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메모리 (70500)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
CY7C1412BV18-250BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1412B18-250BZXC 44.8600
RFQ
 ECAD 181 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1412 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 7 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C024E-15AXC Cypress Semiconductor Corp cy7c024e-15axc -
RFQ
 ECAD 6729 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp cy7c024 sram-이중-, 비동기 4.5V ~ 5.5V 100-TQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 2 휘발성 휘발성 64kbit 15 ns SRAM 4K X 16 평행한 15ns 확인되지 확인되지
CYDMX064A16-90BVXI Cypress Semiconductor Corp cydmx064a16-90bvxi 6.9400
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 ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-VFBGA cydmx sram-듀얼-, mobl 1.8V ~ 3.3V 100-VFBGA (6x6) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 44 휘발성 휘발성 64kbit 90 ns SRAM 4K X 16 평행한 90ns 확인되지 확인되지
CY7C1380D-200AXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1380d-200axc 26.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1380 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 12 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C199CN-15VXC Cypress Semiconductor Corp cy7c199cn-15vxc -
RFQ
 ECAD 9040 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) Cy7c199 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 1,350 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns 확인되지 확인되지
CY7C1021BN-15VXE Cypress Semiconductor Corp cy7c1021bn-15vxe 3.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1021 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2B 8542.32.0041 77 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns 확인되지 확인되지
CYD18S72V-133BBI Cypress Semiconductor Corp Cyd18S72V-133BBI -
RFQ
 ECAD 8802 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 484-BGA Cyd18S72 sram-듀얼-, 동기 3.135V ~ 3.465V 484-FBGA (23x23) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 60 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 5 ns SRAM 256k x 72 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C09369V-12AXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C09369V-12AXC 40.4500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c09369 sram-듀얼-, 동기 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2B 8542.32.0041 8 50MHz 휘발성 휘발성 288kbit 12 ns SRAM 16k x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
24FC16T-I/MS Microchip Technology 24FC16T-I/MS 0.3900
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 ECAD 2493 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 24FC16 eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 2,500 1MHz 비 비 16kbit 450 µs eeprom 2k x 8 i²c 5ms
24FC08T-I/SN Microchip Technology 24FC08T-I/SN 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 24FC08 eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 3,300 1MHz 비 비 8kbit 450 µs eeprom 1K X 8 i²c 5ms
CY7C09269V-12AC Infineon Technologies Cy7C09269V-12AC 18.2000
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c09269 sram-듀얼-, 동기 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 90 50MHz 휘발성 휘발성 256kbit 12 ns SRAM 16k x 16 평행한 -
CY7C1461AV33-133AXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1461av33-133axi 1.0000
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1461 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 휘발성 휘발성 36mbit 6.5 ns SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1425KV18-333BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1425KV18-333BZC 56.0500
RFQ
 ECAD 266 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1425 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) - rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 136 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 4m x 9 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1471BV25-133BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1471BV25-133BZXC 163.4600
RFQ
 ECAD 106 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1471 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-FBGA (15x17) - Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 105 133 MHz 휘발성 휘발성 72mbit 6.5 ns SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1382B-133AC Infineon Technologies cy7c1382b-133ac 14.3300
RFQ
 ECAD 295 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1382 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 4.2 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
CY7C2168KV18-450BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C2168KV18-450BZC 43.4600
RFQ
 ECAD 626 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c2168 SRAM-동기, DDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 7 450MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C199-15VC Cypress Semiconductor Corp CY7C199-15VC -
RFQ
 ECAD 6079 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) Cy7c199 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.32.0041 27 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns 확인되지 확인되지
CYD09S36V18-200BBXI Cypress Semiconductor Corp Cyd09S36V18-200BBXI 1.0000
RFQ
 ECAD 9123 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 256-lbga Cyd09S36 sram-듀얼-, 동기 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 256-FBGA (17x17) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 90 200MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.3 ns SRAM 256k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
71V432S5PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v432S5pfg 3.4000
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 ECAD 302 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71v432 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.63V 100-TQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 72 100MHz 휘발성 휘발성 1mbit 5 ns SRAM 32k x 32 평행한 -
STK17TA8-RF45 Cypress Semiconductor Corp STK17TA8-RF45 19.5000
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 ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비) STK17TA8 nvsram (r 휘발성 sram) 2.7V ~ 3.6V 48-ssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 16 비 비 1mbit 45 ns nvsram 128k x 8 평행한 45ns 확인되지 확인되지
CY7C09289V-6AXC Cypress Semiconductor Corp cy7c09289v-6axc 96.3700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c09289 sram-듀얼-, 동기 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2B 8542.32.0041 90 100MHz 휘발성 휘발성 1mbit 6.5 ns SRAM 64k x 16 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1370D-200BGXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1370D-200BGXC 26.6400
RFQ
 ECAD 496 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga Cy7c1370 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 12 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1361S-133AXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1361s-133axi 16.4700
RFQ
 ECAD 290 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1361 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) - 적용 적용 수 할 3A991B2A 19 133 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 6.5 ns SRAM 256k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
DS28DG02G-3C+ Dallas Semiconductor DS28DG02G-3C+ -
RFQ
 ECAD 2004 0.00000000 달라스 달라스 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-wfqfn q 패드 DS28DG02 eeprom 2.2V ~ 5.25V 36-TQFN (6x6) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0051 1 2 MHz 비 비 2kbit eeprom 256 x 8 SPI -
R1LV0416DBG-7LI#S0 Renesas Electronics America Inc R1LV0416DBG-7LI#S0 21.3100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA R1LV0416D SRAM 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (7.5x8.5) - 적용 적용 수 할 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 70 ns SRAM 256k x 16 평행한 70ns
S29GL128N11FFI020 Spansion S29GL128N11ffi020 4.0000
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 스팬션 GL-N 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B1A 8542.32.0051 1 비 비 128mbit 110 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 110ns
CG7777AA Cypress Semiconductor Corp CG7777AA -
RFQ
 ECAD 5152 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 - 적용 적용 수 할 1 확인되지 확인되지
CAT24C02LI-G Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C02LI-G -
RFQ
 ECAD 4260 0.00000000 촉매 촉매 Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) CAT24C02 eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0051 50 400 kHz 비 비 2kbit 900 ns eeprom 256 x 8 i²c 5ms
CY7C1414BV18-200BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1414B18-200BZC 44.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1414 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) - rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 7 200MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
IS21ES04G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES04G-JQLI -
RFQ
 ECAD 4520 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga IS21ES04 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21ES04G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 200MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 EMMC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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