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전력 전력 (PMIC) (7564)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전류 - 공급 전압 - 입력 전압- 최대 (입력) 출력 출력 온도 온도 산출 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 참조 참조 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 노이즈 -0.1Hz ~ 10Hz -10Hz ~ 10kHz 전류 - 음극 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
R3112Q341A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112Q341A-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 5408 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3112 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.4V -
R3114Q341A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114Q341A-TR-FE 0.3074
RFQ
 ECAD 5526 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3114 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.4V 40µs
RP102Z181D-TR-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102Z181D-TR-F 1.5400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP RP102 5.25V 결정된 WLCSP-4-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.8V - 1 0.28V @ 300MA 80db (1khz) 전류에 전류에
RN5RF27BA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF27BA-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 9376 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN5RF27 10V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 2.7V - 1 0.2v @ 100ma 60dB (1kHz) 전류에 전류에
RP200K181B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP200K181B-TR 0.5100
RFQ
 ECAD 6370 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP200X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn RP200 5.25V 결정된 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 4 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.8V - 1 0.5V @ 300ma - 전류에 전류에
RP131H421B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131H421B-T1-FE 0.4134
RFQ
 ECAD 8138 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-89-5/6 RP131 6.5V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 4.2V - 1 0.65V @ 1a 60dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R3112D201C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112D201C-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 6996 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3112 푸시 푸시, 풀 기둥 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 2V -
RP102Z311D-TR-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102Z311D-TR-F 0.6600
RFQ
 ECAD 5215 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP RP102 5.25V 결정된 WLCSP-4-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3.1V - 1 0.19V @ 300MA - 전류에 전류에
R1501J100B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501J100B-T1-FE 0.7500
RFQ
 ECAD 6024 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭) R1501 24V 결정된 TO-252-5-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 160 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 10V - 1 0.775V @ 1a 50dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
R3111Q362A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q362A-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 5721 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.6v 최대 100µs
RP152L030B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152L030B-TR 0.4500
RFQ
 ECAD 1491 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP152 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 1.5V, 3.3V - 2 0.55V @ 150MA, 0.32V @ 150mA 70dB (1kHz) 전류에 전류에
R3130N30EC-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3130N30EC-TR-FE 0.5100
RFQ
 ECAD 5556 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3130N 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 전압 전압 R3130 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3V 216ms
R1191N060D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191N060D-TR-FE 0.4350
RFQ
 ECAD 3941 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1191 16V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 300ma 6V - 1 1V @ 300MA 60dB (1kHz) 온도, 전류 반전, 단락
R3132D23EC2-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132D23EC2-TR-FE 0.3074
RFQ
 ECAD 5936 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3132 푸시 푸시, 풀 기둥 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 2.32V 최소 204ms
RP110L191D5-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110L191D5-TR 0.2550
RFQ
 ECAD 5998 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xdfn d 패드 RP110 5.25V 결정된 DFN1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.95V - 1 0.6V @ 150ma - 전류에 전류에
RP171Q122D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP171Q122D-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 9234 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP171X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP171 10V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.2V - 1 1.8V @ 150mA 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
NJM431SF-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM431SF-TE1 0.1991
RFQ
 ECAD 4268 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 NJM431 - 2.495V ~ 36V 조절할 조절할있는 - SOT-23-5 (MTP5) - 귀 99 8542.39.0001 3,000 분로 100 MA 2.495V - - 700 µA 36 v
NJM2828F3-09-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2828F3-09-TE1 0.2544
RFQ
 ECAD 4793 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 NJM2828 -12V 결정된 SC-88A - 귀 99 8542.39.0001 3,000 200 µA 활성화, 스타트 소프트 부정적인 100ma -9V - 1 - 65db (1khz) 현재, 이상 온도
NJU7741F18-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7741F18-TE1 0.2877
RFQ
 ECAD 8063 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 NJU7741 9V 결정된 SOT-23-5 (MTP5) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 3.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 1.8V - 1 0.19V @ 40MA - 전류, 단락
R3114K241C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114K241C-TR 0.3000
RFQ
 ECAD 1507 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3114 푸시 푸시, 풀 기둥 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2.4V 40µs
RD5RW26BA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RD5RW26BA-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 1724 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RX5RW 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB RD5RW26 8V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 3 µA 할 할있게 수 긍정적인 50ma 2.6v - 1 0.075V @ 1mA - 전류에 전류에
R3112Q321A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112Q321A-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 4836 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3112 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.2v -
RP600K013B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP600K013B-TR 1.1400
RFQ
 ECAD 9107 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP600K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 RP600 5.5V 결정된 DFN (PL) 2527-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 500ma 4.2V - 0.8V
RP110Q302C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110Q302C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP110 5.25V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3V - 1 0.35V @ 150mA - 전류에 전류에
R1524H080B-T1-YE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524H080B-T1-YE 1.1528
RFQ
 ECAD 4431 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SOT-89-5/6 R1524 36v 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 6.8 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 8V - 1 1.2v @ 200ma - 전류, 이상 온도, 단락
RP150K006B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP150K006B-TR 0.5100
RFQ
 ECAD 4634 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP150K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 RP150 5.25V 조절할 조절할있는 DFN (PL) 2020-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 33 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 1.5V 3.3v 2 1V @ 300MA 80db (1khz) 전류에 전류에
NJM2835DL1-12-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2835DL1-12-TE1 0.4644
RFQ
 ECAD 9498 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NJM2835 18V 결정된 TO-252-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 330 µA - 긍정적인 500ma 12V - 1 0.18V @ 300MA 75db (1khz) 현재, 이상 온도
RP103K261B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103K261B-TR 0.2700
RFQ
 ECAD 7308 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP103 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.6v - 1 0.3V @ 150ma - 전류에 전류에
RP105N091D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP105N091D-TR-FE 0.4950
RFQ
 ECAD 2313 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP105X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP105 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 400ma 0.9V - 1 0.3v @ 400ma 80db (1khz) 전압 전압 장치 (uvlo)
RP504L101A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504L101A-TR 0.8100
RFQ
 ECAD 7224 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP504 5.5V 결정된 DFN1616-6B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 예 600ma 1V - 2.3V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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