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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
6SD312EI Power Integrations 6SD312EI -
RFQ
 ECAD 9462 0.00000000 전력 전력 스케일 ™ -1 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 섀시 섀시 기준 기준 6SD312 - 확인되지 확인되지 0V ~ 16V 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8473.30.1180 1 - 하프 하프 6 IGBT - - 160ns, 130ns
MAX15070BEUT+T Analog Devices Inc./Maxim Integrated Max15070beut+t -
RFQ
 ECAD 3449 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MAX15070 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 6V ~ 14V SOT-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET 2V, 4.25V 3A, 7A 36ns, 17ns
TC4424VOE713 Microchip Technology TC4424VOE713 2.8300
RFQ
 ECAD 4841 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TC4424 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4424VOE713-NDR 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 3A, 3A 23ns, 25ns
LTC4449EDCB Analog Devices Inc. LTC4449EDCB -
RFQ
 ECAD 9287 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-Wfdfn d 패드 패드 LTC4449 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 6.5V 8-DFN (2x3) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 3V, 6.5V 3.2A, 4.5A 8ns, 7ns 42 v
FAN53418MX Fairchild Semiconductor fan53418mx 0.5300
RFQ
 ECAD 262 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-udfn n 패드 fan53418 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 6-UMLP (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 높은 높은 및 측면 측면 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.8V - 25ns, 21ns 12 v
UC3709DW Texas Instruments UC3709DW 10.4300
RFQ
 ECAD 1430 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) UC3709 반전 확인되지 확인되지 5V ~ 40V 16- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 40 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1.5A, 1.5A 20ns, 20ns
98-0065 Infineon Technologies 98-0065 -
RFQ
 ECAD 7243 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR2117 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 하나의 하이 하이 1 IGBT, N-, MOSFET 6V, 9.5V 250ma, 500ma 80ns, 40ns 600 v
SIP41111DY-T1-E3 Vishay Siliconix SIP41111DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3220 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SIP41111 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 13.2V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 4V, 7V 2A, 2A 13ns, 15ns 75 v
FAN7362M onsemi fan7362m -
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) fan7362 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 8,100 하나의 하이 하이 1 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.9V 250ma, 500ma 70ns, 30ns 600 v
FAN3229CMX-F085 onsemi FAN3229CMX-F085 1.3537
RFQ
 ECAD 9064 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FAN3229 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET - 3A, 3A 12ns, 9ns
IXDN604SIATR IXYS Integrated Circuits Division IXDN604SIATR 2.1500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDN604 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
FAN3224TMX-F085 onsemi FAN3224TMX-F085 2.8800
RFQ
 ECAD 6250 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) fan3224 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 5a, 5a 12ns, 9ns
TC4421VPA Microchip Technology TC4421VPA 3.5000
RFQ
 ECAD 8567 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TC4421 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4421VPA-NDR 귀 99 8542.39.0001 60 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 9a, 9a 60ns, 60ns
TC4489CPD Microchip Technology TC4489CPD -
RFQ
 ECAD 6028 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) TC4489 - 확인되지 확인되지 - 14-PDIP - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - - 4 - - - -
IXDI502D1T/R IXYS ixdi502d1t/r -
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 IXDI502 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 6-DFN (4x5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 2A, 2A 7.5ns, 6.5ns
IXDF402SIA IXYS IXDF402SIA -
RFQ
 ECAD 4142 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDF402 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 94 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 2A, 2A 8ns, 8ns
MIC4102BM Microchip Technology MIC4102BM -
RFQ
 ECAD 6280 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MIC4102 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 16V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 2A, 3A 330ns, 200ns 118 v
IXDN404SI IXYS IXDN404SI -
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDN404 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 IXDN404SI-NDR 귀 99 8542.39.0001 94 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.5V 4a, 4a 16ns, 13ns
IRS2304SPBF Infineon Technologies IRS2304SPBF 1.9800
RFQ
 ECAD 9231 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRS2304 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 SP001546492 귀 99 8542.39.0001 95 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.7V, 2.3V 290ma, 600ma 70ns, 35ns 600 v
UCC27323DGN Texas Instruments UCC27323DGN 1.6700
RFQ
 ECAD 168 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 UCC27323 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 15V 8-HVSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 80 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 2V 4a, 4a 20ns, 15ns
MIC4120YME Microchip Technology MIC4120yme 1.5700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 MIC4120 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 20V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 576-1445 귀 99 8542.39.0001 95 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 12ns, 13ns
TC1411NVOA Microchip Technology TC1411NVOA 1.1100
RFQ
 ECAD 8933 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TC1411 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 1a, 1a 25ns, 25ns
LT1336IN#PBF Analog Devices Inc. lt1336in#pbf 10.7200
RFQ
 ECAD 6663 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) LT1336 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 15V 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 1.5A, 1.5A 130ns, 60ns 60 v
HIP6601BECB Renesas Electronics America Inc HIP6601BECB -
RFQ
 ECAD 1599 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 HIP6601 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 8-SOIC-EP 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 98 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - - 20ns, 20ns 15 v
MAX5057BASA-T Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX5057BASA-T -
RFQ
 ECAD 9653 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) max5057 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4V ~ 15V 8-SOIC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.1V 4a, 4a 32ns, 26ns
TC4420CPA Microchip Technology TC4420CPA 2.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TC4420 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 25ns, 25ns
IR21064SPBF Infineon Technologies IR21064SPBF -
RFQ
 ECAD 5494 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR21064 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001538284 귀 99 8542.39.0001 1,980 독립적인 높은 높은 또는 쪽 쪽 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.9V 200ma, 350ma 150ns, 50ns 600 v
IRS21864PBF Infineon Technologies IRS21864PBF 4.3100
RFQ
 ECAD 875 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRS21864 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 14-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 독립적인 높은 높은 또는 쪽 쪽 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 4a, 4a 22ns, 18ns 600 v
MIC4607-1YML-TR Microchip Technology MIC4607-1YML-TR -
RFQ
 ECAD 8506 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 28-vfqfn 노출 패드 MIC4607 비 비 확인되지 확인되지 5.5V ~ 16V 28-QFN (4x5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MIC46071YMLTR 귀 99 8542.39.0001 5,000 3 상 하프 하프 6 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1a, 1a 20ns, 20ns 85 v
ISL6612BCRZ Renesas Electronics America Inc ISL6612BCRZ -
RFQ
 ECAD 4838 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 ISL6612 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 13.2V 10-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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