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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
MIC4479YME-TR Microchip Technology MIC4479YME-TR -
RFQ
 ECAD 1345 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 MIC4479 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 32V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 2.5A, 2.5A 120ns, 45ns
UCC27325PE4 Texas Instruments UCC27325PE4 0.6620
RFQ
 ECAD 5484 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 반전, 반전 비 4.5V ~ 15V 8-PDIP - Rohs3 준수 296-UCC27325PE4 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 2V 4a, 4a 20ns, 15ns
IR21091PBF Infineon Technologies IR21091PBF -
RFQ
 ECAD 7239 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IR21091 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001538060 귀 99 8542.39.0001 3,000 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.9V 200ma, 350ma 150ns, 50ns 600 v
2EDS8265HXUMA2 Infineon Technologies 2EDS8265HXUMA2 4.3900
RFQ
 ECAD 8077 0.00000000 인피온 인피온 EICEDRIVER ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 2EDS8265 비 비 확인되지 확인되지 20V PG-DSO-16-30 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 하프 하프 2 n-채널, p 채널 MOSFET -, 1.65V 4a, 8a 6.5ns, 4.5ns
PM8834TR STMicroelectronics pm8834tr 2.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PM8834 비 비 확인되지 확인되지 5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 4a, 4a 45ns, 35ns
ISL89164FBEBZ Renesas Electronics America Inc ISL89164FBEBZ 4.9700
RFQ
 ECAD 1614 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL89164 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ISL89164FBEBZ 귀 99 8542.39.0001 98 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 1.85V, 3.15V 6A, 6A 20ns, 20ns
IRS2101PBF Infineon Technologies IRS2101PBF 1.4159
RFQ
 ECAD 8917 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRS2101 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 높은 높은 또는 쪽 쪽 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 290ma, 600ma 70ns, 35ns 600 v
MAX4429CSA+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX4429CSA+ 4.7700
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MAX4429 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -4941-max4429csa+ 귀 99 8542.39.0001 100 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 25ns, 25ns
MAX4429ESA+T Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX4429ESA+T 3.2100
RFQ
 ECAD 8642 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MAX4429 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 25ns, 25ns
MAX4428CSA Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX4428CSA 1.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MAX4428 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 20ns, 20ns
MCP1404-E/SN Microchip Technology MCP1404-E/SN 2.6200
RFQ
 ECAD 679 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MCP1404 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCP1404ESN 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 4.5A, 4.5A 15ns, 18ns
MAX5063CASA+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX5063CASA+ 6.6900
RFQ
 ECAD 152 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 max5063 비 비 확인되지 확인되지 8V ~ 12.6V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -4941-max5063casa+ 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 2A, 2A 65ns, 65ns 125 v
IR2308SPBF International Rectifier IR2308SPBF -
RFQ
 ECAD 2447 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR2308 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.9V 200ma, 350ma 150ns, 50ns 600 v
ISL6614BCB Intersil ISL6614BCB 1.8200
RFQ
 ECAD 933 0.00000000 인터 인터 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6614 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 13.2V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
MIC4426ZM Microchip Technology MIC4426ZM 1.4500
RFQ
 ECAD 6760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MIC4426 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 20ns, 29ns
MP1923GS-Z Monolithic Power Systems Inc. MP1923GS-Z -
RFQ
 ECAD 2978 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. MP 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 비 비 5V ~ 17V 8-SOIC - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 1589-MP1923GS-ZTR 2,500 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 7a, 8a 7.2ns, 5.5ns 120 v
2EDS9265HXUMA1 Infineon Technologies 2EDS9265HXUMA1 4.3900
RFQ
 ECAD 5285 0.00000000 인피온 인피온 EICEDRIVER ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 2EDS9265 비 비 확인되지 확인되지 20V PG-DSO-16-30 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 하프 하프 2 IGBT, SIC MOSFET -, 1.65V 4a, 8a 6.5ns, 4.5ns 650 v
MAX15025BATB+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX15025BATB+ -
RFQ
 ECAD 2408 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 10-wfdfn d 패드 MAX15025 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 28V 10-TDFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 2V, 4.25V 2A, 4A 48ns, 32ns
IR2127PBF International Rectifier IR2127pbf -
RFQ
 ECAD 5774 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IR2127 비 비 확인되지 확인되지 12V ~ 20V 8-PDIP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 하나의 높은 높은 또는 쪽 쪽 1 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 3V 250ma, 500ma 80ns, 40ns 600 v
IRS21091STRPBF International Rectifier IRS21091strpbf -
RFQ
 ECAD 4879 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRS21091 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 290ma, 600ma 100ns, 35ns 600 v
IRS2184STRPBF International Rectifier IRS2184STRPBF -
RFQ
 ECAD 1855 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRS2184 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 1.9a, 2.3a 40ns, 20ns 600 v
IRS23365DMTRPBF International Rectifier IRS23365DMTRPBF -
RFQ
 ECAD 2615 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 48-vfqfn 노출 패드 패드, 34 ℃ IRS23365 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 48-mlpq (7x7) - 0000.00.0000 1 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 180ma, 380ma 125ns, 50ns 600 v
IXDD509SIAT/R IXYS ixdd509siat/r -
RFQ
 ECAD 6072 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDD509 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 9a, 9a 25ns, 23ns
IR25600STRPBF International Rectifier IR25600STPBF -
RFQ
 ECAD 5668 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR25600 비 비 확인되지 확인되지 6V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 0000.00.0000 1 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.7V 2.3a, 3.3a 15ns, 10ns
ISL6614CBZR5238 Intersil ISL6614CBZR5238 1.7800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인터 인터 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6614 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 14 -Soic 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8542.39.0001 50 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
CMT-TIT0697A CISSOID CMT-TIT0697A 202.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 cissoid - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 기준 기준 CMT-TIT0697 비 비 확인되지 확인되지 12V ~ 18V 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3276-CMT-TIT0697A 귀 99 8542.39.0000 1 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET - 10A, 10A - 1200 v
IXDN430CI IXYS IXDN430CI -
RFQ
 ECAD 8483 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 IXDN430 비 비 확인되지 확인되지 8.5V ~ 35V TO-220-5 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3.5V 30A, 30A 18ns, 16ns
MCP1403T-E/MF Microchip Technology MCP1403T-E/MF 2.6400
RFQ
 ECAD 9474 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MCP1403 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-DFN-S (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCP1403T-E/MFTR 귀 99 8542.39.0001 3,300 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 4.5A, 4.5A 15ns, 18ns
2ED2106S06FXUMA1 Infineon Technologies 2ED2106S06FXUMA1 2.2700
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 2ed2106 CMOS, TTL 확인되지 확인되지 10V ~ 20V PG-DSO-8-69 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 높은 높은 및 측면 측면 2 IGBT, N-, MOSFET 1.1V, 1.7V 290ma, 700ma 100ns, 35ns 675 v
MAX5048AAUT#G16 Analog Devices Inc./Maxim Integrated Max5048aaut#G16 -
RFQ
 ECAD 4878 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-23-6 max5048 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4V ~ 12.6V SOT-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET - 1.3a, 7.6a 82ns, 12.5ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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