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MT29F2G01ABAGD12-AUT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-AUT : g 3.2005
RFQ
ECAD 6152 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F2G01ABAGD12-AUT : g 1
MT29F4T08EULGEM4-ITF:G Micron Technology Inc. MT29F4T08EULGEM4-ITF : g 130.1100
RFQ
ECAD 6151 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F4T08EULGEM4-ITF : g 1
MT62F768M64D4EK-023 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AIT : b 43.5300
RFQ
ECAD 3414 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 - 표면 표면 441-TFBGA MT62F768 sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023AIT : b 1 4.266 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 평행한 -
MT29F2T08ELLEEG7-QD:E Micron Technology Inc. MT29F2T08ELLEEG7-QD : e 52.9800
RFQ
ECAD 3786 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F2T08ELLEEG7-QD : e 1
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 AAT : C TR 56.5050
RFQ
ECAD 1283 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 556-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) 다운로드 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT : CTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 3.5 ns 음주 1G X 64 평행한 18ns
MT53E1G16D1FW-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046 AAT : A TR 15.9600
RFQ
ECAD 3441 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E1G16D1FW-046AAT : ATR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 3.5 ns 음주 1g x 16 평행한 18ns
MTFC256GAZAOTD-AIT Micron Technology Inc. mtfc256Gazaotd-ait 90.5250
RFQ
ECAD 6889 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MTFC256GAZAOTD-AIT 1
MT29F2T08GELCEJ4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F2T08GELCEJ4-QJ : C. 39.0600
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ECAD 5527 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F2T08GELCEJ4-QJ : C. 1
MT53E2G64D8TN-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AAT : A TR 122.8500
RFQ
ECAD 1909 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 556-LFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 556-LFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E2G64D8TN-046AAT : ATR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 3.5 ns 음주 2G X 64 평행한 18ns
MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 18.3750
RFQ
ECAD 8592 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 149-VFBGA 플래시 -Nand (SLC), DRAM -LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-VFBGA (8x9.5) - 557-MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 1 비 비, 휘발성 8gbit 25 ns 플래시, 램 1g x 8 onfi 30ns
MT62F1536M64D8EK-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 AIT : B TR 86.2050
RFQ
ECAD 1195 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1536M64D8EK-023AIT : BTR 1,500 4.266 GHz 휘발성 휘발성 96gbit 음주 1.5GX 64 평행한 -
MTFC32GAZAQHD-WT TR Micron Technology Inc. MTFC32GAZAQHD-WT TR 14.3400
RFQ
ECAD 1213 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - 557-MTFC32GAZAQHD-WTTR 2,000 200MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 EMMC_5.1 -
MT29F8T08ESLEEG4-QB:E Micron Technology Inc. MT29F8T08ESLEEG4-QB : e 211.8900
RFQ
ECAD 5592 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F8T08ESLEEG4-QB : e 1
MT53E512M64D4HJ-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53E512M64D4HJ-046 WT : D. -
RFQ
ECAD 3117 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 - 557-MT53E512M64D4HJ-046WT : d 쓸모없는 1
MT53E512M16D1FW-046 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M16D1FW-046 AIT : D TR 9.3750
RFQ
ECAD 3734 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M16D1FW-046AIT : DTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 3.5 ns 음주 512m x 16 평행한 18ns
MT53E512M32D2FW-046 AAT:D Micron Technology Inc. MT53E512M32D2FW-046 AAT : d 19.1100
RFQ
ECAD 6041 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 - 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E512M32D2FW-046AAT : d 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 평행한 -
MT53E2G64D8TN-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AAT : a 122.8500
RFQ
ECAD 7137 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 556-LFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 556-LFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E2G64D8TN-046AAT : a 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 3.5 ns 음주 2G X 64 평행한 18ns
MT29F2G01ABBGD12-AUT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGD12-AUT : G TR 3.1665
RFQ
ECAD 6983 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F2G01ABBGD12-AUT : GTR 2,500
MT29F4T08EMLCHD4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-QA : C TR 83.9100
RFQ
ECAD 3216 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F4T08EMLCHD4-QA : CTR 2,000
MT40A1G16TD-062E AUT:F Micron Technology Inc. MT40A1G16TD-062E AUT : f 22.8450
RFQ
ECAD 3279 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) - - sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V - - 557-MT40A1G16TD-062EAUT : f 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 1g x 16 현물 현물 지불 15ns
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AAT : B TR 47.8950
RFQ
ECAD 6241 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 556-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT : BTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 3.5 ns 음주 768m x 64 평행한 18ns
MT25QU256ABA8E12-MAAT Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E12-MAAT 5.6268
RFQ
ECAD 6403 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - 557-MT25QU256ABA8E12-MAAT 1 166 MHz 비 비 256mbit 5 ns 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o 1.8ms
MT62F3G32D8DV-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 AIT : B TR 86.2050
RFQ
ECAD 7352 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-026AIT : BTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 96gbit 음주 3G X 32 평행한 -
MT61M512M32KPA-14 AAT:C Micron Technology Inc. MT61M512M32KPA-14 AAT : c 42.1050
RFQ
ECAD 3106 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT61M512M32KPA-14AAT : c 1
MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X Micron Technology Inc. MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X 40.8150
RFQ
ECAD 9064 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29VZZZBD91SLSM-046W.17X 1
MT62F2G32D4DS-023 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AIT : C TR 58.0650
RFQ
ECAD 9529 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023AIT : CTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 평행한 -
IS25LP064D-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-JLLE 1.3716
RFQ
ECAD 5872 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP064D-JLLE 480 166 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS25LP512MH-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512MH-RHLE-TR 6.3532
RFQ
ECAD 3079 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP512MH-RHLE-TR 2,500 166 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1ms
SM671PBF-BFSS Silicon Motion, Inc. sm671pbf-bfss 178.7100
RFQ
ECAD 5497 0.00000000 실리콘 실리콘, Inc. Ferri-Ufs ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 153-TBGA 플래시 -Nand (SLC) - 153-BGA (11.5x13) 다운로드 1984-SM671PBF-BFSS 1 비 비 4tbit 플래시 512g x 8 EMMC -
SM671PXC-BFST Silicon Motion, Inc. sm671pxc-bfst 28.3000
RFQ
ECAD 5612 0.00000000 실리콘 실리콘, Inc. Ferri-Ufs ™ 대부분 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 153-TBGA 플래시 -Nand (TLC) - 153-BGA (11.5x13) 다운로드 1984-SM671PXC-BFST 1 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 UFS2.1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고