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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
MPQ6531GV-AEC1-P Monolithic Power Systems Inc. MPQ6531GV-AEC1-P 2.7699
RFQ
 ECAD 9471 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. 자동차, AEC-Q100, MPQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 28-vfqfn 노출 패드 비 비 5V ~ 60V 28-QFN (4x5) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 1589-MPQ6531GV-AEC1-PTR 500 3 상 하프 하프 3 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 800ma, 1a -
UCC27517ADBVT Texas Instruments UCC27517ADBVT 1.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 UCC27517 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V SOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-, MOSFET 1V, 2.4V 4a, 4a 8ns, 7ns
MIC4424CN Microchip Technology MIC4424CN -
RFQ
 ECAD 2955 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) MIC4424 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 3A, 3A 28ns, 32ns
ADP3414JRZ-REEL onsemi ADP3414JRZ-REEL -
RFQ
 ECAD 6569 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ADP3414 확인되지 확인되지 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500
UCC27211ADRMR Texas Instruments ucc27211adrmr 1.9600
RFQ
 ECAD 7054 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 UCC27211 비 비 확인되지 확인되지 8V ~ 17V 8-vson (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1.3V, 2.7V 4a, 4a 7.2ns, 5.5ns 120 v
MAX17605AUA+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX17605AUA+ 2.4500
RFQ
 ECAD 7590 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 MAX17605 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4V ~ 14V 8-umax-EP | 8- USOP-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -4941-max17605aua+ 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, SIC MOSFET 2V, 4.25V 4a, 4a 40ns, 25ns
LM25101AMR/NOPB National Semiconductor lm25101amr/nopb -
RFQ
 ECAD 2905 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-LM25101AMR/NOPB-14 1
5962-8877003PA Analog Devices Inc./Maxim Integrated 5962-8877003PA -
RFQ
 ECAD 6571 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 5962-8877003 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-cerdip 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 50 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 25ns, 25ns
ISL89400AR3Z-T Renesas Electronics America Inc ISL89400AR3Z-T -
RFQ
 ECAD 5547 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 9-vfdfn 노출 패드 ISL89400 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 14V 9-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 3.7V, 7.4V 1.25A, 1.25A 16ns, 16ns 100 v
L6569 STMicroelectronics L6569 2.5400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) L6569 RC 입력 회로 확인되지 확인되지 10V ~ 16.6V 8- 미니 딥 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET - 170ma, 270ma - 600 v
NCP3418ADR2 onsemi NCP3418ADR2 -
RFQ
 ECAD 7846 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NCP3418 비 비 확인되지 확인되지 4.6V ~ 13.2V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V - 18ns, 10ns 30 v
TC4427EPA Microchip Technology TC4427EPA 2.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TC4427 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 19ns, 19ns
1SD210F2-FZ250R65KE3 Power Integrations 1SD210F2-FZ250R65KE3 -
RFQ
 ECAD 4667 0.00000000 전력 전력 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 섀시 섀시 기준 기준 1SD210F2 - 확인되지 확인되지 15.5V ~ 16.8V 기준 기준 - 1 (무제한) 1810-1SD210F2-FZ250R65KE3 쓸모없는 20 하나의 높은 높은 또는 쪽 쪽 1 IGBT - 6A, 10A 100ns, 100ns 1200 v
PDRV8305NEPHPRQ1 Texas Instruments PDRV8305NEPHPRQ1 -
RFQ
 ECAD 4620 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 48-powertqfp PDRV8305 비 비 확인되지 확인되지 4.4V ~ 45V 48-HTQFP (7x7) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 3 상 하프 하프 6 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 1a, 1a -
IXDE514SIA IXYS IXDE514SIA -
RFQ
 ECAD 3143 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDE514 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 94 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 1V, 2.5V 14a, 14a 25ns, 22ns
MAX8552ETB+TG24 Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX8552ETB+TG24 -
RFQ
 ECAD 1946 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MAX8552 확인되지 확인되지 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
LTC1163CS8#PBF Analog Devices Inc. LTC1163CS8#PBF 9.0300
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LTC1163 비 비 확인되지 확인되지 1.8V ~ 6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 하이 하이 3 N- 채널 MOSFET - - -
SIP41101DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SIP41101DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4442 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SIP41101 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 16-TSSOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1V, 2.5V 3A, 3A 15ns, 15ns 30 v
TPS2812PWR Texas Instruments TPS2812PWR 0.9615
RFQ
 ECAD 9688 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) TPS2812 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 14V 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 동기 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 4V 2A, 2A 14ns, 15ns
EL7457CU-T7 Renesas Electronics America Inc EL7457CU-T7 -
RFQ
 ECAD 4948 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) EL7457 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 16-QSOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 높은 높은 또는 쪽 쪽 4 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 2A, 2A 13.5ns, 13ns
MAX15012BASA+T Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX15012BASA+T -
RFQ
 ECAD 3560 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MAX15012 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 8V ~ 12.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하프 하프 2 175 v
SCV7512FTR2G onsemi SCV7512FTR2G 0.8100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 SCV7512 확인되지 확인되지 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,000
ISL6605IR-T Renesas Electronics America Inc ISL6605IR-T -
RFQ
 ECAD 3683 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-vqfn q 패드 ISL6605 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 8-QFN (3x3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1V, 2V 2A, 2A 8ns, 8ns 33 v
HIP2101EIB Renesas Electronics America Inc hip2101eib -
RFQ
 ECAD 5851 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 HIP2101 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 14V 8-SOIC-EP 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 -hip2101eib 귀 99 8542.39.0001 98 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 2A, 2A 10ns, 10ns 114 v
AUIRS2334S Infineon Technologies AUIRS2334S -
RFQ
 ECAD 3633 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) AUIRS2334 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 20- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001512442 귀 99 8542.39.0001 36 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.5V 200ma, 350ma 125ns, 50ns 600 v
TPS2813D Texas Instruments TPS2813D 1.8519
RFQ
 ECAD 4034 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TPS2813 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4V ~ 14V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 동기 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 4V 2A, 2A 14ns, 15ns
MAX4429CSA+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX4429CSA+ 4.7700
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MAX4429 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -4941-max4429csa+ 귀 99 8542.39.0001 100 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 25ns, 25ns
UCC37322DGN Texas Instruments UCC37322DGN 1.5600
RFQ
 ECAD 9133 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 UCC37322 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 15V 8-HVSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 80 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 1.1V, 2.7V 9a, 9a 20ns, 20ns
UCC27223PWP Texas Instruments UCC27223PWP 3.6718
RFQ
 ECAD 6487 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 14-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비) UCC27223 비 비 확인되지 확인되지 3.7V ~ 20V 14-HTSSOP 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 90 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1.55V, 2.25V 4a, 4a 17ns, 17ns
HIP6604BCRZ-T Renesas Electronics America Inc HIP6604BCRZ-T -
RFQ
 ECAD 2018 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 16-vqfn q 패드 HIP6604 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 16-QFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - - 20ns, 20ns 15 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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