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전력 전력 (PMIC) (7564)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 전압- v (VCC/VDD) 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 짐 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
R1224N362F-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1224N362F-TR-FE 0.7950
RFQ
 ECAD 9928 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1224 트랜지스터 트랜지스터 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 2.3V ~ 18.5V 1 책임 500kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 100% 아니요 아니요 -
R3119K045A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119K045A-TR 0.5850
RFQ
 ECAD 8012 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 전압 전압 R3119 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 활성 활성 1 4.5V 45ms
NJM3524D Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM3524D -
RFQ
 ECAD 9397 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 75 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) NJM3524 트랜지스터 트랜지스터 16-DIP 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 귀 99 8542.39.0001 25 스텝 스텝 스텝, 업 다운, 스텝 업/스텝 다운 8V ~ 40V 2 벅, 플라이백, 부스트, 푸시 풀 30kHz 현재 현재 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 1 45% 예 아니요 -
RP604Z231B-E2-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP604Z231B-E2-F 1.1400
RFQ
 ECAD 1767 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP604X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-XFBGA, WLCSP RP604 5.5V 결정된 WLCSP-20-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝/업 다운 1 벅-부스트 - 긍정적인 아니요 300ma 2.3V - 1.8V
R3111Q411A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q411A-TR-FE 0.6400
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 전압 전압 R3111 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.1V 최대 100µs
RP152L006A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152L006A-TR 1.0500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP152 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 3.3V, 1.8V - 2 0.32v @ 150ma, 0.46v @ 150ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
RP109N361B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109N361B-TR-FE 0.2306
RFQ
 ECAD 7578 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP109 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.6v - 1 0.32v @ 150ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R3111Q571C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q571C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 5707 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 전압 전압 R3111 확인되지 확인되지 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 5.7V 최대 100µs
R3117K301C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117K301C-TR 0.3450
RFQ
 ECAD 1204 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3117 푸시 푸시, 풀 기둥 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 3V 전형적인 80µs
RP400N301A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP400N301A-TR-FE 0.6750
RFQ
 ECAD 5981 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP400XXX1A 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP400 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 700kHz 긍정적인 아니요 600ma 3V - 0.8V
NJM2878F3-03-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2878F3-03-TE1 0.2129
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 NJM2878 9V 결정된 SC-88A 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 195 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3V - 1 0.1V @ 60ma 75db (1khz) 현재, 이상 온도
RP173K171D5-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173K171D5-TR 0.1800
RFQ
 ECAD 5510 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP173 11V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 3.7 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.75V - 1 2.23V @ 150mA 30db (1khz) 전류, 전류 역전
R1210N361C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210N361C-TR-FE 0.6300
RFQ
 ECAD 7187 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210NXX1X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1210 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 100kHz 긍정적인 아니요 400ma - 3.6v -
R3111H251A-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111H251A-T1-FE 0.7600
RFQ
 ECAD 960 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-243AA 전압 전압 R3111 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 2.5V 최대 100µs
NJW4184DL3-15A-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJW4184DL3-15A-TE2 0.6570
RFQ
 ECAD 4123 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭) NJW4184 35V 결정된 TO-252-5 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 12 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 15V - 1 0.1v @ 100ma 29db (1khz) 현재, 이상 온도
RP154L015B-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154L015B-E2 0.5700
RFQ
 ECAD 6393 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 RP154 5.25V 결정된 DFN1216-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 1.5V, 2.5V - 2 0.44V @ 300MA, 0.3V @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
NJM2360M-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2360M-TE1 -
RFQ
 ECAD 2295 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) 40V 조절할 조절할있는 8-DMP 다운로드 쓸모없는 2,000 스텝 스텝, 업 다운 1 벅, 부스트 100Hz ~ 100kHz 긍정적이거나 긍정적이거나 아니요 1.5A (스위치) 1.25V 40V 2.5V
RP300N46DA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300N46DA-TR-FE 0.1972
RFQ
 ECAD 4137 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 RP300 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.6v 190ms
R3117K221A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117K221A-TR 0.3450
RFQ
 ECAD 3117 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3117 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2.2V 전형적인 80µs
NJU7774F15-TE1# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7774F15-TE1# 0.3320
RFQ
 ECAD 9657 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 NJU7774 9V 결정된 SOT-23-5 (MTP5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 35 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.5V - 1 - 65db (1khz) 현재, 이상 온도
RP401K331A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401K331A-TR 0.6750
RFQ
 ECAD 8366 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP401 5.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 500ma 3.3v - 0.6V
R3114K281A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114K281A-TR 0.3000
RFQ
 ECAD 2334 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3114 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2.8V 40µs
RP504N311C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504N311C-TR-FE 0.7950
RFQ
 ECAD 6247 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP504 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 예 600ma 3.1V - 2.3V
R1116N281D5-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1116N281D5-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 2129 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1116 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 18 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.85V - 1 0.46V @ 150mA 70dB ~ 53dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
RQ5RW33BA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RQ5RW33BA-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 2403 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RX5RW 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB RQ5RW33 8V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 3 µA 할 할있게 수 긍정적인 50ma 3.3v - 1 0.055V @ 1mA - 전류에 전류에
RP504K251D-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504K251D-E2 0.8100
RFQ
 ECAD 6093 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP504 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 예 600ma 2.5V - 2.3V
RP131K511D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131K511D-TR 0.3750
RFQ
 ECAD 6122 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP131 6.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 5.1V - 1 0.65V @ 1a 60dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP152L004C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152L004C-TR 1.0500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP152 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 1.2V, 1.8V - 2 0.62v @ 150ma, 0.46v @ 150ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
R3112Q431A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112Q431A-TR-FE 0.6400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82A, SOT-343 전압 전압 R3112 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.3V -
R3132Q30EA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132Q30EA-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 9003 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3132 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3V 최소 204ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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