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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전압- 최대 (입력) 출력 출력 산출 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
R3119N042A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119N042A-TR-FE 0.5550
RFQ
ECAD 9623 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3119 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.2V 45ms
R3111H341A-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111H341A-T1-FE 0.3222
RFQ
ECAD 3443 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-243AA 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 3.4V 최대 100µs
NJM12884U2-15-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM12884U2-15-TE1 0.2321
RFQ
ECAD 8215 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 NJM12884 6.5V 결정된 SOT-89-5 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,000 280 µA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 500ma 1.5V - 1 - 76dB (1khz) 전류, 역전, 온도 전류
R5220K181A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R5220K181A-TR 0.8400
RFQ
ECAD 4759 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5220X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 R5220 5.5V 결정된 DFN (PL) 2514-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 1.2MHz 긍정적인 400ma 1.8V - 2.8V
RP103N301D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103N301D-TR-FE 0.2767
RFQ
ECAD 7709 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP103 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3V - 1 0.27V @ 150mA - 전류에 전류에
RP114K101D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114K101D-TR 0.4350
RFQ
ECAD 7960 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP114 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1V - 1 0.59V @ 300MA 75db (1khz) 전류에 전류에
R1190H033B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190H033B-T1-FE 0.6360
RFQ
ECAD 3022 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1190 16V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 220 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.3v - 1 2.3v @ 1a 60dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
R1524S075B-E2-KE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524S075B-E2-KE 1.3833
RFQ
ECAD 7877 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1524 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 6.8 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 7.5V - 1 1.2v @ 200ma - 전류, 이상 온도, 단락
NJW4184U2-05A-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJW4184U2-05A-TE2 0.5470
RFQ
ECAD 5622 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 NJW4184 35V 결정된 SOT-89-5 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,000 12 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 5V - 1 0.1v @ 100ma 36db (1khz) 현재, 이상 온도
RP131K211D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131K211D-TR 0.3750
RFQ
ECAD 7571 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP131 6.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 2.1V - 1 1.1v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RN5VD16AA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD16AA-TR-FE 0.2737
RFQ
ECAD 6190 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 RN5VD16 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 1 1.6V -
R3117K281C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117K281C-TR 0.3450
RFQ
ECAD 8282 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3117 푸시 푸시, 풀 기둥 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2.8V 전형적인 80µs
R1514S033B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1514S033B-E2-FE 0.7155
RFQ
ECAD 8790 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1514X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1514 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 20 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.3v - 1 0.7V @ 20mA - 전류, 이상 온도, 단락
R1180D281C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180D281C-TR-FE 0.2613
RFQ
ECAD 1537 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 R1180 6V 결정된 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 1.5 µA - 긍정적인 150ma 2.8V - 1 0.4V @ 150ma - 전류에 전류에
RP100K181D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100K181D-TR 0.2850
RFQ
ECAD 5787 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP100 5.25V 결정된 DFN (PL) 1612-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.8V - 1 0.34V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
R1524N085B-TR-YE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524N085B-TR-YE 1.0800
RFQ
ECAD 1134 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1524 36v 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 6.8 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 8.5V - 1 1.2v @ 200ma - 전류, 이상 온도, 단락
R3111D481B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111D481B-TR-FE 0.2459
RFQ
ECAD 4107 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 4.8V 최대 100µs
R1245S003C-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1245S003C-E2-FE 2.6000
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1245X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 R1245 30V 조절할 조절할있는 8 HSOP-E 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 뿌리 뿌리 1 책임 500kHz 긍정적인 아니요 1.2A 0.8V 30V 4.5V
R3118N281A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118N281A-TR-FE 0.3535
RFQ
ECAD 5361 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3118 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.8V 70ms
RP112K221D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP112K21D-TR 0.5700
RFQ
ECAD 9474 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp112x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP112 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.2V - 1 0.36V @ 150mA 80dB ~ 65dB (1kHz ~ 100kHz) 전류에 전류에
R1114N281D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114N281D-TR-FE 0.2613
RFQ
ECAD 6854 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1114 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.8V - 1 0.35V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
RN5RL23AA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RL23AA-TR-FE 0.4800
RFQ
ECAD 1027 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rx5rl 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN5RL23 10V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 긍정적인 35MA 2.3V - 1 0.09V @ 1mA - 전류, 단락
R3201L002A-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3201L002A-E2 0.5400
RFQ
ECAD 4075 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3201L 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-xfqfn 타이머를 타이머를 R3201 열린 열린 또는 배수 수집기 QFN014018-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 활성 활성 1 - 9s 최소
RP503N251A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP503N251A-TR-FE 0.8550
RFQ
ECAD 6358 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP503X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP503 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 2MHz 긍정적인 600ma 2.5V - 2.5V
R1517S851E-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1517S851E-E2-FE 0.8454
RFQ
ECAD 6508 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1517X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1517 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 36 µA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 500ma 8.5V - 1 0.5V @ 500MA - 전류, 이상 온도, 단락
R1511S050B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1511S050B-E2-FE 0.7632
RFQ
ECAD 7618 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1511X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1511 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 180 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 5V - 1 1V @ 300MA 65db (1khz) 현재, 이상 온도
R1161N121B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1161N121B-TR-FE 0.9500
RFQ
ECAD 78 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1161X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1161 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 111 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.2V - 1 0.75V @ 300MA 65db (1khz) 전류에 전류에
RP600K009B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP600K009B-TR 1.1400
RFQ
ECAD 6674 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP600K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 RP600 5.5V 결정된 DFN (PL) 2527-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 500ma 4.2V - 0.8V
R1190H090D-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190H090D-T1-FE 0.6360
RFQ
ECAD 8455 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1190 16V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 220 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 9V - 1 1.3v @ 1a 60dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
RP132S331F-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132S331F-E2-FE 0.5088
RFQ
ECAD 1595 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP132 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.3v - 1 0.68V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고