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전력 전력 (PMIC) (7564)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전압- 최대 (입력) 출력 출력 산출 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 전압- v (VCC/VDD) 인터페이스 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 전압 - 하중 모터 모터 - 타입 모터 모터 -AC, DC 단계 단계 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
RP103Q291D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103Q291D-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 5134 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB RP103 5.25V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.9V - 1 0.27V @ 150mA - 전류에 전류에
R1172S181B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172S181B-E2-FE 0.6042
RFQ
 ECAD 3364 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1172 6V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.8V - 1 0.32v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP200K101D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP200K101D-TR 0.5100
RFQ
 ECAD 6025 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP200X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn RP200 5.25V 결정된 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 4 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1V - 1 0.7V @ 300ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
NJM2845DL1-05-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2845DL1-05-TE1 0.3780
RFQ
 ECAD 1339 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NJM2845 14V 결정된 TO-252-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 600 µA 할 할있게 수 긍정적인 800ma 5V - 1 0.18V @ 500MA 75db (1khz) 전류, 이상 온도, 단락
NJM3771FM2-TE3 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM3771FM2-TE3 -
RFQ
 ECAD 4871 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 125 ° C (TJ) 범용 표면 표면 28-LCC (J-Lead) NJM3771 양극성 4.75V ~ 5.25V 28-PLCC (11.51x11.51) 다운로드 쓸모없는 750 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 평행한 하프 하프 (4) 650ma 10V ~ 40V 양극성 - 1, 1/2
R1518S851F-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1518S851F-E2-FE 0.8454
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1518X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1518 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 36 µA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 1A 8.5V - 1 1.1v @ 1a - 현재, 이상 온도
R3116N281C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116N281C-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 6305 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3116 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.8V 최소 85ms
R1225N332J-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1225N332J-TR-FE 0.7950
RFQ
 ECAD 8439 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 R1225 PWM SOT-23-6W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 2.3V ~ 18.5V 1 책임 180kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 100% 아니요 아니요 -
RN5RF60AA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF60AA-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 8289 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN5RF60 10V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 6V - 1 0.2v @ 100ma 60dB (1kHz) 전류에 전류에
R1161N151B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1161N151B-TR-FE 0.3689
RFQ
 ECAD 3919 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1161X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1161 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 111 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.5V - 1 0.48V @ 300MA 65db (1khz) 전류에 전류에
RP104K121D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP104K121D-TR 0.2700
RFQ
 ECAD 6049 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP104X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP104 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 1.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.2V - 1 1.05v @ 150ma - 전류에 전류에
R3119N053A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119N053A-TR-FE 0.5550
RFQ
 ECAD 7837 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3119 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 5.3v 45ms
R1211D002A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1211D002A-TR-FE 0.6600
RFQ
 ECAD 6430 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 R1211 PWM 6 1 (2.6x1.6) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 2.5V ~ 6V 1 후원 700kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 90% 아니요 아니요 -
R1211D103A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1211D103A-TR-FE 0.6600
RFQ
 ECAD 7007 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 R1211 PWM 6 1 (2.6x1.6) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 2.5V ~ 6V 1 후원 700kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 90% 아니요 아니요 -
RP400K331B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP400K331B-TR 0.7500
RFQ
 ECAD 4497 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP400XXX1B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP400 5.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 700kHz 긍정적인 아니요 600ma 3.3v - 0.8V
RH5RL30AA-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RH5RL30AA-T1-FE 1.1900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rx5rl 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA RH5RL30 10V 결정된 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 3.3 µA - 긍정적인 50ma 3V - 1 0.06v @ 1ma - 전류, 단락
R1111N291B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1111N291B-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 6137 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1111n 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1111 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.9V - 1 0.3v @ 100ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
R3130N30AA8-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3130N30AA8-TR-FE 0.5100
RFQ
 ECAD 9177 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3130N 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 전압 전압 R3130 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3V 45ms
R1517S802B-E2-KE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1517S802B-E2-KE 1.4602
RFQ
 ECAD 3435 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1517X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1517 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 36 µA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 500ma 8V - 1 - - 전류, 이상 온도, 단락
RP500K311A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP500K311A-TR 0.8850
RFQ
 ECAD 1163 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP500X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP500 5.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 1.2MHz 긍정적인 예 900ma 3.1V - 2.55V
RP131S501B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131S501B-E2-FE 0.4293
RFQ
 ECAD 5129 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP131 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 5V - 1 0.65V @ 1a 60dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R1160N281A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1160N281A-TR-FE 0.3228
RFQ
 ECAD 8442 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1160X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1160 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 2.8V - 1 0.25V @ 200mA 70dB (1kHz) 전류에 전류에
RP105K071D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP105K071D-TR 0.5250
RFQ
 ECAD 6668 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP105X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn RP105 5.25V 결정된 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 400ma 0.7V - 1 0.32v @ 400ma 80db (1khz) 전압 전압 장치 (uvlo)
R1114N281D5-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114N281D5-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 7129 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1114 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.85V - 1 0.35V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
RN5RL29AA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RL29AA-TR-FE 0.4800
RFQ
 ECAD 2726 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rx5rl 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN5RL29 10V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 긍정적인 35MA 2.9V - 1 0.06v @ 1ma - 전류, 단락
R1114D251A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114D251A-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 5468 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 R1114 6V 결정된 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 95 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.5V - 1 0.5V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
R3118K071A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118K071A-TR 0.3600
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 전압 전압 R3118 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 활성 활성 1 0.7V 70ms
RP502L332B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP502L332B-TR -
RFQ
 ECAD 7504 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP502X 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP502 5.5V 결정된 DFN1616-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 3.3MHz 긍정적인 예 - 3.3v - 2.5V
RP503N121A5-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP503N121A5-TR-FE 0.8550
RFQ
 ECAD 9952 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP503X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP503 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 2MHz 긍정적인 예 600ma 1.2V - 2.5V
RP510L101H-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP510L101H-TR 1.3350
RFQ
 ECAD 8606 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP510L 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 12-Wfdfn d 패드 패드 RP510 5.5V 결정된 DFN3030-12 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.3MHz 긍정적인 예 4a 1V - 2.5V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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