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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
IRS2453DSPBF International Rectifier IRS2453DSPBF -
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RC 입력 회로 10V ~ 16.6V 14 -Soic - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-IRS2453DSPBF-600047 1 동기 하프 하프 4 IGBT, N-, MOSFET - 180ma, 260ma 120ns, 50ns 600 v
TC4421AVMF Microchip Technology TC4421AVMF 2.8000
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TC4421 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-DFN-S (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 10A, 10A 38ns, 33ns
IXDD414PI IXYS IXDD414PI -
RFQ
 ECAD 6645 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDD414 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-DIP 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 IXDD414PI-NDR 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3.5V 14a, 14a 25ns, 22ns
FAN3225TMPX Fairchild Semiconductor FAN3225TMPX -
RFQ
 ECAD 5368 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 FAN3225 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-mlp (3x3) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 5a, 5a 12ns, 9ns
TC4427AEPA Microchip Technology TC4427AEPA 2.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TC4427 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4427AEPA-NDR 귀 99 8542.39.0001 60 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 25ns, 25ns
TD310IDT STMicroelectronics td310idt 3.0900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TD310 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4V ~ 16V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 3 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2V - -
MCP14700-E/MF Microchip Technology MCP14700-E/MF 2.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MCP14700 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 8-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCP14700EMF 귀 99 8542.39.0001 120 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 2A, 2A 10ns, 10ns 36 v
LTC1163CN8#PBF Analog Devices Inc. LTC1163CN8#PBF 6.2831
RFQ
 ECAD 3156 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) LTC1163 비 비 확인되지 확인되지 1.8V ~ 6V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 하이 하이 3 N- 채널 MOSFET - - -
HIP2100EIBT Renesas Electronics America Inc hip2100eibt -
RFQ
 ECAD 4516 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 HIP2100 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 14V 8-SOIC-EP 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 4V, 7V 2A, 2A 10ns, 10ns 114 v
MIC4424YWM-TR Microchip Technology MIC4424YWM-TR 2.8900
RFQ
 ECAD 475 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MIC4424 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 16- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 3A, 3A 28ns, 32ns
MAX628ESA+T Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX628ESA+T 3.7650
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MAX628 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 2A, 2A 25ns, 20ns
MAX4420CPA Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX4420CPA -
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) MAX4420 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 25ns, 25ns
L6494LD STMicroelectronics L6494LD 2.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) L6494 CMOS/TTL 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 14- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 1.45V, 2V 2A, 2.5A 25ns, 25ns 500 v
TC426COA713 Microchip Technology TC426CO713 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TC426 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,300 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 30ns, 30ns
EL7158ISZ Renesas Electronics America Inc EL7158ISZ 11.2300
RFQ
 ECAD 9171 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) EL7158 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 12V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 EL7158ISZ-CRL 귀 99 8542.39.0001 97 하나의 높은 높은 또는 쪽 쪽 1 IGBT 0.8V, 2.4V 12a, 12a 12ns, 12.2ns
LM5100BSD/NOPB Texas Instruments LM5100BSD/NOPB 1.4595
RFQ
 ECAD 7715 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-wdfn n 패드 LM5100 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 14V 10) (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 2.3v, - 2A, 2A 570ns, 430ns 118 v
IR21365STRPBF Infineon Technologies IR21365STPBF -
RFQ
 ECAD 7191 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IR21365 반전 확인되지 확인되지 12V ~ 20V 28 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001538510 귀 99 8542.39.0001 1,000 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 3V 200ma, 350ma 125ns, 50ns 600 v
LM5110-2M/NOPB Texas Instruments LM5110-2M/NOPB 2.9000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LM5110 반전 확인되지 확인되지 3.5V ~ 14V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 3A, 5A 14ns, 12ns
MIC4468ZWM Microchip Technology MIC4468ZWM 5.0800
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MIC4468 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 16- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 576-1213 귀 99 8542.39.0001 47 독립적인 낮은 낮은 4 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.2A, 1.2A 14ns, 13ns
LM5109BSD Texas Instruments LM5109BSD -
RFQ
 ECAD 3005 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-wdfn n 패드 LM5109 비 비 확인되지 확인되지 8V ~ 14V 8-wson (4x4) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1a, 1a 15ns, 15ns 108 v
MCP1403-E/MF Microchip Technology MCP1403-E/MF 2.7000
RFQ
 ECAD 280 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MCP1403 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-DFN-S (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 4.5A, 4.5A 15ns, 18ns
MIC4424BM-TR Microchip Technology MIC4424BM-TR -
RFQ
 ECAD 7630 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MIC4424 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 3A, 3A 28ns, 32ns
ADP3625ARDZ-RL Analog Devices Inc. ADP3625ARDZ-RL 3.1500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ADP3625 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 4a, 4a 10ns, 10ns
IR2136 Infineon Technologies IR2136 -
RFQ
 ECAD 1654 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) IR2136 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 28-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 13 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 3V 200ma, 350ma 125ns, 50ns 600 v
ISL89167FBEAZ Intersil ISL89167FBEAZ 3.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인터 인터 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL89167 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 98 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 1.22V, 2.08V 6A, 6A 20ns, 20ns
TC1411NVOA Microchip Technology TC1411NVOA 1.1100
RFQ
 ECAD 8933 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TC1411 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 1a, 1a 25ns, 25ns
MCP1407-E/P Microchip Technology MCP1407-E/P 1.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) MCP1407 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCP1407EP 귀 99 8542.39.0001 60 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 20ns, 20ns
TC4427COA Microchip Technology TC4427COA 1.7800
RFQ
 ECAD 489 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TC4427 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 19ns, 19ns
IR2153S Infineon Technologies IR2153S -
RFQ
 ECAD 9074 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR2153 RC 입력 회로 확인되지 확인되지 10V ~ 15.6V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IR2153S 귀 99 8542.39.0001 95 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - - 80ns, 45ns 600 v
FAN7362M onsemi fan7362m -
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) fan7362 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 8,100 하나의 하이 하이 1 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.9V 250ma, 500ma 70ns, 30ns 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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