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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
UCD7201PWPG4 Texas Instruments UCD7201PWPG4 -
RFQ
 ECAD 4817 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TJ) 표면 표면 14-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비) UCD7201 비 비 확인되지 확인되지 4.25V ~ 15V 14-HTSSOP 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 90 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 1.16V, 2.08V 4a, 4a 10ns, 10ns
ISL6208CR-T Renesas Electronics America Inc ISL6208CR-T -
RFQ
 ECAD 8216 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -10 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-vqfn q 패드 ISL6208 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 8-QFN (3x3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.5V, 2V 2A, 2A 8ns, 8ns 33 v
MCP14A0453-E/SN Microchip Technology MCP14A0453-E/SN 1.2900
RFQ
 ECAD 8234 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MCP14A0453 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT 0.8V, 2V 4.5A, 4.5A 12ns, 12ns
MAX4420MJA/883B Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX4420MJA/883B -
RFQ
 ECAD 2749 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 군사, MIL-STD-883 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) MAX4420 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-cerdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q12040589 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 25ns, 25ns
IR2131S Infineon Technologies IR2131S -
RFQ
 ECAD 8192 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IR2131 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 28 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IR2131S 귀 99 8542.39.0001 25 독립적인 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.2V 250ma, 500ma 80ns, 40ns 600 v
TPS2814PW Texas Instruments TPS2814PW 1.0955
RFQ
 ECAD 4279 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) TPS2814 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4V ~ 14V 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 150 동기 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 4V 2A, 2A 14ns, 15ns
LTC4440ES6#TRPBF Analog Devices Inc. LTC4440ES6#trpbf 6.0400
RFQ
 ECAD 5705 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 LTC4440 비 비 확인되지 확인되지 8V ~ 15V TSOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 하이 하이 1 N- 채널 MOSFET 1.3V, 1.6V 2.4a, 2.4a 10ns, 7ns 80 v
IXDI614SITR IXYS Integrated Circuits Division IXDI614SITT 4.9300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 IXDI614 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 14a, 14a 25ns, 18ns
MAX17602ATA+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX17602ATA+ 2.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 * 조각 활동적인 MAX17602 확인되지 확인되지 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 175-max17602ata+ 귀 99 8542.39.0001 10
FAN7389M onsemi fan7389m -
RFQ
 ECAD 3005 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) FAN7389 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 24-SOP 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 30 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 350MA, 650MA 50ns, 30ns 600 v
ADP3635ARDZ-RL Analog Devices Inc. ADP3635ARDZ-RL 1.5450
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ADP3635 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 9.5V ~ 18V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 4a, 4a 10ns, 10ns
SN75372P Texas Instruments SN75372P 3.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) SN75372 반전 확인되지 확인되지 4.75V ~ 5.25V, 4.75V ~ 24V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 동기 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 500ma, 500ma -
IXC611S1 IXYS IXC611S1 -
RFQ
 ECAD 1613 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXC611 - 확인되지 확인되지 - 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 470 - - - - - -
TC4425AVOE713 Microchip Technology TC4425AVOE713 -
RFQ
 ECAD 5721 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TC4425 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 4.5A, 4.5A 12ns, 12ns
LTC7000IMSE-1#PBF Analog Devices Inc. LTC7000IMSE-1#PBF 8.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 16-TFSOP (0.118 ", 3.00mm 너비), 12 개의 리드, 노출 된 된 패드 LTC7000 비 비 확인되지 확인되지 3.5V ~ 135V 16-MSOP-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 37 하나의 하이 하이 1 N- 채널 MOSFET 1.8V, 1.7V - 90ns, 40ns 135 v
ISL89160FBEBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89160FBEBZ-T -
RFQ
 ECAD 1788 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL89160 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 1.85V, 3.15V 6A, 6A 20ns, 20ns
1SD312F2-CM900HB-90H Power Integrations 1SD312F2-CM900HB-90H -
RFQ
 ECAD 4881 0.00000000 전력 전력 스케일 ™ -1 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 섀시 섀시 기준 기준 1SD312F2 - 확인되지 확인되지 15.5V ~ 16.8V 기준 기준 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8473.30.1180 1 하나의 하프 하프 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET - 12a, 12a 100ns, 100ns
NCP5104DR2G onsemi NCP5104DR2G 1.3400
RFQ
 ECAD 6892 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NCP5104 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.3V 250ma, 500ma 85ns, 35ns 600 v
MAX20307EWL+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated max20307ewl+ -
RFQ
 ECAD 7943 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 조각 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 15-WFBGA, WLBGA max20307 TTL 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 15-WLP (1.22x2.05) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.4V, 1.6V 1A, 5A 5ns, 1ns 60 v
EL7156CSZ-T7A Renesas Electronics America Inc EL7156CSZ-T7A 11.3300
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) EL7156 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 하나의 높은 높은 또는 쪽 쪽 1 IGBT 0.8V, 2.4V 3.5a, 3.5a 14.5ns, 15ns
ISL6614CBZ-TR5214 Renesas Electronics America Inc ISL6614CBZ-TR5214 -
RFQ
 ECAD 8930 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6614 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
MIC4605-1YM Microchip Technology MIC4605-1 YM 1.0500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MIC4605 비 비 확인되지 확인되지 5.5V ~ 16V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1a, 1a 20ns, 20ns 108 v
TC4404COA Microchip Technology TC4404COA 3.6900
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TC4404 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 TC4404COA-NDR 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 40ns, 40ns (최대)
ISL89161FRTAZ Renesas Electronics America Inc ISL89161FRTAZ -
RFQ
 ECAD 8791 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-wdfn n 패드 ISL89161 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-TDFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 1.22V, 2.08V 6A, 6A 20ns, 20ns
ISL6614CB-T Renesas Electronics America Inc ISL6614CB-T -
RFQ
 ECAD 5941 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6614 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
MAX15013BASA+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX15013BASA+ 8.1400
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MAX15013 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 8V ~ 12.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -4941-max15013basa+ 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 2A, 2A 65ns, 65ns 175 v
UC2709DW Texas Instruments UC2709DW 10.4300
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) UC2709 반전 확인되지 확인되지 5V ~ 40V 16- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 40 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1.5A, 1.5A 20ns, 20ns
ISL6612CR-T Renesas Electronics America Inc ISL6612CR-T -
RFQ
 ECAD 2934 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 ISL6612 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 10-DFN (3x3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
LTC4442EMS8E-1#PBF Analog Devices Inc. LTC4442EMS8E-1#PBF 4.3300
RFQ
 ECAD 266 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 LTC4442 비 비 확인되지 확인되지 6V ~ 9.5V 8-MSOP-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 2.4a, 2.4a 12ns, 8ns 42 v
MIC4225YMME Microchip Technology MIC4225 YMME 2.8900
RFQ
 ECAD 326 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 MIC4225 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-MSOP-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 4a, 4a 15ns, 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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