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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 - 채널 / 출력 전압- v (VCC/VDD) 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 내부 내부 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 전압- 최대 (공급) 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 디밍 전압- 최소 (공급) 전압 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
R1224N182E-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1224N182E-TR-FE 0.7950
RFQ
ECAD 6836 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1224 트랜지스터 트랜지스터 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 2.3V ~ 18.5V 1 책임 300kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 100% 아니요 아니요 -
R3111H131C-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111H131C-T1-FE 0.3222
RFQ
ECAD 3495 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-243AA 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 1.3V 최대 100µs
RP110L331B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110L331B-TR 0.2550
RFQ
ECAD 3984 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xdfn d 패드 RP110 5.25V 결정된 DFN1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.3v - 1 0.35V @ 150mA - 전류에 전류에
NJM78M08FA Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78M08FA 0.3431
RFQ
ECAD 4550 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 NJM78M08 35V 결정된 TO-220F 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 6 MA - 긍정적인 500ma 8V - 1 - 75dB (120Hz) 온도, 회로 단락
R1517J341F-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1517J341F-T1-FE 0.8400
RFQ
ECAD 5666 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1517X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭) R1517 36v 결정된 TO-252-5-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 36 µA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 500ma 3.4V - 1 0.77V @ 500MA - 전류, 이상 온도, 단락
R1204N113C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1204N113C-TR-FE 0.6750
RFQ
ECAD 9476 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1204X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 R1204 5.5V 조절할 조절할있는 TSOT-23-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 1MHz 긍정적인 아니요 900ma - - 2.3V
R1191L033B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191L033B-TR 0.4800
RFQ
ECAD 1701 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 R1191 16V 결정된 DFN1616-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3.3v - 1 1.8V @ 300MA 70dB (1kHz) 온도, 전류 반전, 단락
NJM79L24UA# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM79L24UA# -
RFQ
ECAD 5071 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA -40V 결정된 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 6.5 MA - 부정적인 100ma -24V - 1 - 55dB (120Hz) 온도, 회로 단락
R1160N301B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1160N301B-TR-FE 0.3228
RFQ
ECAD 2008 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1160X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1160 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 3V - 1 0.2v @ 200ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
RP109L121B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109L121B-TR 0.2550
RFQ
ECAD 1613 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xdfn d 패드 RP109 5.25V 결정된 DFN1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.2V - 1 0.67V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
RQ5RW23BA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RQ5RW23BA-TR-FE 0.2613
RFQ
ECAD 3443 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RX5RW 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB RQ5RW23 8V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 3 µA 할 할있게 수 긍정적인 50ma 2.3V - 1 0.09V @ 1mA - 전류에 전류에
NJU7600M# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7600M# 0.6045
RFQ
ECAD 1346 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) NJU7600 8V 조절할 조절할있는 8-DMP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 스텝 스텝 스텝, 업 업/스텝 다운 1 부스트, 백 플라이 300kHz ~ 1MHz 긍정적인 아니요 - - - 2.2V
RP130K281A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130K281A-TR 0.1800
RFQ
ECAD 5010 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP130 6.5V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 58 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.8V - 1 0.51V @ 150mA - 전류에 전류에
R3111Q221C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q221C-TR-FE 0.2459
RFQ
ECAD 6929 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.2V 최대 100µs
R1510S001D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1510S001D-E2-FE 0.9991
RFQ
ECAD 1187 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1510S 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 R1510 36v 결정된 8 HSOP-E 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 174 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3.3v - 1 3.2v @ 300ma - 현재, 이상 온도
R1172D401D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172D401D-TR-FE 0.5700
RFQ
ECAD 6235 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 노출 패드 패드 R1172 6V 결정된 6-HSON (2.9x2.8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 4V - 1 0.18V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R3114N251A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114N251A-TR-FE 0.2920
RFQ
ECAD 7107 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3114 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.5V 40µs
RP154L014B-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154L014B-E2 0.5700
RFQ
ECAD 2576 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 RP154 5.25V 결정된 DFN1216-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 3.3V, 3.3V - 2 0.29V @ 300MA, 0.29V @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R3114N191A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114N191A-TR-FE 0.2920
RFQ
ECAD 3179 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3114 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.9V 40µs
RH5RL38AA-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RH5RL38AA-T1-FE 0.5406
RFQ
ECAD 8565 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rx5rl 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA RH5RL38 10V 결정된 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 긍정적인 50ma 3.8V - 1 0.045V @ 1mA - 전류, 단락
R3119N108E-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119N108E-TR-FE 0.5550
RFQ
ECAD 6476 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3119 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 10.8V 15µs
R3117K091C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117K091C-TR 0.3450
RFQ
ECAD 5749 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3117 푸시 푸시, 풀 기둥 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 0.9V 40µs
RQ5RW34BA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RQ5RW34BA-TR-FE 0.2613
RFQ
ECAD 1363 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RX5RW 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB RQ5RW34 8V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 3 µA 할 할있게 수 긍정적인 50ma 3.4V - 1 0.055V @ 1mA - 전류에 전류에
R1205N823A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1205N823A-TR-FE 0.6450
RFQ
ECAD 4591 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1205X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 R1205 5.5V 조절할 조절할있는 TSOT-23-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 700ma (스위치) - 24V 2.3V
RP200N251B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP200N251B-TR-FE 0.4350
RFQ
ECAD 7223 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP200X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP200 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 4 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.5V - 1 0.5V @ 300ma - 전류에 전류에
RP130N401D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130N401D-TR-FE 0.1972
RFQ
ECAD 2817 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP130 6.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 58 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 4V - 1 0.31V @ 150mA 80db (1khz) 전류에 전류에
NJU6060V-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU6060V-TE1 0.9072
RFQ
ECAD 7714 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - 표면 표면 10-LFSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 전원 전원 NJU6060 12.48kHz 10-ssop 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 10MA 3 - 5.5V PWM 2.4V -
RP112K331D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP112K331D-TR 1.3300
RFQ
ECAD 83 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp112x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP112 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.3v - 1 0.28V @ 150mA 80dB ~ 65dB (1kHz ~ 100kHz) 전류에 전류에
R1524S090B-E2-YE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524S090B-E2-YE 1.2142
RFQ
ECAD 2850 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1524 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 6.8 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 9V - 1 1.2v @ 200ma - 전류, 이상 온도, 단락
RP132S251E-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132S251E-E2-FE 0.5088
RFQ
ECAD 3917 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP132 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 2.5V - 1 1.05v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고