인되지 확인되지 4.6V ~ 40V 6-DFN (1.6x1.6) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 하나의 하이 하이 1 P 채널 MOSFET 0.9V, 2.64V - 10µs, 10µs
NJM2800U3342-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2800U3342-TE1 1.1448
RFQ
 ECAD 3352 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 NJM2800 14V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 350 µA - 긍정적인 150ma 3.3v - 1 0.18V @ 60MA 60dB (1kHz) 온도, 회로 단락
NJW4184DL3-08A-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJW4184DL3-08A-TE2 0.6570
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭) NJW4184 35V 결정된 TO-252-5 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 12 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 8V - 1 0.1v @ 100ma 33db (1khz) 현재, 이상 온도
R1180Q301B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180Q301B-TR-FE 0.6000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB R1180 6V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3V - 1 0.4V @ 150ma - 전류에 전류에
RP505K101B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP505K101B-TR 0.8250
RFQ
 ECAD 5307 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP505K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 RP505 5.5V 결정된 DFN (PL) 2020-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 예 1A 1V - 2.3V
RP124N233E-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP124N233E-TR-FE 0.3900
RFQ
 ECAD 1588 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP124X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP124 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 0.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 2.3V - 1 0.23v @ 100ma - 전류에 전류에
RP502L181B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP502L181B-TR -
RFQ
 ECAD 3826 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP502X 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP502 5.5V 결정된 DFN1616-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 3.3MHz 긍정적인 예 - 1.8V - 2.5V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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