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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | sic 프로그램 가능 |
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![]() | NDS38PT5-16IT tr | 2.7110 | ![]() | 1907 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 1982-NDS38pt5-16ITTR | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | W972GG6KB-18 TR | 9.3750 | ![]() | 7614 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | W972GG6 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 350 ps | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | S29GL256P10FFI012 | 6.6000 | ![]() | 2886 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-P | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | S29GL256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (13x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2832-S29GL256P10FFI012-TR | 49 | 비 비 | 256mbit | 100 ns | 플래시 | 32m x 8 | 평행한 | 100ns | 확인되지 확인되지 | ||||||
![]() | MT29F2T08ELLEEG7-QB : e | 52.9800 | ![]() | 3030 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT29F2T08ELLEEG7-QB : e | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT55V512V36PT-10 | 17.3600 | ![]() | 285 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | MT55V512V | sram-비동기식, zbt | 2.375V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 5 ns | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | |||
![]() | NV24C256MUW3VTBG | 1.1300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-ufdfn 노출 패드 | NV24C256 | eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-udfn (2x3) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1MHz | 비 비 | 256kbit | 400 ns | eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | |||
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![]() | M25PX80-VMP6TGAD TR | - | ![]() | 2191 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | M25PX80 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8-VFQFPN (6x5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 4,000 | 75MHz | 비 비 | 8mbit | 플래시 | 1m x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||||
![]() | STK12C68-SF45 | - | ![]() | 5956 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 28-SOIC (0.342 ", 8.69mm 너비) | STK12C68 | nvsram (r 휘발성 sram) | 4.5V ~ 5.5V | 28 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 125 | 비 비 | 64kbit | 45 ns | nvsram | 8k x 8 | 평행한 | 45ns | ||||
CAT25C08V-26735T | - | ![]() | 9198 | 0.00000000 | 촉매 촉매 Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | CAT25C08 | eeprom | 2.5V ~ 6V | 8-SOIC | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 10MHz | 비 비 | 8kbit | eeprom | 1K X 8 | SPI | 5ms | |||||
![]() | K770005CF9C000 | - | ![]() | 4217 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 쓸모없는 | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | IS46TR16640ED-125KBLA1 | 7.7520 | ![]() | 2473 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS46TR16640ED-125KBLA1 | 190 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | sstl_15 | 15ns | ||||||
![]() | W988d6fbgx7i tr | - | ![]() | 6344 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W988D6FBGX7IT | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | sm671pxclbfst | 28.8500 | ![]() | 8588 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘, Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1984-SM671PXCLBFST | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | CAT28LV256G-25 | 4.0400 | ![]() | 789 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-LCC (J-Lead) | CAT28LV256 | eeprom | 3V ~ 3.6V | 32-PLCC (13.97x11.43) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-CAT28LV256G-25-488 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1 | 비 비 | 256kbit | 250 ns | eeprom | 32k x 8 | 10ms | |||||
![]() | SM662GXE-BESS | 99.2300 | ![]() | 6617 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘, Inc. | Ferri-Emmc® | 쟁반 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 100-lbga | sm662 | Flash -Nand (SLC), Flash -Nand (TLC) | - | 100-bga (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1984-SM662GXE-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 비 비 | 640gbit | 플래시 | 80g x 8 | EMMC | - | ||||
![]() | IS22TF16G-JCLA2 | 28.0418 | ![]() | 6597 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | 플래시 -Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-VFBGA (11.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS22TF16G-JCLA2 | 152 | 200MHz | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||
![]() | cy62126dv30lll-55zxit | 1.8000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | Cy62126 | sram- 비동기 | 2.2V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 55 ns | SRAM | 64k x 16 | 평행한 | 55ns | ||||
![]() | IS43LD32128C-18BPL-TR | - | ![]() | 3021 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS43LD32128C-18BPL-TR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | ndl46pfp-9mit tr | 9.0000 | ![]() | 3354 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (7.5x13.5) | - | 1982-ndl46pfp-9mittr | 2,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | 15ns | ||||||||
![]() | NS24LS256C4Jytrg | - | ![]() | 2591 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 4-XFBGA, WLCSP | 4-WLCSP (1x1) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 488-NS24LS256C4JYTRGTR | 쓸모없는 | 5,000 | ||||||||||||||||
![]() | IS65WV1288FBLL-55HLA3 | - | ![]() | 1964 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) | IS65WV1288 | sram- 동기 | 2.2V ~ 3.6V | 32-stsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS65WV1288FBLL-55HLA3 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 234 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 55 ns | SRAM | 128k x 8 | 평행한 | 55ns | |||
![]() | AT25SF041B-MHB-T | 0.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | adesto 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 8-udfn n 패드 | AT25SF041 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-UDFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 6,000 | 108 MHz | 비 비 | 4mbit | 플래시 | 512k x 8 | spi-쿼드 i/o | 50., 2.4ms | |||||
![]() | M3008316035NX0PBCY | 30.9944 | ![]() | 7294 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 484-BGA | MRAM (자기 램) | 2.7V ~ 3.6V | 484-Cabga (23x23) | - | Rohs3 준수 | 800-M3008316035NX0PBCY | 168 | 비 비 | 8mbit | 35 ns | 숫양 | 512k x 16 | 평행한 | 35ns | ||||||||
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![]() | MEM3800-512U768D-C | 62.5000 | ![]() | 5112 | 0.00000000 | Prolebs | * | 소매 소매 | 활동적인 | - | rohs 준수 | 4932-MEM3800-512U768D-C | 귀 99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 24AA16T-E/SN | 0.4389 | ![]() | 3113 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 24AA16 | eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 비 비 | 16kbit | 900 ns | eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | 확인 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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