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전력 전력 (PMIC) (7564)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 - 채널 / 출력 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 내부 내부 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 전압- 최대 (공급) 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 디밍 전압- 최소 (공급) 전압 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
RP109K111D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109K111D-TR 0.2700
RFQ
 ECAD 3933 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 RP109 5.25V 결정된 DFN (PL) 0808-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.1V - 1 0.82V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
RP109N081D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109N081D-TR-FE 0.2306
RFQ
 ECAD 3662 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP109 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 0.8V - 1 1V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
NJW4615AF1-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJW4615AF1-TE1 0.3873
RFQ
 ECAD 5707 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 표면 표면 SOT-23-6 선의 NJW4615 - SOT-23-6-1 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 100ma 1 예 일정한 일정한 35V PWM 2.5V 35V
R1114Q351D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114Q351D-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 2812 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB R1114 6V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.5V - 1 0.35V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
RP101N191B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP101N191B-TR-FE 0.4800
RFQ
 ECAD 7433 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp101x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP101 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.9V - 1 0.34V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
RP109L181D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109L181D-TR 0.2550
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xdfn d 패드 RP109 5.25V 결정된 DFN1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.8V - 1 0.48V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
R3112N471A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112N471A-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 7409 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3112 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.7V -
R3118N251A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118N251A-TR-FE 0.3535
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3118 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.5V 70ms
NJM2846DL3-25-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2846DL3-25-TE1 0.4860
RFQ
 ECAD 8380 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭) NJM2846 14V 결정된 TO-252-5 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 600 µA 할 할있게 수 긍정적인 800ma 2.5V - 1 0.18V @ 500MA 75db (1khz) 전류, 이상 온도, 단락
RP201K311D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP201K311D-TR 0.3150
RFQ
 ECAD 9404 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP201X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn RP201 5.25V 결정된 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 4 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.1V - 1 0.18V @ 150mA - 전류에 전류에
R1210N251D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210N251D-TR-FE 0.6300
RFQ
 ECAD 2453 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210NXX1X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1210 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 180kHz 긍정적인 아니요 400ma - 2.5V -
R1210N502C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210N502C-TR-FE 0.6300
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210NXX2X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1210 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 100kHz 긍정적인 아니요 4MA - 5V -
R1114D331D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114D331D-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 5351 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 R1114 6V 결정된 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.3v - 1 0.35V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
R3119N085A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119N085A-TR-FE 0.5550
RFQ
 ECAD 1779 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3119 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 8.5V 45ms
RN5VD09CA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD09CA-TR-FE 0.2737
RFQ
 ECAD 4900 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 RN5VD09 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 1 0.9V -
R3200K002B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3200K002B-TR 0.4650
RFQ
 ECAD 6916 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3200X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 타이머를 타이머를 R3200 열린 열린, 배수구 풀 DFN (PL) 2020-8B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 활성 활성 1 조정 조정/가능 가능 최소 6.75s
RP604K361B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP604K361B-TR 1.0800
RFQ
 ECAD 6656 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP604X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 12-ufdfn 노출 패드 RP604 5.5V 결정된 DFN (PL) 2730-12 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝/업 다운 1 벅-부스트 - 긍정적인 아니요 300ma 3.6v - 1.8V
RP510L004J-TR-Y Nisshinbo Micro Devices Inc. RP510L004J-TR-Y 2.0100
RFQ
 ECAD 5293 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP510L 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 12-Wfdfn d 패드 패드 RP510 5.5V 조절할 조절할있는 DFN3030-12 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.3MHz 긍정적인 예 4a 0.8V 3.3v 2.5V
R3114K311A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114K311A-TR 0.3000
RFQ
 ECAD 1218 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3114 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 3.1V 40µs
RP109L341B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109L341B-TR 0.2550
RFQ
 ECAD 9712 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xdfn d 패드 RP109 5.25V 결정된 DFN1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.4V - 1 0.32v @ 150ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R1202L521A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1202L521A-TR 0.5250
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1202X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 R1202 5.5V 조절할 조절할있는 DFN1616-6B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 700ma (스위치) 1V 19V 2.3V
RP200N301D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP200N301D-TR-FE 0.4350
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP200X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP200 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 4 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3V - 1 0.35V @ 300MA - 전류에 전류에
RH5RL32AA-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RH5RL32AA-T1-FE 0.5406
RFQ
 ECAD 5006 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rx5rl 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA RH5RL32 10V 결정된 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 긍정적인 50ma 3.2v - 1 0.053V @ 1mA - 전류, 단락
R1524S060B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524S060B-E2-FE 0.8146
RFQ
 ECAD 1262 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1524 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 6.8 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 6V - 1 1.2v @ 200ma - 전류, 이상 온도, 단락
R3118N121A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118N121A-TR-FE 0.3535
RFQ
 ECAD 9506 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3118 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.2V 70ms
R1100D211C-TR-F Nisshinbo Micro Devices Inc. R1100D211C-TR-F 0.2152
RFQ
 ECAD 2129 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1100D 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-623F R1100 6V 결정된 SON1408-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 9,000 3 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 2.1V - 1 0.05v @ 1ma - 전류에 전류에
R3111D281B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111D281B-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 4350 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 2.8V 최대 100µs
R5116S002A-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R5116S002A-E2-FE 1.5750
RFQ
 ECAD 3445 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 전압 전압 R5116 - 8 HSOP-E 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1 0.1V -
R1114D181D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114D181D-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 5900 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 R1114 6V 결정된 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.8V - 1 0.55V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
RP131S111B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131S111B-E2-FE 0.4293
RFQ
 ECAD 3216 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP131 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.1V - 1 1.42V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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