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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
STSR30D-TR STMicroelectronics STSR30D-TR -
RFQ
 ECAD 8088 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STSR30 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET - 1.5A, 1.5A 40ns, 40ns
MIC44F19YMME Microchip Technology MIC44F19YMME 1.3700
RFQ
 ECAD 228 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 MIC44F19 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 13.2V 8-MSOP-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-1502 귀 99 8542.39.0001 100 하나의 낮은 낮은 1 P 채널 MOSFET 1.607V, 1.615V 6A, 6A 10ns, 10ns
UCC27201DRMR Texas Instruments UCC27201DRMR 2.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 UCC27201 비 비 확인되지 확인되지 8V ~ 17V 8-vson (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.5V 3A, 3A 8ns, 7ns 120 v
ISL6700IBZ Renesas Electronics America Inc ISL6700IBZ 3.1500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6700 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 15V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -Isl6700iBz 귀 99 8542.39.0001 98 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1.4a, 1.3a 5ns, 5ns 80 v
UC3707Q Texas Instruments UC3707Q -
RFQ
 ECAD 9564 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 20-LCC (J-Lead) UC3707 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 5V ~ 40V 20-PLCC (9x9) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 92 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1.5A, 1.5A 40ns, 40ns
MIC4425YN Microchip Technology MIC4425YN 2.5800
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) MIC4425 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-1201 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 3A, 3A 28ns, 32ns
TC4429EMF713 Microchip Technology TC4429EMF713 1.3350
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TC4429 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-DFN-S (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4429EMF713-NDR 귀 99 8542.39.0001 3,300 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 25ns, 25ns
MIC4426ZM-TR Microchip Technology MIC4426ZM-TR 1.4500
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MIC4426 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 20ns, 29ns
ISL6613AECB-T Renesas Electronics America Inc ISL6613AECB-T -
RFQ
 ECAD 4805 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL6613 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 8-SOIC-EP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
IR2113SPBF Infineon Technologies IR2113SPBF 5.3500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IR2113 비 비 확인되지 확인되지 3.3V ~ 20V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 45 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 6V, 9.5V 2A, 2A 25ns, 17ns 600 v
UC3715D Texas Instruments UC3715D 2.4687
RFQ
 ECAD 6588 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) UC3715 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 동기 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 500ma, 1a 30ns, 25ns
TC4428EMF Microchip Technology TC4428EMF 1.0950
RFQ
 ECAD 8510 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TC4428 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-DFN-S (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4428EMF-NDR 귀 99 8542.39.0001 60 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 19ns, 19ns
IRS2336JTRPBF Infineon Technologies IRS2336JTRPBF -
RFQ
 ECAD 5449 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 44-LCC (J-Lead), 32 개의 리드 IRS2336 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 44-PLCC, 32 ℃ (16.58x16.58) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 200ma, 350ma 125ns, 50ns 600 v
LM2722M/NOPB Texas Instruments LM2722M/NOPB -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LM2722 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 7V 8-SOIC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 3A, 3.2A 17ns, 12ns
IXDD430CI IXYS IXDD430CI -
RFQ
 ECAD 7996 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 IXDD430 비 비 확인되지 확인되지 8.5V ~ 35V TO-220-5 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3.5V 30A, 30A 18ns, 16ns
EL7212CN Renesas Electronics America Inc EL7212CN -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) EL7212 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 15V 8-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 2A, 2A 7.5ns, 10ns
STSR3CD-TR STMicroelectronics STSR3CD-TR -
RFQ
 ECAD 7036 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STSR3 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET - 2A, 3.5A 40ns, 30ns
IX6R11S6 IXYS IX6R11S6 -
RFQ
 ECAD 8614 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 18- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IX6R11 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 35V 18- SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 42 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 6V, 9.6V 6A, 6A 25ns, 17ns 600 v
L6569 STMicroelectronics L6569 2.5400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) L6569 RC 입력 회로 확인되지 확인되지 10V ~ 16.6V 8- 미니 딥 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET - 170ma, 270ma - 600 v
TC1410NCPA Microchip Technology TC1410NCPA 1.8400
RFQ
 ECAD 5353 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TC1410 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC1410NCPA-NDR 귀 99 8542.39.0001 60 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 500ma, 500ma 25ns, 25ns
MIC44F20YMME-TR Microchip Technology MIC44F20YMME-TR 1.5400
RFQ
 ECAD 2473 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 MIC44F20 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 13.2V 8-MSOP-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET 1.607V, 1.615V 6A, 6A 10ns, 10ns
VLA567-11R Powerex Inc. VLA567-11R 36.7200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 44-DIP 모듈, 28 리드 VLA567 비 비 확인되지 확인되지 14.2V ~ 15.8V 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 하프 하프 2 IGBT - - 400ns, 300ns
MIC4607-1YTS-T5 Microchip Technology MIC4607-1YTS-T5 -
RFQ
 ECAD 7844 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 28-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MIC4607 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 5.25V ~ 16V 28-tssop - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 3 상 하프 하프 6 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1a, 1a 20ns, 20ns 108 v
TC4425AVMF713 Microchip Technology TC4425AVMF713 2.0100
RFQ
 ECAD 4694 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TC4425 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-DFN-S (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,300 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 4.5A, 4.5A 12ns, 12ns
TC4467COE713 Microchip Technology TC4467 COE713 4.1600
RFQ
 ECAD 4853 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TC4467 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4467 COE713-NDR 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 낮은 낮은 4 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.2A, 1.2A 15ns, 15ns
UCC27200DRMR Texas Instruments UCC27200DRMR 1.2000
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 UCC27200 비 비 확인되지 확인되지 8V ~ 17V 8-vson (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 3V, 8V 3A, 3A 8ns, 7ns 120 v
IRS2008SPBF Infineon Technologies IRS2008SPBF 1.3800
RFQ
 ECAD 9615 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRS2008 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.5V 290ma, 600ma 70ns, 30ns 200 v
L6569D013TR STMicroelectronics L6569D013TR -
RFQ
 ECAD 1892 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) L6569 RC 입력 회로 확인되지 확인되지 10V ~ 16.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET - 170ma, 270ma - 600 v
IR3103 Infineon Technologies IR3103 -
RFQ
 ECAD 8764 0.00000000 인피온 인피온 Imotion ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 11-sip, 9 9 리드 IR3103 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 11-sip 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001535474 귀 99 8542.39.0001 20 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.9V - - 500 v
IR2105STR Infineon Technologies IR2105STR -
RFQ
 ECAD 4277 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR2105 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 3V 210ma, 360ma 100ns, 50ns 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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