전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S25HS01GTFAMHA013 | 19.8100 | ![]() | 4546 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Semper ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 플래시 - 아니오 (SLC) | 1.7V ~ 2V | 16- | 다운로드 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 166 MHz | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | - | |||||||
![]() | S26361-F4412-L516-C | 51.2500 | ![]() | 9370 | 0.00000000 | Prolebs | * | 소매 소매 | 활동적인 | - | rohs 준수 | 4932-S26361-F4412-L516-C | 귀 99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | PC28F160C3BD70A | 3.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | numonyx | - | 가방 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | PC28F160 | 플래시 - 블록 부트 | 2.7V ~ 3.6V | 64-ESYBGA (10x13) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 144 | 비 비 | 16mbit | 70 ns | 플래시 | 1m x 16 | 평행한 | 70ns | |||||
![]() | MT25QL128ABB1ESE -0AUT | 5.9500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | MT25QL128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 도 8- | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 5 ns | 플래시 | 16m x 8 | SPI | 1.8ms | ||
![]() | 70V17L12PFI | - | ![]() | 3845 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 쟁반 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | sram-이중-, 비동기 | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-70V17L12PFI | 1 | 휘발성 휘발성 | 288kbit | 12 ns | SRAM | 32k x 9 | lvttl | 12ns | ||||||||
![]() | Cy7C1414AV18-200BZC | - | ![]() | 3703 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | Cy7c1414 | SRAM-동기, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 평행한 | - | |||
![]() | IS43TR85120A-093NBLI | - | ![]() | 7700 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | IS43tr85120 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (9x10.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS43TR85120A-093NBLI | 귀 99 | 8542.32.0036 | 220 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | W25Q64FWSSAQ | - | ![]() | 9099 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q64FWSSAQ | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 64mbit | 6 ns | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 60µs, 5ms | |||
![]() | SST39WF1601-90-4C-B3KE-T | - | ![]() | 1847 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | SST39 MPF ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | SST39WF1601 | 플래시 | 1.65V ~ 1.95V | 48-TFBGA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 비 비 | 16mbit | 90 ns | 플래시 | 1m x 16 | 평행한 | 40µs | |||
IS46DR16640C-25DBLA2 | 7.0301 | ![]() | 9571 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 84-TFBGA | IS46DR16640 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 209 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 400 PS | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | IS25WJ032F-JTLE-TR | 1.1100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-udfn n 패드 | IS25WJ032F | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8- 호스 (4x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 비 비 | 32mbit | 6 ns | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 1.6ms | ||
![]() | S25FL256SDPMFV003 | 5.0050 | ![]() | 6090 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | FL-S | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | S25FL256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 66MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o | - | |||
![]() | Cy7C12681KV18-400BZC | - | ![]() | 1015 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | Cy7c12681 | SRAM-동기, DDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 평행한 | - | |||
![]() | HX-MR-X32G2RT-HC | 385.0000 | ![]() | 3493 | 0.00000000 | Prolebs | * | 소매 소매 | 활동적인 | - | rohs 준수 | 4932-HX-MR-X32G2RT-HC | 귀 99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MTFC64GASAONS-AAT | 41.4750 | ![]() | 1319 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 153-TFBGA | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC64GASAONS-AAT | 1 | 52MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | Cy7C1670KV18-450BZXC | 418.6175 | ![]() | 1869 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | Cy7c1670 | SRAM-동기, DDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 525 | 450MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 4m x 36 | 평행한 | - | |||
![]() | W971GG6NB-18 TR | 2.7826 | ![]() | 6872 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | W971GG6 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TFBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W971GG6NB-18tr | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 350 ps | 음주 | 64m x 16 | SSTL_18 | 15ns | |
![]() | IS25LQ040-JBLE | - | ![]() | 3545 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | IS25LQ040 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 비 비 | 4mbit | 플래시 | 512k x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | |||
![]() | sm661ge4-ac | - | ![]() | 1392 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘, Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | sm661 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | GD25VQ16CSIG | - | ![]() | 3531 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | GD25VQ16 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
![]() | IS46TR16640B-15GBLA2 | - | ![]() | 3279 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS46TR16640 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29VZZZBD9GQFPR-046 W.9Q9 | - | ![]() | 2488 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MX29GL128EHXCI-90G | 4.8440 | ![]() | 2214 | 0.00000000 | 마크로 마크로 | MX29GL | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | MX29GL128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 비 비 | 128mbit | 90 ns | 플래시 | 16m x 8 | 평행한 | 90ns | |||||
![]() | 5962-8687512YA | 179.7756 | ![]() | 5281 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-LCC | 5962-8687512 | sram-듀얼-, 동기 | 4.5V ~ 5.5V | 48-LCC (14.22x14.22) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-5962-8687512YA | 8542.32.0041 | 34 | 휘발성 휘발성 | 8kbit | 45 ns | SRAM | 1K X 8 | 평행한 | 45ns | |||
![]() | MT53E512M32D2NP-053 RS WT : e | - | ![]() | 9875 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53E512 | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 1,360 | |||||||||||||||
![]() | P00423-K21-C | 63.5000 | ![]() | 6663 | 0.00000000 | Prolebs | * | 소매 소매 | 활동적인 | - | rohs 준수 | 4932-P00423-K21-C | 귀 99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | STK14CA8-NF25TR | - | ![]() | 5961 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | STK14CA8 | nvsram (r 휘발성 sram) | 2.7V ~ 3.6V | 32-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 비 비 | 1mbit | 25 ns | nvsram | 128k x 8 | 평행한 | 25ns | |||
![]() | S99GL128P0100 | - | ![]() | 1374 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | GL-P | 쟁반 | 쓸모없는 | - | S99GL128 | 플래시 - 아니오 | - | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 8m x 16 | 평행한 | - | |||||||
![]() | W972GG8JB25I TR | - | ![]() | 4981 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | W972GG8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-WBGA (11x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 400 PS | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | 71V124SA15YGI8 | - | ![]() | 9305 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) | 71V124 | sram- 비동기 | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 15 ns | SRAM | 128k x 8 | 평행한 | 15ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고