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전력 전력 (PMIC) (7564)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 전압- v (VCC/VDD) 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
R1114N361B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114N361B-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 1770 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1114 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.6v - 1 0.35V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
RP105K091B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP105K091B-TR 0.5250
RFQ
 ECAD 7795 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP105X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn RP105 5.25V 결정된 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 400ma 0.9V - 1 0.3v @ 400ma 80db (1khz) 전압 전압 장치 (uvlo)
R3132Q31EA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132Q31EA-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 1417 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3132 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.1V 최소 204ms
R3114N171C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114N171C-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 8420 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3114 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.7V 40µs
RP401N551D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401N551D-TR-FE 0.6450
RFQ
 ECAD 5937 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP401 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 500ma 5.5V - 0.6V
R1114N191D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114N191D-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 9878 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1114 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.9V - 1 0.55V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
R1210N281A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210N281A-TR-FE 0.6300
RFQ
 ECAD 4606 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210NXX1X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1210 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 100kHz 긍정적인 아니요 400ma - 2.8V -
R3116N101C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116N101C-TR-FE 0.7600
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3116 확인되지 확인되지 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 1 1V 80ms
R1518S331B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1518S331B-E2-FE 0.8454
RFQ
 ECAD 4788 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1518X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1518 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 36 µA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 1A 3.3v - 1 1.6V @ 1a - 현재, 이상 온도
RP515K254C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP515K254C-TR 0.8700
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP515X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 RP515 5.5V 결정된 DFN (PL) 2527-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 1MHz 긍정적인 아니요 - 2.5V - 2.4V
R1202N713D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1202N713D-TR-FE 0.5250
RFQ
 ECAD 9602 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1202X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 R1202 5.5V 조절할 조절할있는 TSOT-23-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 350ma (스위치) 1V 23V 1.8V
RN5VD43CA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD43CA-TR-FE 0.2737
RFQ
 ECAD 6502 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 RN5VD43 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 1 4.3V -
R1180D231C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180D231C-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 3047 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 R1180 6V 결정된 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 1.5 µA - 긍정적인 150ma 2.3V - 1 0.55V @ 150mA - 전류에 전류에
RP173N501A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173N501A-TR-FE 0.1972
RFQ
 ECAD 7286 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP173 11V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 3.7 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 5V - 1 0.76V @ 150mA - 전류, 전류 역전
R3111N501A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111N501A-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 1333 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 5V 최대 100µs
NJM79L24UA-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM79L24UA-TE1 -
RFQ
 ECAD 7099 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA -40V 결정된 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 6.5 MA - 부정적인 100ma -24V - 1 - 55dB (120Hz) 온도, 회로 단락
NJU7600RB1-TE1# Nisshinbo Micro Devices Inc. nju7600rb1-te1# 0.6045
RFQ
 ECAD 9126 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) NJU7600 8V 조절할 조절할있는 8-TVSP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 스텝 스텝 스텝, 업 업/스텝 다운 1 부스트, 백 플라이 300kHz ~ 1MHz 긍정적인 아니요 - - - 2.2V
RP131K231D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131K231D-TR 0.3750
RFQ
 ECAD 4832 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP131 6.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 2.3V - 1 1.1v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R3116K241C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116K241C-TR 0.3000
RFQ
 ECAD 9868 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3116 푸시 푸시, 풀 기둥 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2.4V 최소 85ms
RP506L331H-TR-K Nisshinbo Micro Devices Inc. RP506L331H-TR-K 1.4100
RFQ
 ECAD 2613 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. 자동차, AEC-Q100, RP506L 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 12-Wfdfn d 패드 패드 RP506 5.5V 결정된 DFN3030-12 다운로드 1 (무제한) 2129-RP506L331H-TR-KTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.3MHz 긍정적인 예 2A 3.3v - 2.5V
RP173N501D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173N501D-TR-FE 0.1972
RFQ
 ECAD 3460 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP173 11V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 3.7 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 5V - 1 0.76V @ 150mA - 전류, 전류 역전
R3116K261C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116K261C-TR 0.3000
RFQ
 ECAD 8112 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3116 푸시 푸시, 풀 기둥 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2.6v 최소 85ms
RP509Z251B-E2-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP509Z251B-E2-F 0.3450
RFQ
 ECAD 2779 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP509X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-WFBGA, WLCSP RP509 5.5V 결정된 WLCSP-6-P6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 6MHz 긍정적인 예 1A 2.5V - 2.3V
R1225N182K-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1225N182K-TR-FE 0.7950
RFQ
 ECAD 5402 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 R1225 PWM SOT-23-6W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 2.3V ~ 18.5V 1 책임 180kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 100% 아니요 아니요 -
NJM78L06L2A-T1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78L06L2A-T1 -
RFQ
 ECAD 2263 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 30V 결정된 To-92-3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,000 6 MA - 긍정적인 100ma 6V - 1 - 67dB (120Hz) 온도, 회로 단락
RP109L081D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109L081D-TR 0.2550
RFQ
 ECAD 8196 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xdfn d 패드 RP109 5.25V 결정된 DFN1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 0.8V - 1 1V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
NJM2846DL3-03-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2846DL3-03-TE1 0.4050
RFQ
 ECAD 1839 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭) NJM2846 14V 결정된 TO-252-5 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 600 µA 할 할있게 수 긍정적인 800ma 3V - 1 0.28V @ 500MA 75db (1khz) 온도, 회로 단락
R1173H121B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173H121B-T1-FE 0.5724
RFQ
 ECAD 6702 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1173 6V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.2V - 1 0.56V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP111N181B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. rp1111n181b-tr-fe 0.4950
RFQ
 ECAD 1102 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp111x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP111 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 1.8V - 1 0.41V @ 500MA 75dB (10kHz) 현재, 이상 온도
RP105L101F-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP105L101F-TR 0.5100
RFQ
 ECAD 7441 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP105X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xdfn d 패드 RP105 5.25V 결정된 DFN1212-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 400ma 1V - 1 0.17V @ 400MA 80db (1khz) 전압 전압 장치 (uvlo)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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