SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
ISL6208CB-T Intersil ISL6208CB-T -
RFQ
ECAD 6480 0.00000000 인터 인터 - 대부분 쓸모없는 -10 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6208 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.5V, 2V 2A, 2A 8ns, 8ns 33 v
FAN7080M-GF085 onsemi FAN7080M-GF085 -
RFQ
ECAD 1891 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100 튜브 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) fan7080 비 비 확인되지 확인되지 5.5V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.7V 300ma, 600ma 40ns, 25ns 600 v
MIC5013YM-TR Microchip Technology MIC5013YM-TR 5.9100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MIC5013 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 32V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 높은 높은 또는 쪽 쪽 1 N- 채널 MOSFET 2V, 4.5V - -
MIC4428ZM-TR Microchip Technology MIC4428ZM-TR 1.4500
RFQ
ECAD 5238 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MIC4428 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 20ns, 29ns
TC4467MJD Microchip Technology TC4467MJD -
RFQ
ECAD 1947 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) TC4467 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 14-cerdip 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4467MJD-NDR 귀 99 8542.39.0001 29 독립적인 낮은 낮은 4 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.2A, 1.2A 15ns, 15ns
FAN73833MX onsemi FAN73833MX 1.8100
RFQ
ECAD 639 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FAN73833 비 비 확인되지 확인되지 11V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 1.2V, 2.5V 350MA, 650MA 50ns, 30ns 600 v
UCC27526DSDR Texas Instruments UCC27526DSDR 1.2900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 8-wdfn n 패드 UCC27526 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8) (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-, MOSFET 1V, 2.3V 5a, 5a 7ns, 6ns
UC2705D Texas Instruments UC2705D 9.3200
RFQ
ECAD 5171 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) UC2705 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 5V ~ 40V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1.5A, 1.5A 60ns, 60ns
LTC4441MPMSE#TRPBF Analog Devices Inc. LTC4441MPMSE#TRPBF 9.7200
RFQ
ECAD 4354 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 노출 패드 LTC4441 비 비 확인되지 확인되지 5V ~ 25V 10-msop-ep 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET 1.8V, 2V 6A, 6A 13ns, 8ns
AUIRS2004S Infineon Technologies AUIRS2004S -
RFQ
ECAD 5919 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) auiirs2004 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001513950 귀 99 8542.39.0001 95 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 290ma, 600ma 160ns, 70ns 200 v
IRS21281SPBF Infineon Technologies IRS21281SPBF -
RFQ
ECAD 2064 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRS21281 반전 확인되지 확인되지 9V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 SP001542700 귀 99 8542.39.0001 95 하나의 하이 하이 1 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 290ma, 600ma 80ns, 40ns 600 v
ISL6613AEIB Renesas Electronics America Inc ISL6613AEIB -
RFQ
ECAD 5024 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL6613 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 8-SOIC-EP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 98 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
MIC4127BME Microchip Technology MIC4127BME -
RFQ
ECAD 3949 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MIC4127 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 20V 8-SOIC - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 20ns, 18ns
LM5134ASD/NOPB Texas Instruments LM5134ASD/NOPB 1.0920
RFQ
ECAD 4273 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 LM5134 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4V ~ 12.6V 6- 웨슨 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET - 4.5A, 7.6A 3ns, 2ns
2SC0435T2F1C-17 Power Integrations 2SC0435T2F1C-17 124.7229
RFQ
ECAD 1288 0.00000000 전력 전력 스케일 ™ -2+ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 섀시 섀시 기준 기준 2SC0435 - 14.5V ~ 15.5V 기준 기준 - 596-2SC0435T2F1C-17 24 독립적인 - 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET - 35a, 35a 20ns, 20ns 1700 v
IRS2336DSPBF Infineon Technologies IRS2336DSPBF 4.8318
RFQ
ECAD 9529 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IRS2336 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 28 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 200ma, 350ma 125ns, 50ns 600 v
UCC27538DBVT Texas Instruments UCC27538DBVT 1.5700
RFQ
ECAD 7964 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 UCC27538 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 32V SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-, MOSFET 1.2V, 2.2V 2.5a, 5a 15ns, 7ns
TPS2830PWPG4 Texas Instruments TPS2830pwpg4 -
RFQ
ECAD 8397 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비) TPS2830 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 15V 14-HTSSOP 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 90 동기 하이 하이 2 N- 채널 MOSFET - 2.7a, 2.4a 50ns, 50ns 28 v
IXDI402SI IXYS IXDI402SI -
RFQ
ECAD 8296 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDI402 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 2A, 2A 8ns, 8ns
NCP4422T onsemi NCP4422T 1.3100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 NCP4422 확인되지 확인되지 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
ISL6612ECBZ Intersil ISL6612ECBZ -
RFQ
ECAD 8122 0.00000000 인터 인터 - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL6612 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 8-SOIC-EP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
ISL83202IBZT Renesas Electronics America Inc ISL83202IBZT 2.5885
RFQ
ECAD 2899 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL83202 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 8.5V ~ 15V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET 1V, 2.5V 1a, 1a 9ns, 9ns 70 v
LM2724ALD/NOPB Texas Instruments LM2724ALD/NOPB -
RFQ
ECAD 8273 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-wdfn n 패드 LM2724 비 비 확인되지 확인되지 4.3V ~ 6.8V 8-wson (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 3A, 3.2A 17ns, 12ns 28 v
E-L6385D013TR STMicroelectronics E-L6385D013TR -
RFQ
ECAD 6947 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) E-L6385 반전 확인되지 확인되지 17V (최대) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 1.5V, 3.6V 400ma, 650ma 50ns, 30ns 600 v
IXDD614D2TR IXYS Integrated Circuits Division ixdd614d2tr -
RFQ
ECAD 3014 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA IXDD614 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V To-263 (d²pak) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 14a, 14a 25ns, 18ns
TLE9180C21QKXUMA1 Infineon Technologies TLE9180C21QKXUMA1 -
RFQ
ECAD 7122 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 TLE9180 확인되지 확인되지 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 448-TLE9180C21QKXUMA1TR 귀 99 8542.39.0001 1,900
RT9624BZS Richtek USA Inc. RT9624BZS 0.7700
RFQ
ECAD 740 0.00000000 Richtek USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RT9624 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 13.2V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.7V, 3.2V - 25ns, 12ns 15 v
UC2714D Texas Instruments UC2714D 2.8275
RFQ
ECAD 2261 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) UC2714 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 동기 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 500ma, 1a 30ns, 25ns
ISL6613EIBZ Renesas Electronics America Inc ISL6613EIBZ -
RFQ
ECAD 4360 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL6613 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 98 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
IR2130J Infineon Technologies IR2130J -
RFQ
ECAD 1800 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 44-LCC (J-Lead), 32 개의 리드 IR2130 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 44-PLCC, 32 ℃ (16.58x16.58) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 27 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.2V 250ma, 500ma 80ns, 35ns 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고