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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NJM2375AD | - |  | 5834 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | NJM2375 | 30V | 8-DIP | 다운로드 | 쓸모없는 | 50 | - | 중요한 중요한 (CRM) | 250 µA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | NJW4177GM1-A-TE1 | 1.7100 | | 1846 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 | NJW4177 | 40V | 조절할 조절할있는 | 8 시간 | - | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 450kHz | 긍정적인 | 예 | 2A | 0.8V | 40V | 3.6v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RP109K101D-TR | 0.2700 | | 3991 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | RP109X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 4-xfdfn 노출 패드 | RP109 | 5.25V | 결정된 | DFN (PL) 0808-4 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 70 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 1V | - | 1 | 0.82V @ 150mA | 75db (1khz) | 전류에 전류에 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | RP114K151D-TRB | 0.3400 | | 75 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | RP114X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 4-udfn n 패드 | RP114 | 5.25V | 결정된 | DFN (PL) 1010-4B | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 75 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 300ma | 1.5V | - | 1 | 0.35V @ 300MA | 75db (1khz) | 전류에 전류에 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RP200K331D-TR | 0.5100 | | 2779 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | RP200X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 6-xfdfn | RP200 | 5.25V | 결정된 | DFN (PL) 1212-6 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 4 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 300ma | 3.3v | - | 1 | 0.35V @ 300MA | - | 전류에 전류에 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1180D271C-TR-FE | 0.2613 | | 4444 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | R1180X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | R1180 | 6V | 결정된 | SON1612-6 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 1.5 µA | - | 긍정적인 | 150ma | 2.7V | - | 1 | 0.55V @ 150mA | - | 전류에 전류에 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1172N331B-TR-FE | 0.5250 | | 7645 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | R1172X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | R1172 | 6V | 결정된 | SOT-23-5 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 100 µa | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 1A | 3.3v | - | 1 | 0.18V @ 1a | 70dB (1kHz) | 현재, 이상 온도 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R3111Q122B-TR-FE | 0.2459 | | 7353 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | R3111X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 전압 전압 | R3111 | 열린 열린 또는 배수 수집기 | SC-88A | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 1.2V | 최대 100µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R3111D231A-TR-FE | 0.2459 | | 6185 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | R3111X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | 전압 전압 | R3111 | 열린 열린 또는 배수 수집기 | SON1612-6 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 활성 활성 | 1 | 2.3V | 최대 100µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1245S003C-E2-JE | 2.1150 | | 9590 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | 자동차, AEC-Q100, R1245X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 | R1245 | 30V | 조절할 조절할있는 | 8 HSOP-E | 다운로드 | 1 (무제한) | 2129-R1245S003C-E2-Jetr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 500kHz | 긍정적인 | 아니요 | 1.2A | 0.8V | 30V | 4.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NJM2884U1-25-TE1 | 0.3652 | | 7337 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-89-5/6 | NJM2884 | 9V | 결정된 | SOT-89-5 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 300 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 500ma | 2.5V | - | 1 | 0.18V @ 300MA | 75db (1khz) | 전류, 이상 온도, 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1286K002J-TR | 1.1400 | | 6159 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | R1286K | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 12-ufdfn 노출 패드 | R1286 | 5.5V | 조절할 조절할있는 | DFN (PL) 2730-12 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 스텝 스텝/업 | 2 | 벅, 부스트 | 1.75MHz | 정부 | 예 | 250ma | -4.9V | 4.6v | 2.3V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R3111H211C-T1-FE | 0.3222 | | 4673 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | R3111X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | TO-243AA | 전압 전압 | R3111 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | SOT-89-3 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성 활성 | 1 | 2.1V | 최대 100µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1510S003B-E2-FE | 0.9991 | | 8556 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | R1510S | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 | R1510 | 36v | 결정된 | 8 HSOP-E | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 174 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 300ma | 12V | - | 1 | 2V @ 300MA | - | 현재, 이상 온도 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1212D100B-TR-FE | 0.6600 | | 6537 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | R1212 | PWM | 8 2. (2.9x2.8) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 스텝 스텝 | 2.2V ~ 5.5V | 1 | 후원 | 1.4MHz | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 1 | 90% | 아니요 | 아니요 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| RP104K181D5-TR | 0.2700 | | 1912 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | RP104X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 4-udfn n 패드 | RP104 | 5.25V | 결정된 | DFN (PL) 1010-4 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 1.5 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 1.85V | - | 1 | 0.65V @ 150mA | - | 전류에 전류에 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NJM2835DL1-03-TE1 | 0.4644 | | 9583 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NJM2835 | 18V | 결정된 | TO-252-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 300 µA | - | 긍정적인 | 500ma | 3V | - | 1 | 0.18V @ 300MA | 75db (1khz) | 현재, 이상 온도 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN5VD28CA-TR-FE | 0.4800 | | 1 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | RN5VD | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | 전압 전압 | RN5VD28 | 확인되지 확인되지 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | SOT-23-5 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 1 | 2.8V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RP131S351D-E2-FE | 0.4293 | | 5019 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | RP131X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 | RP131 | 6.5V | 결정된 | 6-HSOP-J | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 90 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 1A | 3.5V | - | 1 | 0.65V @ 1a | 60dB (1kHz) | 현재, 이상 온도 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NJM2884U2-18-TE1 | 0.3764 | | 7390 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-89-5/6 | NJM2884 | 9V | 결정된 | SOT-89-5 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 300 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 500ma | 1.8V | - | 1 | - | 75db (1khz) | 전류, 이상 온도, 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R3112N341A-TR-FE | 0.2459 | | 9612 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | R3112X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | 전압 전압 | R3112 | 확인되지 확인되지 | 열린 열린 또는 배수 수집기 | SOT-23-5 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 3.4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1180D301C-TR-FE | 0.2613 | | 1713 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | R1180X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | R1180 | 6V | 결정된 | SON1612-6 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 1.5 µA | - | 긍정적인 | 150ma | 3V | - | 1 | 0.4V @ 150ma | - | 전류에 전류에 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1224N182M-TR-FE | 0.7950 | | 6205 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | R1224 | 트랜지스터 트랜지스터 | SOT-23-5 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 2.3V ~ 18.5V | 1 | 책임 | 180kHz | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 1 | 100% | 아니요 | 아니요 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | R5527K001B-TR | 1.2900 | | 279 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 4-ufdfn 노출 패드 | - | R5527 | 반전 | n 채널 | 1 : 1 | DFN (PL) 1612-4D | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 필요하지 필요하지 | - | 1 | 역류 | - | 48mohm | 1.8V ~ 5.5V | 범용 | 3A | |||||||||||||||||||||||||||||||
| R3112N391C-TR-FE | 0.2459 | | 3503 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | R3112X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | 전압 전압 | R3112 | 확인되지 확인되지 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | SOT-23-5 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 3.9V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R5110S071B-E2-KE | 2.0700 | | 3301 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | R5110X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 | 전압 전압 | R5110 | 확인되지 확인되지 | 열린 열린 또는 배수 수집기 | 8 HSOP-E | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성 활성 | 1 | 5V | 194ms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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