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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
IS25LQ040B-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ040B-JULE-TR -
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ECAD 4804 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) 다운로드 귀 99 8542.32.0071 1 104 MHz 비 비 4mbit 8 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o 25µs, 800µs
S25FL256SAGBHVD00 Cypress Semiconductor Corp S25FL256SAGBHVD00 -
RFQ
ECAD 9822 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FL-S 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA S25FL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-BGA (6x8) 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 1 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o - 확인되지 확인되지
MT58L128L32D1F-6 Micron Technology Inc. MT58L128L32D1F-6 8.2200
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ECAD 1583 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA MT58L128L32 SRAM 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 3.5 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
S29GL064S90FHIV20 Infineon Technologies S29GL064S90FHIV20 -
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ECAD 7378 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100, GL-S 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 64mbit 90 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
S29GL256N90TAA023 Infineon Technologies S29GL256N90TAA023 -
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ECAD 9349 0.00000000 인피온 인피온 GL-N 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 256mbit 90 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 90ns
S29GL064S90FHI010 Infineon Technologies S29GL064S90FHI010 -
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ECAD 1546 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100, GL-S 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 180 비 비 64mbit 90 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
S29GL064S90FHI020 Infineon Technologies S29GL064S90FHI020 -
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ECAD 3240 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100, GL-S 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 180 비 비 64mbit 90 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
S29GL128N11TFVR23 Infineon Technologies S29GL128N11TFVR23 -
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ECAD 7899 0.00000000 인피온 인피온 GL-N 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S29GL128 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 56-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 128mbit 110 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 110ns
S29GL256N10FFI013 Infineon Technologies S29GL256N10FFI013 -
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ECAD 2570 0.00000000 인피온 인피온 GL-N 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 256mbit 100 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 100ns
S29GL064S90TFV043 Infineon Technologies S29GL064S90TFV043 -
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ECAD 6460 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100, GL-S 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S29GL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64mbit 90 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
S29GL064S90TFIV23 Infineon Technologies S29GL064S90TFIV23 -
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ECAD 7832 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100, GL-S 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S29GL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64mbit 90 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
S29GL064S90TFA040 Infineon Technologies S29GL064S90TFA040 -
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ECAD 5274 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100, GL-S 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S29GL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 64mbit 90 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
S29GL064S90FHA043 Infineon Technologies S29GL064S90FHA043 -
RFQ
ECAD 4399 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100, GL-S 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 64mbit 90 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
S28GL128S11FAA020 Infineon Technologies S28GL128S11FAA020 -
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ECAD 5938 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 S28GL128 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
S29GL256S11TFI023 Infineon Technologies S29GL256S11TFI023 -
RFQ
ECAD 6625 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100, GL-S 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256mbit 110 ns 플래시 16m x 16 평행한 60ns
S29GL256S11FAI010 Infineon Technologies S29GL256S11FAI010 -
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ECAD 5360 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100, GL-S 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 180 비 비 256mbit 110 ns 플래시 16m x 16 평행한 60ns
S29GL256N10FAA020 Infineon Technologies S29GL256N10FAA020 -
RFQ
ECAD 7768 0.00000000 인피온 인피온 GL-N 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 256mbit 100 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 100ns
S29GL064N90FAI010 Infineon Technologies S29GL064N90FAI010 -
RFQ
ECAD 4527 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100, GL-N 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 64mbit 90 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 90ns
S29GL064S90TFIV20 Infineon Technologies S29GL064S90TFIV20 -
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ECAD 8239 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100, GL-S 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S29GL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 91 비 비 64mbit 90 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
S29GL128S90FFA023 Infineon Technologies S29GL128S90FFA023 -
RFQ
ECAD 5397 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100, GL-S 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 128mbit 90 ns 플래시 8m x 16 평행한 60ns
S29GL128N90FFAR20 Infineon Technologies S29GL128N90FFAR20 -
RFQ
ECAD 3310 0.00000000 인피온 인피온 GL-N 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL128 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 128mbit 90 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 90ns
S29GL064S90TFA070 Infineon Technologies S29GL064S90TFA070 -
RFQ
ECAD 3818 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100, GL-S 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S29GL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 64mbit 90 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
CY14B104LA-ZS25XI Cypress Semiconductor Corp Cy14B104LA-ZS25XI -
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ECAD 9155 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) Cy14B104 nvsram (r 휘발성 sram) 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 135 비 비 4mbit 25 ns nvsram 512k x 8 평행한 25ns 확인되지 확인되지
CY7C1420KV18-250BZXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1420kv18-250bzxi 42.8800
RFQ
ECAD 64 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1420 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 7 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
71V65703S85BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65703S85BQI 29.1800
RFQ
ECAD 377 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA 71V65703 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 9mbit 8.5 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
AT28C010E-12EM/883 Atmel AT28C010E-12em/883 539.8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 atmel - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 32-Clcc AT28C010 eeprom 4.5V ~ 5.5V 32-LCC (11.43x13.97) 다운로드 3A001A2C 8542.32.0051 1 비 비 1mbit 120 ns eeprom 128k x 8 평행한 10ms 확인되지 확인되지
CY62167EV30LL-45BVXI Cypress Semiconductor Corp cy62167ev30ll-45bvxi -
RFQ
ECAD 4840 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA Cy62167 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 29 휘발성 휘발성 16mbit 45 ns SRAM 2m x 8, 1m x 16 평행한 45ns 확인되지 확인되지
71V3558S100PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558S100pfgi 11.0800
RFQ
ECAD 594 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71v3558 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 5 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
71V35761SA166BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V35761SA166BGI 11.7900
RFQ
ECAD 34 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga 71V35761S sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
CY7C1470BV25-167AXC Infineon Technologies Cy7C1470BV25-167AXC 131.4700
RFQ
ECAD 101 0.00000000 인피온 인피온 Nobl ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1470 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 167 MHz 휘발성 휘발성 72mbit 3.4 ns SRAM 2m x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고