전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | sic 프로그램 가능 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 채널 채널 | 구동 구동 | 드라이버 드라이버 | 게이트 게이트 | 논리 논리 - vil, vih | 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) | 상승 / 시간 낙하 (타이핑) | 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩) |
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![]() | ISL6208CB-T | - | ![]() | 6480 | 0.00000000 | 인터 인터 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -10 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ISL6208 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 5.5V | 8-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 동기 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | 0.5V, 2V | 2A, 2A | 8ns, 8ns | 33 v | ||||
![]() | FAN7080M-GF085 | - | ![]() | 1891 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q100 | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | fan7080 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 5.5V ~ 20V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 95 | 동기 | 하프 하프 | 2 | IGBT, N-, MOSFET | 0.8V, 2.7V | 300ma, 600ma | 40ns, 25ns | 600 v | ||
![]() | MIC5013YM-TR | 5.9100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MIC5013 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 7V ~ 32V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 하나의 | 높은 높은 또는 쪽 쪽 | 1 | N- 채널 MOSFET | 2V, 4.5V | - | - | |||
![]() | MIC4428ZM-TR | 1.4500 | ![]() | 5238 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MIC4428 | 반전, 반전 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 18V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 독립적인 | 낮은 낮은 | 2 | n-채널, p 채널 MOSFET | 0.8V, 2.4V | 1.5A, 1.5A | 20ns, 29ns | |||
![]() | TC4467MJD | - | ![]() | 1947 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) | TC4467 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 18V | 14-cerdip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | TC4467MJD-NDR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 29 | 독립적인 | 낮은 낮은 | 4 | n-채널, p 채널 MOSFET | 0.8V, 2.4V | 1.2A, 1.2A | 15ns, 15ns | ||
![]() | FAN73833MX | 1.8100 | ![]() | 639 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FAN73833 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 11V ~ 20V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | IGBT, N-, MOSFET | 1.2V, 2.5V | 350MA, 650MA | 50ns, 30ns | 600 v | ||
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![]() | UC2705D | 9.3200 | ![]() | 5171 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | UC2705 | 반전, 반전 비 | 확인되지 확인되지 | 5V ~ 40V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 75 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | N- 채널 MOSFET | 0.8V, 2.2V | 1.5A, 1.5A | 60ns, 60ns | |||
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![]() | IRS21281SPBF | - | ![]() | 2064 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRS21281 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 9V ~ 20V | 8-SOIC | 다운로드 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | SP001542700 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 95 | 하나의 | 하이 하이 | 1 | IGBT, N-, MOSFET | 0.8V, 2.5V | 290ma, 600ma | 80ns, 40ns | 600 v | ||
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![]() | LM5134ASD/NOPB | 1.0920 | ![]() | 4273 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | LM5134 | 반전, 반전 비 | 확인되지 확인되지 | 4V ~ 12.6V | 6- 웨슨 (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | N- 채널 MOSFET | - | 4.5A, 7.6A | 3ns, 2ns | |||
![]() | 2SC0435T2F1C-17 | 124.7229 | ![]() | 1288 | 0.00000000 | 전력 전력 | 스케일 ™ -2+ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 2SC0435 | - | 14.5V ~ 15.5V | 기준 기준 | - | 596-2SC0435T2F1C-17 | 24 | 독립적인 | - | 2 | IGBT, N-,, P 채널 MOSFET | - | 35a, 35a | 20ns, 20ns | 1700 v | |||||||
![]() | IRS2336DSPBF | 4.8318 | ![]() | 9529 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | IRS2336 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 10V ~ 20V | 28 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 3 상 | 하프 하프 | 6 | IGBT, N-, MOSFET | 0.8V, 2.5V | 200ma, 350ma | 125ns, 50ns | 600 v | ||
![]() | UCC27538DBVT | 1.5700 | ![]() | 7964 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | UCC27538 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 10V ~ 32V | SOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | IGBT, N-, MOSFET | 1.2V, 2.2V | 2.5a, 5a | 15ns, 7ns | |||
![]() | TPS2830pwpg4 | - | ![]() | 8397 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 14-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비) | TPS2830 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 15V | 14-HTSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 90 | 동기 | 하이 하이 | 2 | N- 채널 MOSFET | - | 2.7a, 2.4a | 50ns, 50ns | 28 v | ||
![]() | IXDI402SI | - | ![]() | 8296 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IXDI402 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 35V | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 독립적인 | 낮은 낮은 | 2 | IGBT, N-,, P 채널 MOSFET | 0.8V, 3V | 2A, 2A | 8ns, 8ns | ||||
![]() | NCP4422T | 1.3100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | NCP4422 | 확인되지 확인되지 | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | ISL6612ECBZ | - | ![]() | 8122 | 0.00000000 | 인터 인터 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | ISL6612 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 10.8V ~ 13.2v | 8-SOIC-EP | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 동기 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | - | 1.25A, 2A | 26ns, 18ns | 36 v | |||||
![]() | ISL83202IBZT | 2.5885 | ![]() | 2899 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ISL83202 | 반전, 반전 비 | 확인되지 확인되지 | 8.5V ~ 15V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 독립적인 | 하프 하프 | 4 | N- 채널 MOSFET | 1V, 2.5V | 1a, 1a | 9ns, 9ns | 70 v | ||
![]() | LM2724ALD/NOPB | - | ![]() | 8273 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | LM2724 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 4.3V ~ 6.8V | 8-wson (4x4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 동기 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | - | 3A, 3.2A | 17ns, 12ns | 28 v | ||
![]() | E-L6385D013TR | - | ![]() | 6947 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | E-L6385 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 17V (최대) | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | IGBT, N-, MOSFET | 1.5V, 3.6V | 400ma, 650ma | 50ns, 30ns | 600 v | ||
![]() | ixdd614d2tr | - | ![]() | 3014 | 0.00000000 | ixys 회로 통합 부서 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA | IXDD614 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 35V | To-263 (d²pak) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | IGBT, N-,, P 채널 MOSFET | 0.8V, 3V | 14a, 14a | 25ns, 18ns | ||||
![]() | TLE9180C21QKXUMA1 | - | ![]() | 7122 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | TLE9180 | 확인되지 확인되지 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 448-TLE9180C21QKXUMA1TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,900 | |||||||||||||||
![]() | RT9624BZS | 0.7700 | ![]() | 740 | 0.00000000 | Richtek USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | RT9624 | 반전, 반전 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 13.2V | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 동기 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | 0.7V, 3.2V | - | 25ns, 12ns | 15 v | ||
![]() | UC2714D | 2.8275 | ![]() | 2261 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | UC2714 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 7V ~ 20V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 75 | 동기 | 낮은 낮은 | 2 | n-채널, p 채널 MOSFET | 0.8V, 2V | 500ma, 1a | 30ns, 25ns | |||
![]() | ISL6613EIBZ | - | ![]() | 4360 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | ISL6613 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 10.8V ~ 13.2v | 8-SOIC-EP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 98 | 동기 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | - | 1.25A, 2A | 26ns, 18ns | 36 v | ||
![]() | IR2130J | - | ![]() | 1800 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 44-LCC (J-Lead), 32 개의 리드 | IR2130 | 반전 | 확인되지 확인되지 | 10V ~ 20V | 44-PLCC, 32 ℃ (16.58x16.58) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 27 | 3 상 | 하프 하프 | 6 | IGBT, N-, MOSFET | 0.8V, 2.2V | 250ma, 500ma | 80ns, 35ns | 600 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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