RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

게이트 게이트 (7161)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	sic 프로그램 가능	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	채널 채널	구동 구동	드라이버 드라이버	게이트 게이트	논리 논리 - vil, vih	현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크)	상승 / 시간 낙하 (타이핑)	높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)	sic 프로그램 가능
TSC428EJA	1.1600	RFQ	788	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	대부분	활동적인	-	구멍을 구멍을	8-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	TSC428	반전, 반전 비	확인되지 확인되지	4.5V ~ 18V	8-cerdip	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1	독립적인	낮은 낮은	2	n-채널, p 채널 MOSFET	0.8V, 2.4V	1.5A, 1.5A	20ns, 20ns
2SC0108T2F1-17	53.1800	RFQ	4	전력 전력	스케일 ™ -2+	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	기준 기준	2SC0108	-	확인되지 확인되지	14.5V ~ 15.5V	기준 기준	다운로드		1 (무제한)		1810-1024	귀 99	8473.30.1180	30	독립적인	높은 높은 또는 쪽 쪽	2	IGBT	-	8a, 8a	17ns, 15ns	1700 v
UCC37322D	1.5600	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	UCC37322	비 비	확인되지 확인되지	4V ~ 15V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	75	하나의	낮은 낮은	1	n-채널, p 채널 MOSFET	1.1V, 2.7V	9a, 9a	20ns, 20ns
MP1921HQ-A-LF-P	1.5211	RFQ	5902	Monolithic Power Systems Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드	MP1921	비 비	확인되지 확인되지	9V ~ 18V	8-QFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500	독립적인	하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	1V, 2.4V	2.5A, 2.5A	12ns, 9ns	120 v
l9375trlf	6.3979	RFQ	8330	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	36-powerbssop (0.433 ", 11.00mm 너비)	L9375	반전, 반전 비	확인되지 확인되지	5.2V ~ 20V	파워 -36, 3 패드	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	600	동기	낮은 낮은	8	n-채널, p 채널 MOSFET	1V, 2V	-	9ns, 9ns
ISL6614CBZR5214	-	RFQ	7310	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	ISL6614	비 비	확인되지 확인되지	10.8V ~ 13.2v	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	동기	하프 하프	4	N- 채널 MOSFET	-	1.25A, 2A	26ns, 18ns	36 v
IR2152STR	-	RFQ	6814	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IR2152	RC 입력 회로	확인되지 확인되지	10V ~ 20V	8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	동기	하프 하프	2	IGBT, N-, MOSFET	-	125ma, 250ma	80ns, 40ns	600 v
1SP0635S2M1-17	370.4117	RFQ	6105	전력 전력	스케일 ™ -2	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	섀시 섀시	기준 기준		-		14.5V ~ 15.5V	기준 기준	-				596-1SP0635S2M1-17			6	하나의	-	1	IGBT	-	35a, 35a	9ns, 30ns	1700 v
UC3714DP	-	RFQ	5203	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	UC3714	비 비	확인되지 확인되지	7V ~ 20V	16-	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	40	동기	낮은 낮은	2	n-채널, p 채널 MOSFET	0.8V, 2V	500ma, 1a	30ns, 25ns
A4919gettr-3-t	3.0600	RFQ	4863	Allegro Microsystems	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	28-vfqfn 노출 패드	A4919	TTL	확인되지 확인되지	5.5V ~ 50V	28-QFN (5x5)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,500	3 상	높은 높은 또는 쪽 쪽	6	N- 채널 MOSFET	0.8V, 1.5V	-	35ns, 20ns
IR2108	-	RFQ	7706	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)	IR2108	비 비	확인되지 확인되지	10V ~ 20V	8-PDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IR2108	귀 99	8542.39.0001	50	독립적인	하프 하프	2	IGBT, N-, MOSFET	0.8V, 2.9V	200ma, 350ma	150ns, 50ns	600 v
EL7242CN	2.4000	RFQ	1	엘란 엘란	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)	EL7242	반전, 반전 비	확인되지 확인되지	4.5V ~ 16V	8-PDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1	독립적인	낮은 낮은	2	n-채널, p 채널 MOSFET	0.8V, 2.4V	2A, 2A	10ns, 10ns
LM27222SDX	-	RFQ	9461	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	8-wdfn n 패드	LM27222	비 비	확인되지 확인되지	4V ~ 6.85V	8-wson (4x4)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	4,500	동기	하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	-	3A, 4.5A	17ns, 12ns	33 v
ixdd609d2tr	2.1300	RFQ	7	ixys 회로 통합 부서	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드	IXDD609	비 비	확인되지 확인되지	4.5V ~ 35V	8-DFN-EP (5x4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	하나의	낮은 낮은	1	IGBT, N-,, P 채널 MOSFET	0.8V, 3V	9a, 9a	22ns, 15ns
LM5102SD/NOPB	3.5100	RFQ	153	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	10-wdfn n 패드	LM5102	비 비	확인되지 확인되지	9V ~ 14V	10) (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	독립적인	하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	0.8V, 2.2V	1.6A, 1.6A	600ns, 600ns	118 v
2SB315B-2MBI800U4G-170	-	RFQ	9404	전력 전력	스케일 ™ -1	대부분	쓸모없는	-	섀시 섀시	기준 기준	2SB315	-	확인되지 확인되지	0V ~ 16V	기준 기준	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8473.30.1180	2	하나의	하프 하프	2	IGBT, N-,, P 채널 MOSFET	-	-	-
LM5114BMF/NOPB	1.7300	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6	LM5114	반전, 반전 비	확인되지 확인되지	4V ~ 12.6V	SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	하나의	낮은 낮은	1	N- 채널 MOSFET	0.8V, 2.4V	1.3a, 7.6a	82ns, 12.5ns
IRS2011pbf	1.7859	RFQ	1074	인피온 인피온	-	튜브	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)	IRS2011	반전	확인되지 확인되지	10V ~ 20V	8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	독립적인	하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	0.8V, 2.7V	1a, 1a	25ns, 15ns	200 v
TPS2830DRG4	-	RFQ	8272	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	TPS2830	비 비	확인되지 확인되지	4.5V ~ 15V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	동기	하이 하이	2	N- 채널 MOSFET	-	2.7a, 2.4a	50ns, 50ns	28 v
V62/11601-01XE	4.5855	RFQ	3466	텍사스 텍사스	*	테이프 & tr (TR)	활동적인									-	Rohs3 준수			296-v62/11601-01xetr			2,500
IR21844SPBF	1.0000	RFQ	2950	국제 국제	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IR21844	비 비		10V ~ 20V	14 -Soic	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	동기	하프 하프	2	IGBT, N-, MOSFET	0.8V, 2.7V	1.9a, 2.3a	40ns, 20ns	600 v	확인되지 확인되지
ir7106spbf-ir	-	RFQ	6334	국제 국제	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IR7106	비 비	확인되지 확인되지	10V ~ 20V	8-SOIC	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	독립적인	높은 높은 및 측면 측면	2	IGBT, N-, MOSFET	0.8V, 2.9V	200ma, 350ma	150ns, 50ns	700 v
TPIC44L02DBRG4	-	RFQ	5131	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	24-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	TPIC44L02	비 비	확인되지 확인되지	4.5V ~ 5.5V	24-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	독립적인	낮은 낮은	4	n-채널, p 채널 MOSFET	-	1.2MA, 1.2MA	3.5µs, 3µs
DRV8300DIPWR	1.6900	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	DRV8300	비 비	확인되지 확인되지	5V ~ 20V	20-tssop	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)		296-DRV8300DIPWRTR	귀 99	8542.39.0001	3,000	3 상	높은 높은 및 측면 측면	3	N- 채널 MOSFET	0.8V, 2V	750MA, 1.5A	12ns, 12ns	105 v
l6393d	2.2000	RFQ	595	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	L6393	비 비	확인되지 확인되지	10V ~ 20V	14-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	동기	하프 하프	2	IGBT, N-, MOSFET	1.1V, 1.9V	290ma, 430ma	75ns, 35ns	600 v
1SD210F2-MBN1200H45E2-H_OPT1	-	RFQ	5636	전력 전력	-	쟁반	쓸모없는	-	섀시 섀시	기준 기준	1SD210F2	-	확인되지 확인되지	-	기준 기준	-		1 (무제한)		1810-1SD210F2-MBN1200H45E2-H_OPT1	쓸모없는		20	하나의	높은 높은 또는 쪽 쪽	1	IGBT	-	-	-	6500 v
fan3225cmx	0.6000	RFQ	1	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	FAN3225	반전, 반전 비		4.5V ~ 18V	8-SOIC	다운로드					귀 99	8542.39.0001	500	독립적인	낮은 낮은	2	N- 채널 MOSFET	-	5a, 5a	12ns, 9ns		확인되지 확인되지
l6384ed	1.8700	RFQ	1	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인	-45 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	L6384	반전	확인되지 확인되지	14.6v ~ 16.6v	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	동기	하프 하프	2	IGBT, N-, MOSFET	1.5V, 3.6V	400ma, 650ma	50ns, 30ns	600 v
L6386	-	RFQ	7797	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	L6386	반전	확인되지 확인되지	17V (최대)	14-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	독립적인	하프 하프	2	IGBT, N-, MOSFET	1.5V, 3.6V	400ma, 650ma	50ns, 30ns	600 v
1SD210F2-5SNA0400J650100	-	RFQ	2929	전력 전력	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	섀시 섀시	기준 기준	1SD210F2	-	확인되지 확인되지	15.5V ~ 16.8V	기준 기준	-		1 (무제한)		1810-1SD210F2-5SNA0400J650100	쓸모없는		20	하나의	높은 높은 또는 쪽 쪽	1	IGBT	-	6A, 10A	100ns, 100ns	1200 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트 게이트 (7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²