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전력 전력 (PMIC) (7564)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전압- 최대 (입력) 출력 출력 산출 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 전압- v (VCC/VDD) 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 현재 -공급 (max) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
RP102Z151D-TR-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102Z151D-TR-F 0.6600
RFQ
 ECAD 2064 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP RP102 5.25V 결정된 WLCSP-4-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.5V - 1 0.32v @ 300ma 80db (1khz) 전류에 전류에
NJM78L05UATE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. njm78l05uate1 -
RFQ
 ECAD 4831 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA 30V 결정된 SOT-89 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 6 MA - 긍정적인 100ma 5V - 1 - 69dB (120Hz) 온도, 회로 단락
RP111N361D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP1111n361D-TR-FE 0.4950
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp111x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP111 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 3.6v - 1 0.32v @ 500ma 75dB (10kHz) 현재, 이상 온도
R1114Q301B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114Q301B-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 1718 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82A, SOT-343 R1114 6V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3V - 1 0.35V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
R3111N431A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111N431A-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 1256 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.3V 최대 100µs
R3114N091C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114N091C-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 8113 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3114 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 0.9V 40µs
R1155N050B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1155N050B-TR-FE 0.4350
RFQ
 ECAD 8935 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1155X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1155 24V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 22 µA 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 5V - 1 1.7v @ 150ma - 전류, 역전, 온도 전류
R1191N048B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191N048B-TR-FE 0.4350
RFQ
 ECAD 3222 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1191 16V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 300ma 4.8V - 1 1.8V @ 300MA 70dB (1kHz) 온도, 전류 반전, 단락
RP131S251D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131S251D-E2-FE 0.4293
RFQ
 ECAD 4652 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP131 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 2.5V - 1 1.1v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R1540S001B-E2-KE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1540S001B-E2-KE 3.0300
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1540X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 R1540 42V 조절할 조절할있는 8 HSOP-E 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 현재 현재, 제한 긍정적인 70ma 2.2V 14V 1 2.1v @ 70ma 80dB (100Hz) 전류, 단락
NJU7747F4-03-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7747F4-03-TE1 0.3428
RFQ
 ECAD 9342 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB NJU7747 9V 결정된 SC-82AB - 귀 99 8542.39.0001 3,000 3.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 3V - 1 0.26v @ 60ma - 전류에 전류에
R3117K423C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117K423C-TR 0.3450
RFQ
 ECAD 8870 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3117 푸시 푸시, 풀 기둥 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 4.2V 전형적인 80µs
NJM2830U1-12-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2830U1-12-TE1 0.4694
RFQ
 ECAD 9937 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 NJM2830 20V 결정된 SOT-89-5 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,000 210 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 12V - 1 0.1v @ 100ma 75db (1khz) 현재, 이상 온도
R3112Q331C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112Q331C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 5586 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3112 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.3v -
RP201K151D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP201K151D-TR 0.3150
RFQ
 ECAD 2004 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP201X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn RP201 5.25V 결정된 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 4 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.5V - 1 0.25V @ 150mA - 전류에 전류에
NJM78L12UA Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78L12UA -
RFQ
 ECAD 2747 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA 35V 결정된 SOT-89 다운로드 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 25 6.5 MA - 긍정적인 100ma 12V - 1 - 62db (120Hz) 온도, 회로 단락
RP508K311B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP508K311B-TR 0.8400
RFQ
 ECAD 6812 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP508K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn RP508 5.5V 결정된 DFN (PL) 1212-6f 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 6MHz 긍정적인 예 600ma 3.1V - 2.3V
RP901K008B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP901K008B-TR 0.8850
RFQ
 ECAD 6061 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP901K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 RP901 5.5V 조절할 조절할있는 DFN (PL) 2527-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 1.2MHz 긍정적인 예 800ma 1.2V 1.8V 4.5V
RP509Z102B-E2-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP509Z102B-E2-F 0.3450
RFQ
 ECAD 9876 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP509X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-WFBGA, WLCSP RP509 5.5V 결정된 WLCSP-6-P6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 6MHz 긍정적인 예 500ma 1V - 2.3V
RP505K331B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP505K331B-TR 0.8250
RFQ
 ECAD 6290 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP505K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 RP505 5.5V 결정된 DFN (PL) 2020-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 예 1A 3.3v - 2.3V
R1240K003A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1240K003A-TR 0.9450
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1240X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 R1240 30V 조절할 조절할있는 DFN (PL) 2527-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 1.25MHz 긍정적인 아니요 1.2A 0.8V 15V 4.5V
NJM78L09L2A Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78L09L2A -
RFQ
 ECAD 4196 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 30V 결정된 To-92-3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 6 MA - 긍정적인 100ma 9V - 1 - 65dB (120Hz) 온도, 회로 단락
R3111H581A-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111H581A-T1-FE 0.3222
RFQ
 ECAD 8132 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-243AA 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 5.8V 최대 100µs
RP154L021B-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154L021B-E2 0.5700
RFQ
 ECAD 6510 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 RP154 5.25V 결정된 DFN1216-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 1.2V, 2.8V - 2 0.5V @ 300MA, 0.3V @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R1224N312M-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1224N312M-TR-FE 0.7950
RFQ
 ECAD 9712 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1224 트랜지스터 트랜지스터 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 2.3V ~ 18.5V 1 책임 180kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 100% 아니요 아니요 -
RP154L009B-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154L009B-E2 0.5700
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 RP154 5.25V 결정된 DFN1216-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 3V, 2.8V - 2 0.29V @ 300MA, 0.3V @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
RP170N291B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP170N291B-TR-FE 0.2136
RFQ
 ECAD 4534 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP170X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP170 10V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.9V - 1 1.08V @ 300MA - 현재, 이상 온도
RP152L001C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152L001C-TR 0.4500
RFQ
 ECAD 3850 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP152 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 2.8V, 2.8V - 2 0.35V @ 150MA, 0.35V @ 150ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
RN5RF24AA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF24AA-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 5878 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN5RF24 10V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 2.4V - 1 0.2v @ 100ma 60dB (1kHz) 전류에 전류에
R1210N352D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210N352D-TR-FE 0.6300
RFQ
 ECAD 8455 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210NXX2X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1210 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 180kHz 긍정적인 아니요 2.5MA - 3.5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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