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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
CAT25128VI-GD onsemi CAT25128VI-GD -
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ECAD 9413 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) CAT25128 eeprom 1.8V ~ 5.5V 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-CAT25128VI-GD 쓸모없는 100 10MHz 비 비 128kbit eeprom 16k x 8 SPI 5ms
CY14B104NA-ZS20XI Cypress Semiconductor Corp cy14b104na-zs20xi -
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ECAD 2242 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) Cy14B104 nvsram (r 휘발성 sram) 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 1 비 비 4mbit 20 ns nvsram 256k x 16 평행한 20ns 확인되지 확인되지
CY7C1049CV33-15VXET Infineon Technologies cy7c1049cv33-15vxet -
RFQ
ECAD 6776 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1049 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 512k x 8 평행한 15ns
S25FL116K0XNFV010 Infineon Technologies S25FL116K0XNFV010 -
RFQ
ECAD 8659 0.00000000 인피온 인피온 FL1-K 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 S25FL116 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -S25FL116K0XNFV010 귀 99 8542.32.0071 490 108 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
M5M51008DKV-70HIBT Renesas Electronics America Inc M5M51008DKV-70HIBT 6.3000
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ECAD 8 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0041 1
CY7C1312BV18-167BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1312B18-167BZC 31.9600
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ECAD 62 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1312 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 10 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
24AA64F-I/P Microchip Technology 24AA64F-I/P 0.6100
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ECAD 929 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 24AA64 eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 60 400 kHz 비 비 64kbit 900 ns eeprom 8k x 8 i²c 5ms
S29XS256RABBHI000 Infineon Technologies S29XS256RABBHI000 -
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ECAD 7728 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 377
24FC04T-E/SN Microchip Technology 24FC04T-E/SN 0.3150
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ECAD 6884 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 24FC04 eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 3,300 1MHz 비 비 4kbit 450 ns eeprom 256 x 8 x 2 i²c 5ms
MT41K128M16HA-15E:D Micron Technology Inc. MT41K128M16HA-15E : d -
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ECAD 4380 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K128M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.5 ns 음주 128m x 16 평행한 -
16-4134-01-T Infineon Technologies 16-4134-01-t -
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ECAD 4608 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1,450
CY7C2570XV18-600BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C2570XV18-600BZXC 464.2800
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ECAD 130 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c2570 SRAM-동기, DDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 1 600MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
S25HL512TFABHM013 Infineon Technologies S25HL512TFABHM013 13.4750
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ECAD 7397 0.00000000 인피온 인피온 Semper ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-VBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-FBGA (6x8) 다운로드 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 166 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
S70GL02GT11FAI030 Infineon Technologies S70GL02GT11FAI030 19.5643
RFQ
ECAD 4642 0.00000000 인피온 인피온 GL-T 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 180 비 비 2gbit 110 ns 플래시 256m x 8 CFI -
MEM2821-512U1024D-C ProLabs MEM2821-512U1024D-C 55.0000
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ECAD 9743 0.00000000 Prolebs * 소매 소매 활동적인 - rohs 준수 4932-MEM2821-512U1024D-C 귀 99 8473.30.9100 1
CAT25256XIC onsemi CAT25256 2 -
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ECAD 9390 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) CAT25256 eeprom 1.8V ~ 5.5V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 488-CAT25256 중독 쓸모없는 100 10MHz 비 비 256kbit eeprom 32k x 8 SPI 5ms
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 -
RFQ
ECAD 1216 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F2G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 주사위 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
CG8266AAT Infineon Technologies CG8266AAT -
RFQ
ECAD 8417 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1,500
S29GL256P90FFIR10 Cypress Semiconductor Corp S29GL256P90FFIR10 26.3200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-P 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 2832-S29GL256P90FFIR10 180 비 비 256mbit 90 ns 플래시 32m x 8 평행한 90ns 확인
LE25FU406CMA-TLM-H Sanyo LE25FU406CMA-TLM-H 0.2700
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ECAD 7 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B1B1 8542.32.0071 1,000
SM662GAD-BEST Silicon Motion, Inc. sm662gad-best 54.3700
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ECAD 4787 0.00000000 실리콘 실리콘, Inc. Ferri-Emmc® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 100-lbga sm662 플래시 -Nand (TLC) - 100-bga (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1984-SM662GAD-BEST 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 EMMC -
71016S12PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S12PH 1.3400
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ECAD 373 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) 71016S sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
INT0000006K1309 IBM int0000006k1309 -
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ECAD 7930 0.00000000 IBM * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
CY7C0853V-100BBC Cypress Semiconductor Corp CY7C0853V-100BBC -
RFQ
ECAD 9034 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 172-lbga Cy7c0853 sram-듀얼-, 동기 3.135V ~ 3.465V 172-FBGA (15x15) - rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 126 100MHz 휘발성 휘발성 9mbit SRAM 256k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
MT46H256M32R4JV-5 WT:B Micron Technology Inc. MT46H256M32R4JV-5 WT : b -
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ECAD 5690 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 8gbit 5 ns 음주 256m x 32 평행한 15ns
CAT93C66SAT-FK onsemi CAT93C66SAT-FK 0.4600
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ECAD 14 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) CAT93C66 eeprom 1.8V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0071 2,000 2 MHz 비 비 4kbit eeprom 512 x 8, 256 x 16 전자기 -
CY7C1525KV18-333BZC Cypress Semiconductor Corp cy7c1525kv18-333bzc 148.6700
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ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1525 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 136 333 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 8m x 9 평행한 - 확인되지 확인되지
CYD09S72V-133BBC Cypress Semiconductor Corp Cyd09S72V-133BBC 207.6700
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ECAD 186 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 484-BGA Cyd09S72 sram-듀얼-, 동기 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 484-FBGA (23x23) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 4.4 ns SRAM 128k x 72 평행한 -
P19045-H21-C ProLabs P19045-H21-C 745.0000
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ECAD 6903 0.00000000 Prolebs * 소매 소매 활동적인 - rohs 준수 4932-P19045-H21-C 귀 99 8473.30.5100 1
W66BL6NBUAFJ Winbond Electronics W66bl6nbuafj 6.4486
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ECAD 9111 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA W66BL6 sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-WFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W66BL6NBUAFJ 귀 99 8542.32.0036 144 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 LVSTL_11 18ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고